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TPS7H6101-SEP

AKTIV

Radiation-tolerant, 200V 10A GaN power stage with integrated driver

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Datenblatt

document-pdfAcrobat TPS7H6101-SEP 200V, 10A GaN Half Bridge Power Stage datasheet (Rev. A) (Englisch) PDF | HTML

TPS7H6101-SEP

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Produktdetails

VDS (max) (V)

200

RDS(on) (mΩ)

15

Features

Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection

Rating

Catalog, Space

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

VDS (max) (V)

200

RDS(on) (mΩ)

15

Features

Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection

Rating

Catalog, Space

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

UNKNOWN (NPR)

64

See data sheet

LGA (NPR)

64

11664 mm² (108 mm × 108 mm)

Radiation performance:
- Total ionizing dose (TID) characterized(1)
  - Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
- Single-event effects (SEE) characterized(2)
  - Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
  - Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
200V ehancement mode (e-mode) GaN FET half bridge
- 15mΩRDS(ON) (typical)
- Up to 2MHz operation
LGA package:
- Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
- Integrated gate drive resistors
- Low common source inductance packaging
- Electrically isolated high-side and low-side
Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
- Low propagation delay
- Two operational modes
  - Single PWM input with adjustable dead time
  - Two independent inputs
- Programmable dead time control
- Selectable input interlock protection in independent input mode
- 5V gate drive supply for robust FET operation

Radiation performance:
- Total ionizing dose (TID) characterized(1)
  - Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
- Single-event effects (SEE) characterized(2)
  - Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
  - Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
200V ehancement mode (e-mode) GaN FET half bridge
- 15mΩRDS(ON) (typical)
- Up to 2MHz operation
LGA package:
- Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
- Integrated gate drive resistors
- Low common source inductance packaging
- Electrically isolated high-side and low-side
Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
- Low propagation delay
- Two operational modes
  - Single PWM input with adjustable dead time
  - Two independent inputs
- Programmable dead time control
- Selectable input interlock protection in independent input mode
- 5V gate drive supply for robust FET operation

The TPS7H6101 is a radiation-tolerant 200V e-mode GaN power-FET half bridge with integrated gate driver. Integration of the e-mode GaN FETs and gate driver simplifies design, reduces component count, and reduces board space. Support for half-bridge and two independent switch topologies, configurable dead time, and configurable shoot through interlock protection facilitates support for a wide variety of applications and implementations.

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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation	Typ	Titel	Format-Optionen	Datum
*	Datenblatt	TPS7H6101-SEP 200V, 10A GaN Half Bridge Power Stage datasheet (Rev. A)	PDF \| HTML	26.03.2026
*	Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht	Single-Event Effects (SEE) Radiation Report of the TPS7H6101-SEP	PDF \| HTML	02.04.2026
*	Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht	TPS7H6101-SEP Production Flow and Reliability Report (Rev. A)	PDF \| HTML	27.03.2026
*	Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht	TPS7H6101 Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report		20.02.2026
*	Strahlungs- und Zuverlässigkeitsbericht	TPS7H6101-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A)		28.01.2026
	Whitepaper	IC Sourcing for Space: Pros and Cons of Up-screening COTS Versus Space Enhanced Products (SEP)	PDF \| HTML	28.07.2026
	Anwendungshinweis	Highly Scalable Space Motor Control Platform based on TI’s Space Enhanced Products (-SEP) and Space Products	PDF \| HTML	08.06.2026
	Auswahlhilfe	TI Space Products (Rev. L)		27.03.2026
	Zertifikat	TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC)	PDF \| HTML	16.04.2025
	Anwendungshinweis	Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A)	PDF \| HTML	15.09.2022
	E-book	Radiation Handbook for Electronics (Rev. A)		21.05.2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP – Evaluierungsmodul

Das TPS7H6101EVM verwendet eine Eingangsspannungsschiene auf J13 zur Speisung des PVIN von 100 V. Standardmäßig läuft das Gerät im PWM-Modus und der IIM-Modus kann mit minimalen Änderungen verwendet werden. Eingabe einer Wellenform von 0 V bis 5 V auf J8 der TPS7H6101-SP wird als Abwärtswandler (...)

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