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CSD13381F4

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 180 mOhm, protección cont

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Detalles del producto

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 180 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 225 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.06 QGD (typ) (nC) 0.14 QGS (typ) (nC) 0.23 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.1 ID - package limited (A) 2.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 180 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 225 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.06 QGD (typ) (nC) 0.14 QGS (typ) (nC) 0.23 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.1 ID - package limited (A) 2.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • Low on-resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • Maximum height: 0.36-mm
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • Maximum height: 0.36-mm
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 140-mΩ, 12-V N-channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

This 140-mΩ, 12-V N-channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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Documentación técnica

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* Data sheet CSD13381F4 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. F) PDF | HTML 10 mar 2022
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Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

LP87642Q1EVM — Módulo de evaluación LP87642-Q1 para convertidor reductor de 4 fases de una salida conforme a la seg

La placa LP87642Q1EVM se puede utilizar para probar, demostrar, depurar y configurar uno o múltiples circuitos integrados de gestión de potencia LP8764-Q1 para aplicaciones industriales y automotrices. El dispositivo integrado es el LP876411E2RQRQ1, que tiene una configuración de 4 fases a 2.2 MHz (...)

Guía del usuario: PDF | HTML
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Soporte de software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles

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Soporte de software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Productos y hardware compatibles

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Modelo de simulación

CSD13381F4 TINA-TI Spice Model

SLPM196.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
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Modelo de simulación

CSD13381F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM075B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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Herramienta de cálculo

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
Productos y hardware compatibles

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Herramienta de cálculo

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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TIDA-00765 es una parte frontal analógica de menos de 100 nVpp para la medición del peso y las vibraciones de las celdas de carga del puente de galgas extensométricas resistentes. Es ideal para electrodomésticos, ya que requieren alta resolución debido a su amplio rango dinámico o tienen una (...)
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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