LM5111

ACTIVO

Controlador de puerta de doble canal de 5 A/3 A con UVLO de 4 V de salida activa alta o baja

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ACTIVO

Control. de lado bajo y doble canal de 5 A/5 A con UVLO de 4 V, VDD de 30 V y retardo de prop. bajo Wide VDD and enable

LM5111

ACTIVO

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Detalles del producto

Number of channels

2

Power switch

MOSFET

Input supply voltage (min) (V)

3.5

Input supply voltage (max) (V)

14

Features

UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Rise time (ns)

14

Fall time (ns)

12

Propagation delay time (µs)

0.025

Input threshold

TTL

Channel input logic

Combination, Inverting, Non-Inverting

Input negative voltage (V)

0

Rating

Catalog

Undervoltage lockout (typ) (V)

3

Driver configuration

Dual, Independent

Number of channels

2

Power switch

MOSFET

Input supply voltage (min) (V)

3.5

Input supply voltage (max) (V)

14

Features

UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Rise time (ns)

14

Fall time (ns)

12

Propagation delay time (µs)

0.025

Input threshold

TTL

Channel input logic

Combination, Inverting, Non-Inverting

Input negative voltage (V)

0

Rating

Catalog

Undervoltage lockout (typ) (V)

3

Driver configuration

Dual, Independent

SOIC (D)

8

29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)

HVSSOP (DGN)

8

14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)

Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
5-A Sink and 3-A Source Current Capability
Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
Independent Inputs (TTL Compatible)
Fast Propagation Times (25 ns Typical)
Fast Rise and Fall Times (14 ns and 12 ns Rise and Fall, Respectively, With 2-nF Load)
Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
Supply Rail Undervoltage Lockout Protection (UVLO)ƒ
LM5111-4 UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A and NFET through OUT_B
Pin Compatible With Industry Standard Gate Drivers

Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
5-A Sink and 3-A Source Current Capability
Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
Independent Inputs (TTL Compatible)
Fast Propagation Times (25 ns Typical)
Fast Rise and Fall Times (14 ns and 12 ns Rise and Fall, Respectively, With 2-nF Load)
Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
Supply Rail Undervoltage Lockout Protection (UVLO)ƒ
LM5111-4 UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A and NFET through OUT_B
Pin Compatible With Industry Standard Gate Drivers

The LM5111 Dual Gate Driver replaces industry standard gate drivers with improved peak output current and efficiency. Each compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 5-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is also provided. The drivers can be operated in parallel with inputs and outputs connected to double the drive current capability. This device is available in the SOIC package or the thermally enhanced
MSOP-PowerPAD package.

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Documentación técnica

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Documentación principal	Tipo	Título	Opciones de formato	Fecha
*	Hoja de datos	LM5111 Dual 5-A Compound Gate Driver datasheet (Rev. H)	PDF \| HTML	28/09/2016
	Nota sobre la aplicación	Why use a Gate Drive Transformer?	PDF \| HTML	4/03/2024
	Nota sobre la aplicación	Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs	PDF \| HTML	22/01/2024
	Nota sobre la aplicación	Static Magnet Power Supply Design for Magnetic Resonance Imaging Application	PDF \| HTML	22/01/2024
	Nota sobre la aplicación	Benefits of a Compact, Powerful, and Robust Low-Side Gate Driver	PDF \| HTML	10/11/2021
	Application brief	External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A)		28/02/2020
	Application brief	Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A)		28/02/2020
	Nota sobre la aplicación	Improving Efficiency of DC-DC Conversion through Layout		7/05/2019
	Application brief	How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs		18/01/2019
	Application brief	High-Side Cutoff Switches for High-Power Automotive Applications (Rev. A)		26/11/2018
	Más documentación	Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)		29/10/2018
	Guía de selección	Power Management Guide 2018 (Rev. R)		25/06/2018
	Application brief	Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole		16/03/2018

Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

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Modelo de simulación

LM5111-1M TINA-TI Transient Reference Design

SNVM404.TSC (146 KB) - Diseño de referencia TINA-TI

Productos y hardware compatibles

Encapsulado	Pines	Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
SOIC (D)	8	Ultra Librarian
HVSSOP (DGN)	8	Ultra Librarian

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