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TXB0102

ACTIVO

Conmutador de nivel de tensión bidireccional de 2 bits con detección de dirección automática y prote

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TXB0102

ACTIVO
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Detalles del producto

Technology family TXB Applications GPIO, SPI, UART Bits (#) 2 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 0.78 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) -0.02 IOL (max) (mA) 0.02 Supply current (max) (µA) 8 Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family TXB Applications GPIO, SPI, UART Bits (#) 2 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 0.78 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) -0.02 IOL (max) (mA) 0.02 Supply current (max) (µA) 8 Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YZP) 8 2.8125 mm² 2.25 x 1.25 VSSOP (DCU) 8 6.2 mm² 2 x 3.1
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ Packages
  • 1.2 V to 3.6 V on A Port and 1.65 V to 5.5 V On B Port (V CCA ≤ V CCB)
  • V CC Isolation Feature – If Either V CC Input Is at GND, All Outputs Are in the High-Impedance State
  • OE Input Circuit Referenced to V CCA
  • Low Power Consumption, 4-µA Max I CC
  • I off Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • A Port
      • 2500-V Human-Body Model (A114-B)
      • 200-V Machine Model (A115-A)
      • 1500-V Charged-Device Model (C101)
    • B Port
      • 15-kV Human-Body Model (A114-B)
      • 200-V Machine Model (A115-A)
      • 1500-V Charged-Device Model (C101)
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ Packages
  • 1.2 V to 3.6 V on A Port and 1.65 V to 5.5 V On B Port (V CCA ≤ V CCB)
  • V CC Isolation Feature – If Either V CC Input Is at GND, All Outputs Are in the High-Impedance State
  • OE Input Circuit Referenced to V CCA
  • Low Power Consumption, 4-µA Max I CC
  • I off Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • A Port
      • 2500-V Human-Body Model (A114-B)
      • 200-V Machine Model (A115-A)
      • 1500-V Charged-Device Model (C101)
    • B Port
      • 15-kV Human-Body Model (A114-B)
      • 200-V Machine Model (A115-A)
      • 1500-V Charged-Device Model (C101)

The TXB0102 device is a 2-bit noninverting translator that uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track V CCA. V CCA accepts any supply voltage from 1.2 V to 3.6 V. The B port is designed to track V CCB. V CCB accepts any supply voltage from 1.65 V to 5.5 V. This allows for universal low-voltage bidirectional translation between any of the 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, and 5-V voltage nodes. V CCA must not exceed V CCB.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

This device is fully specified for partial-power-down applications using I off. The I off circuitry disables the outputs when the device is powered down. This inhibits current backflow into the device which prevents damage to the device.

OE must be tied to GND through a pulldown resistor to assure the high-impedance state during power up or power down; the minimum value of the resistor is determined by the current-sourcing capability of the driver.

NanoFree™ technology is a major breakthrough in IC packaging concepts, using the die as the package.

The TXB0102 device is a 2-bit noninverting translator that uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track V CCA. V CCA accepts any supply voltage from 1.2 V to 3.6 V. The B port is designed to track V CCB. V CCB accepts any supply voltage from 1.65 V to 5.5 V. This allows for universal low-voltage bidirectional translation between any of the 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, and 5-V voltage nodes. V CCA must not exceed V CCB.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

This device is fully specified for partial-power-down applications using I off. The I off circuitry disables the outputs when the device is powered down. This inhibits current backflow into the device which prevents damage to the device.

OE must be tied to GND through a pulldown resistor to assure the high-impedance state during power up or power down; the minimum value of the resistor is determined by the current-sourcing capability of the driver.

NanoFree™ technology is a major breakthrough in IC packaging concepts, using the die as the package.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

5-8-LOGIC-EVM — Módulo de evaluación lógica genérico para encapsulados DCK, DCT, DCU, DRL y DBV de 5 a 8 pines

Módulo de evaluación (EVM) flexible diseñado para admitir cualquier dispositivo que tenga un encapsulado DCK, DCT, DCU, DRL o DBV en un recuento de 5 a 8 pines.
Guía del usuario: PDF
No disponible en TI.com
Placa de evaluación

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This EVM is designed to support the TXB auto bidirectional families for single, dual, four and eight channel devices. The TXB devices belong to the auto bidirectional translation family with an operating voltage designed to level translation between 1.2V and 5.5 V.
Guía del usuario: PDF | HTML
No disponible en TI.com
Modelo de simulación

TXB0102 IBIS Model (Rev. A)

SCEM563A.ZIP (71 KB) - IBIS Model
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Diseños de referencia

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Design guide: PDF
Esquema: PDF
Paquete Pasadores Descargar
DSBGA (YZP) 8 Ver opciones
VSSOP (DCU) 8 Ver opciones
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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