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CSD75207W15

활성

-20V, P채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 듀얼 공통 소스 WLP 1.5mm x 1.5mm, 27mΩ, 게이트 ESD 보호

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CSD75207W15

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제품 상세 정보

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² (— mm × — mm)
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.
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* 데이터 시트 CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2014. 6. 12
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025. 10. 31
애플리케이션 노트 MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025. 10. 27
애플리케이션 노트 Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs PDF | HTML 2024. 11. 6
애플리케이션 노트 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024. 3. 25
애플리케이션 노트 Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023. 12. 18
애플리케이션 노트 Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023. 12. 14
애플리케이션 노트 Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023. 3. 13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022. 5. 31
애플리케이션 노트 AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019. 6. 14

설계 및 개발

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레퍼런스 디자인

TIDA-00100 — Bluetooth 저에너지(BLE) 비컨 서브시스템용 실내 에너지 수집 레퍼런스 디자인

The Indoor Light Energy Harvesting Reference Design for Bluetooth Low Energy (BLE) Beacon Subsystem provides a solution where by with just the power of the typical indoor lighting in a retail environment (greater than 250 LUX) the Bluetooth Low Energy chip can broadcast BLE beacons.

This subsystem (...)

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
DSBGA (YZF) 9 Ultra Librarian
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