JAJA863 April 2025 LM74610-Q1
ディプリーション MOSFET を使用した LM74610-Q1 バイパス機能アプリケーションの回路図を 図 4-1 に、テストの変更と設定を行ったデモ ボードの上面図を 図 4-2 に示します。
図 4-3 に、40V の LM74610-Q1 コントローラを使用した 60V バイパス スイッチ設計のテスト結果を示します。適切にスケーリングされた MOSFET (Q1 と QD) を使用すると、入力電圧範囲は FET の VDS 定格まで拡張できます。これにより、同じ低電圧コントローラを使用した高電圧設計が可能になります。また、入力電圧範囲を広げることは、エンタープライズ、通信、電動工具、高電圧バッテリ管理の各アプリケーションにも有用です。
図 4-3 LM74610 とディプリーション MOSFET による 60V バイパス回路のテスト結果| 60V バイパス | ディプリーション MOSFET ありの LM74610-Q1 | ||
| 60V から 0V に降圧された VIN | |||
| デバイスのカソード ピンは (VIN + VT_QD) に従います | |||
| FET QD の VT にクランプされた有効な VANODE – VCATHODE | |||