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CSD75207W15

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-20V, P채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 듀얼 공통 소스 WLP 1.5mm x 1.5mm, 27mΩ, 게이트 ESD 보호

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CSD75207W15

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제품 상세 정보

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² 1.75 x 1.75
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.
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기술 문서

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* Data sheet CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2014/06/12
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. D) PDF | HTML 2024/04/09
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024/03/25
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023/12/14
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/03/13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
More literature WCSP Handling Guide 2019/11/07
Application note AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019/06/14

설계 및 개발

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레퍼런스 디자인

TIDA-00100 — Bluetooth 저에너지(BLE) 비컨 서브시스템용 실내 에너지 수집 레퍼런스 디자인

The Indoor Light Energy Harvesting Reference Design for Bluetooth Low Energy (BLE) Beacon Subsystem provides a solution where by with just the power of the typical indoor lighting in a retail environment (greater than 250 LUX) the Bluetooth Low Energy chip can broadcast BLE beacons.

This subsystem (...)

Design guide: PDF
회로도: PDF
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DSBGA (YZF) 9 옵션 보기
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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