JAJSCM0D April   2011  – April 2025 INA200-Q1 , INA201-Q1 , INA202-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性：電流シャント モニタ
    6. 6.6 電気的特性：コンパレータ
    7. 6.7 電気的特性：総則
    8. 6.8 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 ヒステリシス
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 コンパレータ
      2. 8.3.2 出力電圧範囲
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーション情報
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 基本的な接続
      2. 9.1.2 RS の選択
      3. 9.1.3 入力フィルタリング
      4. 9.1.4 VSENSEとコモンモード電圧による精度の変化
        1. 9.1.4.1 ノーマルケース 1：VSENSE ≥ 20mV、VCM ≥ VS
        2. 9.1.4.2 ノーマルケース 2：VSENSE ≥ 20 mV, VCM < V5
        3. 9.1.4.3 低い VSENSE ケース 1：VSENSE < 20mV、-16V ≤ VCM < 0V、および低VSENSEケース3：VSENSE < 20mV、VS < VCM ≤ 80V
        4. 9.1.4.4 低い VSENSE ケース 2：VSENSE < 20mV、0V ≤ VCM ≤ VS
      5. 9.1.5 過渡保護
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 ローサイドスイッチによる過電流シャットダウン
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 ハイサイドスイッチによる過電流シャットダウン
      3. 9.2.3 双方向過電流コンパレータ
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
      1. 9.3.1 出力と電源ランプとの関係に関する検討事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 商標
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性：電流シャント モニタ

TA = 25°Cで、VS = 12V、VCM = 12V、VSENSE = VIN+ - VIN-= 100mV、RL = 10kΩ ～ GND、R PULL-UP = 5.1kΩ をCMPOUT ～ VSに接続、CMPIN = GND（特に注記のない限り）
パラメータテスト条件最小値標準値最大値単位
入力
VSENSEフルスケールセンス入力電圧VSENSE= VIN+ – VIN–0.15（VS – 0.25) / ゲインV
VCM同相入力範囲TA = –40℃～125℃-1680V
CMR同相除去VIN+ = –16V ～ 80V80100dB
VIN = 12V ～80V、TA = –40°C ～ 125°C100123dB
VOSオフセット電圧、RTI(1)TA = 25℃±0.5±2.5mV
TA = 25℃～125℃±3mV
TA = –40℃～25℃±3.5mV
dVOS/dTオフセット電圧 、RTIと温度との関係TA = –40℃～125℃5μV/℃
PSRオフセット電圧 、RTIと電源電圧との関係VIN = 2V、VIN+ = 18V、2.7V、TA = –40°C ～ 125°C2.5100μV/V
IB入力 ピンバイアス電流、VIN– ピンTA = –40℃～125℃±9±16μA
出力（ VSENSE ≥ 20mV）
GゲインINA200-Q120V/V
INA201-Q150V/V
INA202-Q1100V/V
ゲイン誤差VSENSE = 20mV ～ 100mV±0.2%±1%
VSENSE = 20mV ～ 100mV、TA = –40°C ～ 125°C±2%
総出力誤差(2)V SENSE = 120mV、V S = 16V±0.75%±2.2%
VSENSE = 120mV、VS = 16V、TA = –40°C ～ 125°C±3.5%
非直線性誤差(3)VSENSE = 20mV ～ 100mV±0.002%
RO出力インピーダンス1.5Ω
CLOAD最大容量性負荷発振が持続しないこと10nF
出力 ( VSENSE < 20mV)(4)
出力– 16V ≤ VCM < 0VINA20x-Q1300mV
0V ≤ VCM ≤ VS、VS = 5VINA200-Q10.4V
INA201-Q11V
INA202-Q12V
VS < VCM ≤ 80VINA20x-Q1300mV
電圧出力(5)
正レールに対する出力振幅VIN- = 11V、VIN+ = 12 V、TA = –40°C ～ 125°C(VS) – 0.15(VS) – 0.25V
GND に対する出力振幅(6)VIN- = 0V、VIN+ = -0.5 V、TA = –40°C ～ 125°C(VGND) + 0.004(VGND) + 0.05V
周波数応答
BW帯域幅CLOAD = 5pFINA200-Q1500kHz
INA201-Q1300kHz
INA202-Q1200kHz
位相マージンCLOAD < 10nF40度
SRスルー レート1V/μs
セトリング タイム (1%)V SENSE = 10mV PP ～ 100mV PP、CLOAD = 5pF2μs
ノイズ、RTI
電圧ノイズ密度40nV/√Hz
(1) オフセットは、VSENSEが20mVおよび100mVの時の出力測定値から外挿されます。
(2) 総出力誤差には、ゲイン誤差とV OSの影響が含まれています。
(3) 線形性は、直線に最もよく適合します。
(4) この領域の動作の詳細については、セクション 8.4の「精度の変動」セクションを参照してください。
(5) 図 6-7 を参照してください。
(6) 設計により規定されています。