JAJS127G April   1999  – April 2025 UCC2813-0 , UCC2813-1 , UCC2813-2 , UCC2813-3 , UCC2813-4 , UCC2813-5 , UCC3813-0 , UCC3813-1 , UCC3813-2 , UCC3813-3 , UCC3813-4 , UCC3813-5

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  ピンの詳細説明
        1. 7.3.1.1 COMP
        2. 7.3.1.2 CS
        3. 7.3.1.3 FB
        4. 7.3.1.4 GND
        5. 7.3.1.5 OUT
        6. 7.3.1.6 RC
        7. 7.3.1.7 REF
        8. 7.3.1.8 VCC
      2. 7.3.2  低電圧誤動作防止 (UVLO)
      3. 7.3.3  自己バイアス、アクティブ LOW 出力
      4. 7.3.4  基準電圧
      5. 7.3.5  発振器
      6. 7.3.6  同期
      7. 7.3.7  PWM ジェネレータ
      8. 7.3.8  最小オフ時間調整 (デッドタイム制御)
      9. 7.3.9  リーディング エッジ ブランキング
      10. 7.3.10 最小パルス幅
      11. 7.3.11 電流制限
      12. 7.3.12 過電流保護とフルサイクル再起動
      13. 7.3.13 ソフトスタート
      14. 7.3.14 スロープ補償
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 通常動作
      2. 7.4.2 UVLO モード
      3. 7.4.3 ソフトスタート モード
      4. 7.4.4 フォルト モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  バルク キャパシタの計算
        2. 8.2.2.2  トランスの設計
        3. 8.2.2.3  MOSFET と出力ダイオードの選択
        4. 8.2.2.4  出力コンデンサの計算
        5. 8.2.2.5  電流検出ネットワーク
        6. 8.2.2.6  ゲート ドライブ抵抗
        7. 8.2.2.7  REF バイパス コンデンサ
        8. 8.2.2.8  RT および CT
        9. 8.2.2.9  スタートアップ回路
        10. 8.2.2.10 電圧帰還補償手順
          1. 8.2.2.10.1 電力段のゲイン、ゼロ、極
          2. 8.2.2.10.2 ループの補償
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 関連リンク
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 商標
    6. 9.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準(1)UCCx813-x単位
P (PDIP)D (SOIC)PW (TSSOP)
8 ピン8 ピン8 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗50.9117.9154.4℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗40.360.866.7℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗28.162.294℃/W
ψJT接合部から上面への特性パラメータ17.614.410.4℃/W
ψJB接合部から基板への特性パラメータ2861.793.2℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。spra953