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LM5109B-Q1

AKTIV

1-A-, 100-V-Halbbrücken-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit 8-V-UVLO und hoher Rauschunempfind

Produktdetails

Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual inputs
WSON (NGT) 8 16 mm² 4 x 4
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results
    • Device Temperature Grade 1
    • Device HBM ESD Classification Level 1C
    • Device CDM ESD Classification Level C4A
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel
    MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink/1.0-A
    Source)
  • Independent TTL/CMOS Compatible Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load with 15-ns Rise and Fall
    Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns
    Typical)
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Thermally-Enhanced WSON-8 Package
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results
    • Device Temperature Grade 1
    • Device HBM ESD Classification Level 1C
    • Device CDM ESD Classification Level C4A
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel
    MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink/1.0-A
    Source)
  • Independent TTL/CMOS Compatible Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load with 15-ns Rise and Fall
    Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns
    Typical)
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Thermally-Enhanced WSON-8 Package

The LM5109B-Q1 is a cost effective, high voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with TTL/CMOS compatible logic input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the thermally enhanced WSON(8) packages.

The LM5109B-Q1 is a cost effective, high voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with TTL/CMOS compatible logic input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the thermally enhanced WSON(8) packages.

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Technische Dokumentation

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Alle anzeigen 5
Typ Titel Datum
* Data sheet LM5109B-Q1 High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver datasheet (Rev. A) PDF | HTML 08 Dez 2015
Functional safety information LM5109B-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 30 Sep 2024
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28 Feb 2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28 Feb 2020
More literature Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 29 Okt 2018

Design und Entwicklung

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Simulationstool

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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
WSON (NGT) 8 Ultra Librarian

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Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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