JAJSXE8 October   2025 DRV8311-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 SPI のタイミング要件
    7. 6.7 SPI セカンダリ デバイス モードのタイミング
    8. 6.8 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  出力ステージ
      2. 7.3.2  制御モード
        1. 7.3.2.1 6x PWM モード (DRV8311S-Q1 および DRV8311H-Q1 バリアントのみ)
        2. 7.3.2.2 3x PWM モード (DRV8311S-Q1 および DRV8311H-Q1 バリアントのみ)
        3. 7.3.2.3 PWM 生成モード (DRV8311S-Q1 および DRV8311P-Q1 バリアント)
      3. 7.3.3  デバイス インターフェイス モード
        1. 7.3.3.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
        2. 7.3.3.2 ハードウェア インターフェイス
      4. 7.3.4  AVDD リニア電圧レギュレータ
      5. 7.3.5  チャージ ポンプ
      6. 7.3.6  スルー レート制御
      7. 7.3.7  クロス導通 (デッド タイム)
      8. 7.3.8  伝搬遅延
      9. 7.3.9  ピン配置図
        1. 7.3.9.1 ロジック レベル入力ピン (内部プルダウン)
        2. 7.3.9.2 ロジック レベル入力ピン (内部プルアップ)
        3. 7.3.9.3 オープン ドレイン ピン
        4. 7.3.9.4 プッシュプル ピン
        5. 7.3.9.5 4 レベル入力ピン
      10. 7.3.10 電流センス アンプ
        1. 7.3.10.1 電流センス アンプの動作
        2. 7.3.10.2 電流センス アンプ オフセットの補正
      11. 7.3.11 保護
        1. 7.3.11.1 VM 電源低電圧ロックアウト (NPOR)
        2. 7.3.11.2 低電圧保護 (UVP)
        3. 7.3.11.3 過電流保護 (OCP)
          1. 7.3.11.3.1 OCP ラッチ シャットダウン (OCP_MODE = 010b)
          2. 7.3.11.3.2 OCP 自動リトライ (OCP_MODE = 000b または 001b)
          3. 7.3.11.3.3 OCP 通知のみ (OCP_MODE = 011b)
          4. 7.3.11.3.4 OCP 無効 (OCP_MODE = 111b)
        4. 7.3.11.4 過熱保護
          1. 7.3.11.4.1 過熱警告 (OTW)
          2. 7.3.11.4.2 サーマル シャットダウン (OTSD)
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 機能モード
        1. 7.4.1.1 スリープ モード
        2. 7.4.1.2 動作モード
        3. 7.4.1.3 フォルト リセット (CLR_FLT または nSLEEP リセット パルス)
    5. 7.5 SPI 通信
      1. 7.5.1 プログラミング
        1. 7.5.1.1 SPI および tSPI フォーマット
  9. 8 DRV8311-Q1 のレジスタ
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 三相ブラシレス DC モーター制御
        1. 9.2.1.1 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.1.1 モーター電圧
        2. 9.2.1.2 ドライバの伝搬遅延時間とデッド タイム
        3. 9.2.1.3 遅延補償
        4. 9.2.1.4 電流センシングと出力フィルタリング
        5. 9.2.1.5 アプリケーション曲線
    3. 9.3 三相ブラシレス DC tSPI モーター制御
      1. 9.3.1 詳細な設計手順
    4. 9.4 他のアプリケーション
    5. 9.5 電源に関する推奨事項
      1. 9.5.1 バルク コンデンサ
    6. 9.6 レイアウト
      1. 9.6.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.6.2 レイアウト例
      3. 9.6.3 熱に関する注意事項
        1. 9.6.3.1 消費電力と接合部温度の概算
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 サポート・リソース
    2. 10.2 商標
    3. 10.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 10.4 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.3.10.1 電流センス アンプの動作

デバイスの SOx ピンは、ローサイド FET を流れる電流 (IOUTx) にゲイン設定 (GCSA) を乗算した値に比例するアナログ電圧を出力します。ゲイン設定は 4 段階に調整可能で、ハードウェア デバイス バリアントの場合はゲイン ピンによって、SPI デバイスまたは tSPI デバイス バリアントの場合は CSA_GAIN ビットによって設定されます。

図 7-28 に、電流センス アンプの内部アーキテクチャを示しています。電流センスは、デバイスの各ローサイド FET にセンス FET を用いて実装されています。この電流情報は電圧に変換され、CSAREF ピン (VREF) の電圧およびゲイン設定に基づいて SOx ピンに CSA 出力電圧として生成されます。CSA 出力電圧は、式 15 を用いて計算することができます

式 2. SOx= VREF2±(GCSA×IOUTx)
DRV8311-Q1 電流センス アンプ内蔵図 7-28 電流センス アンプ内蔵

図 7-29 および図 7-30に、アンプの動作範囲の詳細を示しています。双方向動作の場合、入力電圧が 0V のときのアンプ出力は VREF/2 に設定されます。差動入力に変化があると、その変化に応じて出力電圧が GCSA の係数で増減します。アンプには定義されたリニア動作範囲があり、この範囲内でアンプは動作を維持することができます。

DRV8311-Q1 双方向電流検出の出力図 7-29 双方向電流検出の出力
DRV8311-Q1 双方向電流検出の領域図 7-30 双方向電流検出の領域
注: 電流センス アンプは、CSAREF ピンに供給される外部電圧リファレンス (VREF) を使用して動作します。