JAJSOU6A October   2023  – October 2025 TPS2HCS10-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
    1. 5.1 バージョン A パッケージ
    2. 5.2 ピン配置 - バージョン A
    3. 5.3 バージョン B パッケージ
    4. 5.4 ピン配置 - バージョン B
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 SPI のタイミング要件
    7. 6.7 スイッチング特性
    8. 6.8 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 保護メカニズム
        1. 8.3.1.1 過電流保護
          1. 8.3.1.1.1 突入時間 — 過電流保護
          2. 8.3.1.1.2 過電流保護 — 定常状態動作
          3. 8.3.1.1.3 プログラマブル ヒューズ保護
          4. 8.3.1.1.4 即時シャットダウン過電流保護 (IOCP)
          5. 8.3.1.1.5 自動再試行とラッチ オフ動作
        2. 8.3.1.2 サーマル シャットダウン
        3. 8.3.1.3 逆極性バッテリ
      2. 8.3.2 診断機能
        1. 8.3.2.1 ADC 内蔵
        2. 8.3.2.2 デジタル電流センス出力
        3. 8.3.2.3 出力電圧測定
        4. 8.3.2.4 MOSFET 温度測定
        5. 8.3.2.5 ドレイン - ソース間電圧 (VDS) の測定
        6. 8.3.2.6 VBB 電圧の測定
        7. 8.3.2.7 VOUT のバッテリへの短絡とオープン負荷
          1. 8.3.2.7.1 チャネル出力 (FET) が有効な測定
          2. 8.3.2.7.2 チャネル出力がディスエーブルの検出
      3. 8.3.3 並列モード動作
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 状態遷移図
      2. 8.4.2 出力制御
      3. 8.4.3 SPI モード動作
      4. 8.4.4 障害通知
      5. 8.4.5 SLEEP
      6. 8.4.6 CONFIG/ACTIVE
      7. 8.4.7 LIMP_HOME 状態 (バージョン A のみ)
      8. 8.4.8 バッテリ電源入力 (VBB) 低電圧
      9. 8.4.9 低消費電力 (LPM) 状態
        1. 8.4.9.1 MANUAL_LPM 状態
        2. 8.4.9.2 AUTO_LPM 状態
    5. 8.5 TPS2HCS10-Q1 のレジスタ
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 熱に関する注意事項
        2. 9.2.2.2 容量性充電モードの設定
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.6 SPI のタイミング要件

動作時接合部温度範囲全体 TJ = –40°C ～ 150°C、VDD = 3.0V ～ 5.5V（デバイスの GND ピン基準で測定）
パラメータ テスト条件 最小値 公称値 最大値 単位
ƒSPI SPI クロック (SCLK) 周波数 CSDO = 30pF、IO保護抵抗 0.47kΩ 8 MHz
tHigh High 時間：SCLKロジックHighの時間 45 ns
tLow ロータイム：SCLKロジックLowの期間 45 ns
tsucs CS セットアップ時間： CS の立ち下がりエッジとSCLKの立ち上がりエッジ間の時間遅延 45 ns
tSU_SDI SDIのセットアップ時間：SCLK 立ち下がりエッジ前の SDI のセットアップ時間 15 ns
tH_SDI SDI ホールド時間：SCLK の立ち下がりエッジ前の SDI のホールド時間 30 ns
tD_SDO 遅延時間：SCLK の立ち上がりエッジから SDO の有効データまでの時間遅延 30 ns
thcs ホールド時間：SCLK の立ち下がりエッジと CS の立ち上がりエッジとの間の時間 45 ns
tdis_cs CS ディセーブル時間、CS 高から SDO 高インピーダンスまで 10 ns
thics CS がHighでなければならないSPI転送非アクティブ時間（二回の転送間の時間） 500 ns