TMUX182-SEP

プレビュー

耐放射線特性、8:1、1 チャネル マルチプレクサ、1.8V ロジック付き

製品詳細

Configuration 8:1 Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 5, 12 Power supply voltage - dual (V) +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 75 CON (typ) (pF) 13 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 1.9 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Features 1.8-V compatible control inputs, Break-before-make Input/output continuous current (max) (A) 0.01 Rating Space Supply voltage (max) (V) 15
Configuration 8:1 Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 5, 12 Power supply voltage - dual (V) +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 75 CON (typ) (pF) 13 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 1.9 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Features 1.8-V compatible control inputs, Break-before-make Input/output continuous current (max) (A) 0.01 Rating Space Supply voltage (max) (V) 15
SOT-23-THN (DYY) 16 8.4 mm² 4.2 x 2
  • 宇宙向け強化プラスチック
    • 動作温度範囲:-55℃~+125℃
    • 管理されたベースライン
    • 金 ワイヤ、NiPdAu リード仕上げ
    • 単一のアセンブリ / テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 長期にわたる製品ライフ サイクル
    • 製品のトレーサビリティ
    • モールド コンパウンドの改良による低いガス放出
  • 単電源電圧範囲:5V ~ 15V
  • デュアル電源電圧範囲: 最大 ±6V
  • 低い静電容量:3pF
  • -55℃~+125℃の動作温度範囲
  • 双方向の信号パス
  • レール ツー レール動作
  • 1.8V ロジック互換
  • ブレイク ビフォー メイクのスイッチング動作
  • ESD 保護 (HBM):2000V
  • 放射線耐性を強化
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL) 耐性:125℃で 43MeV-cm2/mg まで
    • 30krad(Si) まで ELDRS フリー
    • すべてのウェハー ロットについて、30krad(Si) までの吸収線量 (TID) RLAT
    • 30krad(Si) まで吸収線量 (TID) 特性を評価済み
    • シングル イベント過渡 (SET) 特性:43MeV-cm2/mg
  • 宇宙向け強化プラスチック
    • 動作温度範囲:-55℃~+125℃
    • 管理されたベースライン
    • 金 ワイヤ、NiPdAu リード仕上げ
    • 単一のアセンブリ / テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 長期にわたる製品ライフ サイクル
    • 製品のトレーサビリティ
    • モールド コンパウンドの改良による低いガス放出
  • 単電源電圧範囲:5V ~ 15V
  • デュアル電源電圧範囲: 最大 ±6V
  • 低い静電容量:3pF
  • -55℃~+125℃の動作温度範囲
  • 双方向の信号パス
  • レール ツー レール動作
  • 1.8V ロジック互換
  • ブレイク ビフォー メイクのスイッチング動作
  • ESD 保護 (HBM):2000V
  • 放射線耐性を強化
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL) 耐性:125℃で 43MeV-cm2/mg まで
    • 30krad(Si) まで ELDRS フリー
    • すべてのウェハー ロットについて、30krad(Si) までの吸収線量 (TID) RLAT
    • 30krad(Si) まで吸収線量 (TID) 特性を評価済み
    • シングル イベント過渡 (SET) 特性:43MeV-cm2/mg

TMUX182-SEP デバイスは、汎用の CMOS (相補型金属 酸化膜 半導体) マルチプレクサ (MUX) です。本デバイスは、単一電源 (5V ~ 15V)、デュアル電源 (最大 ±6V)、または非対称電源 (VDD = 6V、VSS = –3V など) で動作します。電源電圧範囲が広いため、宇宙分野における幅広いアプリケーションで使用できます。

TMUX182-SEP デバイスは、ソース (Sx) ピンおよびドレイン (Dx) ピンで、VSS から VDD までの範囲の双方向アナログ信号をサポートします。すべてのロジック入力のスレッショルドは 1.8V ロジック互換で、有効な電源電圧で動作していれば、TTL と CMOS の両方のロジックと互換性があります。

TMUX182-SEP デバイスは、汎用の CMOS (相補型金属 酸化膜 半導体) マルチプレクサ (MUX) です。本デバイスは、単一電源 (5V ~ 15V)、デュアル電源 (最大 ±6V)、または非対称電源 (VDD = 6V、VSS = –3V など) で動作します。電源電圧範囲が広いため、宇宙分野における幅広いアプリケーションで使用できます。

TMUX182-SEP デバイスは、ソース (Sx) ピンおよびドレイン (Dx) ピンで、VSS から VDD までの範囲の双方向アナログ信号をサポートします。すべてのロジック入力のスレッショルドは 1.8V ロジック互換で、有効な電源電圧で動作していれば、TTL と CMOS の両方のロジックと互換性があります。

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技術資料

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* データシート TMUX182-SEP 耐放射線特性、15V、8:1、1 チャネル マルチプレクサ、1.8V ロジック対応 データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 12月 15日

設計および開発

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評価ボード

16DYYPWEVM — SOT-23 THIN (DYY) および TSSOP (PW) パッケージ用テストボード

16DYYPWEVM テスト ボードは、SOT-23 THIN (DYY) と TSSOP (PW) 両方のパッケージに対応する、2 つのフットプリントを確保しています。  このテスト ボードは、16 ピンの SOT-23 THIN (DYY) と TSSOP (PW) の各パッケージに封止した IC の迅速なプロトタイプ製作とテストに使用できます。 
ユーザー ガイド: PDF
評価ボード

TMUXBQB-DYYEVM — 16 ピン BQB、DYY、PW パッケージ向け、汎用 TMUX の評価基板

TMUXBQB-DYYEVM を使用すると、16 ピン TSSOP (PW)、WQFN (BQB)、SOT-23 THIN (DYY) の各パッケージを使用する、TI の TMUX 製品ラインアップのプロトタイプ製作と DC 特性評価を迅速に実施できます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOT-23-THN (DYY) 16 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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