パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (DWK) | 14 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 40 | TUBE |
UCC21530-Q1 の特徴
- 次の測定結果により AEC-Q100 認定済み：
- デバイス温度グレード 1
- デバイス HBM ESD 分類レベル H2
- デバイス CDM ESD 分類レベル C6
- 機能安全品質管理
- 汎用：デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ
- 幅広の SOIC-14 (DWK) パッケージ
- ドライバ・チャネルの間隔 3.3mm
- スイッチング・パラメータ：
- 19ns (標準値) の伝搬遅延
- 最小パルス幅：10ns
- 最大遅延マッチング：5ns
- 最大パルス幅歪み：6ns
- 100V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI)
- 絶縁バリアの寿命：40 年超
- ピーク・ソース 4A、ピーク・シンク 6A の出力
- TTL および CMOS 互換の入力
- 3V～18V の入力 VCCI 範囲
- 最大 25V の VDD 出力駆動電源
- 8V および 12V の VDD UVLO オプション
- オーバーラップおよびデッドタイムをプログラミング可能
- 5ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
- 動作温度範囲: -40℃～+125℃
- 安全関連認証：
- DIN V VDE V 0884-11:2017-01 に準拠した絶縁耐圧：8000VPK
- UL 1577 に準拠した絶縁耐圧：5.7kVRMS (1 分間)
- IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 最終製品規格による CSA 認証
- GB4943.1-2011 による CQC 認証
UCC21530-Q1 に関する概要
UCC21530 -Q1 は絶縁されたデュアル・チャネルのゲート・ドライバで、ピーク電流はソース 4A、シンク 6A です。IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET を最高 5MHz で駆動し、クラス最高の伝搬遅延とパルス幅歪みを実現するよう設計されています。
入力側は 5.7kVRMS の強化絶縁バリアによって 2 つの出力ドライバと分離され、同相過渡耐性 (CMTI) は最小で 100V/ns です。2 つの 2 次側ドライバ間は、内部的に機能絶縁されているため、1850V までの電圧で動作します。
このドライバは 2 つのローサイド・ドライバ、2 つのハイサイド・ドライバ、またはデッド・タイム (DT) をプログラム可能な 1 つのハーフブリッジ・ドライバとして構成可能です。EN ピンが Low にプルされると、両方の出力が同時にシャットダウンされ、オープンまたは High にプルされているときは通常動作します。フェイルセーフ手法として、1 次側のロジック障害が発生すると、両方の出力が強制的に Low になります。
このデバイスは、25V までの VDD 電源電圧を受け付けます。VCCI 入力電圧範囲が 3V～18V と広いため、このドライバはアナログ / デジタルいずれのコントローラとの接続にも適しています。すべての電源電圧ピンには、低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護機能が搭載されています。