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BQ2201

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1 バンクの SRAM 向け、SRAM 不揮発性コントローラ IC

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製品詳細

Features 1-Bank SRAM, CMOS, Non-volatile controller, Write-protection Operating current (typ) (µA) 3000 Rating Catalog Vin (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85
Features 1-Bank SRAM, CMOS, Non-volatile controller, Write-protection Operating current (typ) (µA) 3000 Rating Catalog Vin (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Power monitoring and switching for 3-volt battery-backup applications
  • Write-protect control
  • 3-volt primary cell inputs
  • Less than 10ns chip-enable propagation delay
  • 5% or 10% supply operation
  • Power monitoring and switching for 3-volt battery-backup applications
  • Write-protect control
  • 3-volt primary cell inputs
  • Less than 10ns chip-enable propagation delay
  • 5% or 10% supply operation

The CMOS bq2201 SRAM Nonvolatile Controller Unit provides all necessary functions for converting a standard CMOS SRAM into nonvolatile read/write memory.

A precision comparator monitors the 5V VCC input for an out-of-tolerance condition. When out of tolerance is detected, a conditioned chip-enable output is forced inactive to write-protect any standard CMOS SRAM.

During a power failure, the external SRAM is switched from the VCC supply to one of two 3V backup supplies. On a subsequent power-up, the SRAM is write-protected until a power-valid condition exists.

The bq2201 is footprint- and timing-compatible with industry standards with the added benefit of a chip-enable propagation delay of less than 10ns.

The CMOS bq2201 SRAM Nonvolatile Controller Unit provides all necessary functions for converting a standard CMOS SRAM into nonvolatile read/write memory.

A precision comparator monitors the 5V VCC input for an out-of-tolerance condition. When out of tolerance is detected, a conditioned chip-enable output is forced inactive to write-protect any standard CMOS SRAM.

During a power failure, the external SRAM is switched from the VCC supply to one of two 3V backup supplies. On a subsequent power-up, the SRAM is write-protected until a power-valid condition exists.

The bq2201 is footprint- and timing-compatible with industry standards with the added benefit of a chip-enable propagation delay of less than 10ns.
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート SRAM Nonvolatile Controller Unit データシート 1999年 9月 5日

設計および開発

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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