SN74ALVC00-EP
- Controlled Baseline
- One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
- Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support
- Enhanced Product-Change Notification
- Qualification Pedigree
- ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015;
Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) - Operates From 1.65 V to 3.6 V
- Max tpd of 3 ns at 3.3 V
- ±24-mA Output Drive at 3.3 V
- Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17
Component qualification in accordance with JEDEC and industry standards to ensure reliable operation over an extended temperature range. This includes, but is not limited to, Highly Accelerated Stress Test (HAST) or biased 85/85, temperature cycle, autoclave or unbiased HAST, electromigration, bond intermetallic life, and mold compound life. Such qualification testing should not be viewed as justifying use of this component beyond specified performance and environmental limits.
The SN74ALVC00 quadruple 2-input positive-NAND gate is designed for 1.65-V to 3.6-V VCC operation.
The device performs the Boolean function Y = (A B)\ or Y = A\ + B\ in positive logic.
기술 자료
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19개 모두 보기 설계 및 개발
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패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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SOIC (D) | 14 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치