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ISOS510-SEP

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Radiation-tolerant, transistor-output opto-emulator with analog behavior

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제품 상세 정보

Rating Space Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 100 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 155 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 30 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Turnon time (enable) (µs) 3.5, 5.7 Turnoff time (disable) (µs) 3.6, 8, 10 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
Rating Space Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 100 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 155 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 30 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Turnon time (enable) (µs) 3.5, 5.7 Turnoff time (disable) (µs) 3.6, 8, 10 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
SOIC (DFG) 4 24.57 mm² (3.51 mm × 7 mm)
  • Radiation Performance
    • Total Ionizing Dose (TID) Characterized (ELDRS-Free) up to 50krad(Si)
    • TID RLAT up to 30krad(Si)
    • Single-Event Latch-up (SEL) Immune to LET up to 43MeV-cm2/mg at 125℃
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized LET up to 43MeV-cm2/mg
  • Space Enhanced Plastic (Space EP)
    • Meets NASA ASTM E595 Outgassing Spec
    • Military Temp Range (-55℃ to 125℃)
  • 1-channel diode input
  • Current transfer ratio (CTR) at IF = 5mA, VCE = 5V: 100% to 155%
  • High collector-emitter voltage: VCE (max) = 30V
  • Robust SiO2 isolation barrier
    • Isolation rating: 3750VRMS
    • Working voltage: 500VRMS, 707VPK
    • Surge capability: up to 10kV
  • Response time: 3µs (typical) at VCE = 10V, IC = 2mA, RL = 100Ω
  • Small 4-pin package (DFG)
  • Safety-related certifications:
    • UL 1577 recognition
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) conformity per VDE
  • Radiation Performance
    • Total Ionizing Dose (TID) Characterized (ELDRS-Free) up to 50krad(Si)
    • TID RLAT up to 30krad(Si)
    • Single-Event Latch-up (SEL) Immune to LET up to 43MeV-cm2/mg at 125℃
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized LET up to 43MeV-cm2/mg
  • Space Enhanced Plastic (Space EP)
    • Meets NASA ASTM E595 Outgassing Spec
    • Military Temp Range (-55℃ to 125℃)
  • 1-channel diode input
  • Current transfer ratio (CTR) at IF = 5mA, VCE = 5V: 100% to 155%
  • High collector-emitter voltage: VCE (max) = 30V
  • Robust SiO2 isolation barrier
    • Isolation rating: 3750VRMS
    • Working voltage: 500VRMS, 707VPK
    • Surge capability: up to 10kV
  • Response time: 3µs (typical) at VCE = 10V, IC = 2mA, RL = 100Ω
  • Small 4-pin package (DFG)
  • Safety-related certifications:
    • UL 1577 recognition
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) conformity per VDE

The ISOS510 radiation-tolerant device is a single-channel, current-driven, analog isolator with transistor output. The device offers significant reliability and performance advantages compared to other current-driven analog isolators, including high bandwidth, low turn-off delay, low power consumption, wider temperature ranges, flat current transfer ratio (CTR), and tight process controls resulting in small part-to-part skew. These performance advantages stay stable across radiation, temperature, and lifetime.

ISOS510 is offered in small a SOIC-4 package with 2.54mm pin pitch, supporting a 3.75kVRMS isolation rating . The high performance and reliability of ISOS510 enables these devices to be used in aerospace & defense applications such as feedback loops in isolated DC/DC modules, satellite propulsion power processing units, spacecraft battery management systems, and more.

The ISOS510 radiation-tolerant device is a single-channel, current-driven, analog isolator with transistor output. The device offers significant reliability and performance advantages compared to other current-driven analog isolators, including high bandwidth, low turn-off delay, low power consumption, wider temperature ranges, flat current transfer ratio (CTR), and tight process controls resulting in small part-to-part skew. These performance advantages stay stable across radiation, temperature, and lifetime.

ISOS510 is offered in small a SOIC-4 package with 2.54mm pin pitch, supporting a 3.75kVRMS isolation rating . The high performance and reliability of ISOS510 enables these devices to be used in aerospace & defense applications such as feedback loops in isolated DC/DC modules, satellite propulsion power processing units, spacecraft battery management systems, and more.
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상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 ISOS510-SEP Radiation Tolerant , Current-Driven Analog Isolator With Transistor Output datasheet PDF | HTML 2025. 8. 1
* 방사능 및 안정성 보고서 ISOS510-SEP Single Event Effects Report PDF | HTML 2026. 1. 16
* 방사능 및 안정성 보고서 ISOS510-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report 2026. 1. 16

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

ISOM-EVM — 범용 옵토 에뮬레이터 평가 모듈

ISOM-EVM은 5핀 DFF, 4핀 DFG, 4핀 DFH 및 4핀 DFS SOIC 패키지의 TI 옵토 에뮬레이터의 평가를 지원합니다. EVM(평가 모듈)은 EVM 구성 및 구성 요소 값을 변경하여 여러 옵토 에뮬레이터, 다른 입력 신호 또는 기타 애플리케이션의 평가를 위해 재구성할 수 있습니다. EVM에는 보드에 옵토 에뮬레이터 IC가 장착되어 있어 사용자가 원하는 호환 IC를 장착할 수 있습니다. 사용자는 보드를 3개의 별도 유닛으로 분할하여 인쇄 회 로 기판을 개별적으로 테스트할 수 있습니다.
사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (DFG) 4 Ultra Librarian
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주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

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