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TPS7H6101-SEP

VORSCHAU

Strahlungstolerante GaN-Leistungsstufe mit 200 V, 10 A und integriertem Treiber

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Datenblatt

TPS7H6101-SEP

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Produktdetails

VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
UNKNOWN (NPR) 64 See data sheet
  • Radiation performance:
    • Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
    • Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
    • Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V e-mode GaN FET half bridge
    • 15mΩRDS(ON) (typ)
    • 100kHz to 2MHz operation
  • LGA package:
    • Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
    • Integrated gate drive resistors
    • Low common source inductance packaging
    • Electrically isolated high-side and low-side
  • Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
    • Low propagation delay
    • Two operational modes
      • Single PWM input with adjustable dead time
      • Two independent inputs
    • Programmable dead time control
    • Selectable input interlock protection in independent input mode
    • 5V gate drive supply for robust FET operation
  • Radiation performance:
    • Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
    • Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
    • Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V e-mode GaN FET half bridge
    • 15mΩRDS(ON) (typ)
    • 100kHz to 2MHz operation
  • LGA package:
    • Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
    • Integrated gate drive resistors
    • Low common source inductance packaging
    • Electrically isolated high-side and low-side
  • Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
    • Low propagation delay
    • Two operational modes
      • Single PWM input with adjustable dead time
      • Two independent inputs
    • Programmable dead time control
    • Selectable input interlock protection in independent input mode
    • 5V gate drive supply for robust FET operation

The TPS7H6101 is a radiation-tolerant 200V e-mode GaN power-FET half bridge with integrated gate driver; integration of the e-mode GaN FETs and gate driver simplifies design, reduces component count, and reduces board space. Support for half-bridge and two independent switch topologies, configurable dead time, and configurable shoot through interlock protection facilitates support for a wide variety of applications and implementations.

The TPS7H6101 is a radiation-tolerant 200V e-mode GaN power-FET half bridge with integrated gate driver; integration of the e-mode GaN FETs and gate driver simplifies design, reduces component count, and reduces board space. Support for half-bridge and two independent switch topologies, configurable dead time, and configurable shoot through interlock protection facilitates support for a wide variety of applications and implementations.

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Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
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Alle anzeigen 6
Typ Titel Datum
* Data sheet TPS7H6101-SEP 200V, 10A GaN Half Bridge Power Stage datasheet PDF | HTML 14 Mai 2025
* Radiation & reliability report TPS7H6101-SEP Preliminary Total Ionizing Dose (TID) Report 09 Mai 2025
Certificate TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 16 Apr 2025
Selection guide TI Space Products (Rev. K) 04 Apr 2025
Application note Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 15 Sep 2022
E-book Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 21 Mai 2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP – Evaluierungsmodul

Das TPS7H6101EVM verwendet eine Eingangsspannungsschiene auf J13 zur Speisung des PVIN von 100 V. Standardmäßig läuft das Gerät im PWM-Modus und der IIM-Modus kann mit minimalen Änderungen verwendet werden. Eingabe einer Wellenform von 0 V bis 5 V auf J8 der TPS7H6101-SP wird als Abwärtswandler (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Simulationsmodell

TPS7H6101-SP PSpice Transient Model

SNOM820.ZIP (66 KB) - PSpice Model
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
UNKNOWN (NPR) 64 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

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Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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