製品詳細

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 6xPWM, 3xPWM, 1xPWM Gate drive (A) 1 Vs (Min) (V) 6 Vs ABS (Max) (V) 65 Features Current Sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 6xPWM, 3xPWM, 1xPWM Gate drive (A) 1 Vs (Min) (V) 6 Vs ABS (Max) (V) 65 Features Current Sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (C) -40 to 125
WQFN (RTA) 40 36 mm² 6 x 6
  • トリプル・ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
    • 3つのハイサイドと3つのローサイドのNチャネルMOSFET(NMOS)を駆動
  • スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
    • 調整可能なスルー・レート制御
    • 10mA~1Aのピーク・ソース電流
    • 20mA~2Aのピーク・シンク電流
  • ゲート・ドライバ電源を内蔵
    • 100%のPWMデューティ・サイクルをサポート
    • ハイサイドのチャージ・ポンプ
    • ローサイドのリニア・レギュレータ
  • 6V~60Vの動作電圧範囲
  • 降圧レギュレータ内蔵(オプション)
    • LMR16006X SIMPLE SWITCHER®
    • 4~60Vの動作電圧範囲
    • 0.8~60Vで600mAの出力能力
  • トリプル電流センス・アンプ(CSA)内蔵(オプション)
    • 可変ゲイン(5、10、20、40V/V)
    • 双方向または単方向のサポート
  • SPIおよびハードウェア・インターフェイスを利用可能
  • 6x、3x、1x、および独立PWMモード
  • 1.8V、3.3V、5Vのロジック入力電圧をサポート
  • 低消費電力のスリープ・モード(12µA)
  • リニア電圧レギュレータ、3.3V、30mA
  • 小型で占有面積の小さいQFNパッケージ
  • パワー・ブロックによる効率的なシステム設計
  • 保護機能を内蔵
    • VM低電圧誤動作防止(UVLO)
    • チャージ・ポンプ低電圧(CPUV)
    • MOSFET過電流保護(OCP)
    • ゲート・ドライバ障害(GDF)
    • 熱警告およびシャットダウン(OTW/OTSD)
    • 障害状況インジケータ(nFAULT)
  • トリプル・ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
    • 3つのハイサイドと3つのローサイドのNチャネルMOSFET(NMOS)を駆動
  • スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
    • 調整可能なスルー・レート制御
    • 10mA~1Aのピーク・ソース電流
    • 20mA~2Aのピーク・シンク電流
  • ゲート・ドライバ電源を内蔵
    • 100%のPWMデューティ・サイクルをサポート
    • ハイサイドのチャージ・ポンプ
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    • 可変ゲイン(5、10、20、40V/V)
    • 双方向または単方向のサポート
  • SPIおよびハードウェア・インターフェイスを利用可能
  • 6x、3x、1x、および独立PWMモード
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    • VM低電圧誤動作防止(UVLO)
    • チャージ・ポンプ低電圧(CPUV)
    • MOSFET過電流保護(OCP)
    • ゲート・ドライバ障害(GDF)
    • 熱警告およびシャットダウン(OTW/OTSD)
    • 障害状況インジケータ(nFAULT)

DRV832xファミリのデバイスは、3相アプリケーション用の統合ゲート・ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。DRV832xは、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイドMOSFET用の、リニア・レギュレータを使用してローサイドMOSFET用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。スマート・ゲート・ドライブのアーキテクチャは、最大でソース1A、シンク2Aのピーク・ゲート駆動電流をサポートします。DRV832xは単一電源で動作し、ゲート・ドライバについて6~60V、オプションの降圧レギュレータについて4~60Vの広い入力電源電圧に対応します。

6x、3x、1x、および独立入力のPWMモードにより、コントローラの回路と簡単に接続できます。ゲート・ドライバとデバイスの構成設定は、SPIまたはハードウェア(H/W)インターフェイスにより細かく変更可能です。DRV8323およびDRV8323Rデバイスには3つのローサイド電流センス・アンプが内蔵されており、駆動段の3相すべてについて、双方向の電流センシングが可能です。DRV8320RおよびDRV8323Rデバイスには、600mAの降圧レギュレータが内蔵されています。

低消費電力のスリープ・モードがあり、内部回路のほとんどをシャットダウンして、静止電流を低減できます。低電圧誤動作防止、チャージ・ポンプ障害、MOSFET過電流、MOSFET短絡、ゲート・ドライバ障害、過熱への保護機能が内蔵されています。障害状況はnFAULTピンにより通知され、SPI版のデバイスではデバイスのレジスタにより詳細が通知されます。

DRV832xファミリのデバイスは、3相アプリケーション用の統合ゲート・ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。DRV832xは、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイドMOSFET用の、リニア・レギュレータを使用してローサイドMOSFET用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。スマート・ゲート・ドライブのアーキテクチャは、最大でソース1A、シンク2Aのピーク・ゲート駆動電流をサポートします。DRV832xは単一電源で動作し、ゲート・ドライバについて6~60V、オプションの降圧レギュレータについて4~60Vの広い入力電源電圧に対応します。

6x、3x、1x、および独立入力のPWMモードにより、コントローラの回路と簡単に接続できます。ゲート・ドライバとデバイスの構成設定は、SPIまたはハードウェア(H/W)インターフェイスにより細かく変更可能です。DRV8323およびDRV8323Rデバイスには3つのローサイド電流センス・アンプが内蔵されており、駆動段の3相すべてについて、双方向の電流センシングが可能です。DRV8320RおよびDRV8323Rデバイスには、600mAの降圧レギュレータが内蔵されています。

低消費電力のスリープ・モードがあり、内部回路のほとんどをシャットダウンして、静止電流を低減できます。低電圧誤動作防止、チャージ・ポンプ障害、MOSFET過電流、MOSFET短絡、ゲート・ドライバ障害、過熱への保護機能が内蔵されています。障害状況はnFAULTピンにより通知され、SPI版のデバイスではデバイスのレジスタにより詳細が通知されます。

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技術資料

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EVM ユーザー ガイド (英語) DRV832XXEVM Sensored Software User's Guide 2017年 2月 8日
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設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

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WQFN (RTA) 40 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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