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TXS0108E-Q1

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오픈 드레인 및 푸시-풀 애플리케이션을 위한 오토모티브 8비트 양방향 전압 레벨 시프터

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TXS0108E-Q1

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제품 상세 정보

Bits (#) 8 Data rate (max) (Mbps) 110 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.4 Vin (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 Applications GPIO, I2C, JTAG, MDIO, SDIO, SMBus, SPI, UART Features Edge rate accelerator, Output enable Prop delay (ns) 4.8 Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.008 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Bits (#) 8 Data rate (max) (Mbps) 110 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.4 Vin (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 Applications GPIO, I2C, JTAG, MDIO, SDIO, SMBus, SPI, UART Features Edge rate accelerator, Output enable Prop delay (ns) 4.8 Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.008 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
TSSOP (PW) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4 VQFN (RKS) 20 11.25 mm² 4.5 x 2.5 VSSOP (DGS) 20 24.99 mm² 5.1 x 4.9
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications:
    • Device temperature grade 1: –40°C to 125°C

    • Device HBM ESD classification level 2

    • Device CDM ESD classification level C6

  • No direction-control signal needed
  • Maximum data rates:
    • 110Mbps (push pull)
    • 1.2Mbps (open drain)
  • 1.4V to 3.6V on A port and 1.65V to 5.5V on B port (VCCA ≤ VCCB)
  • No power-supply sequencing required – either VCCA or VCCB can be ramped first
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22 (A port):
    • 2000V Human Body Model (A114-B)
    • 150V Machine Model (A115-A)
    • 1000V Charged-Device Model (C101)
  • IEC 61000-4-2 ESD (B-port):
    • ± 8kV Contact Discharge
    • ± 6kV Air Discharge
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications:
    • Device temperature grade 1: –40°C to 125°C

    • Device HBM ESD classification level 2

    • Device CDM ESD classification level C6

  • No direction-control signal needed
  • Maximum data rates:
    • 110Mbps (push pull)
    • 1.2Mbps (open drain)
  • 1.4V to 3.6V on A port and 1.65V to 5.5V on B port (VCCA ≤ VCCB)
  • No power-supply sequencing required – either VCCA or VCCB can be ramped first
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22 (A port):
    • 2000V Human Body Model (A114-B)
    • 150V Machine Model (A115-A)
    • 1000V Charged-Device Model (C101)
  • IEC 61000-4-2 ESD (B-port):
    • ± 8kV Contact Discharge
    • ± 6kV Air Discharge

This device is an 8-bit non-inverting level translator which uses two separate configurable power-supply rails. The A port tracks the VCCA pin supply voltage. The VCCA pin accepts any supply voltage between 1.4V and 3.6V. The B port tracks the VCCB pin supply voltage. The VCCB pin accepts any supply voltage between 1.65V and 5.5V. Two input supply pins allows for low Voltage bidirectional translation between any of the 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V voltage nodes.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance (Hi-Z) state.

To put the device in the Hi-Z state during power-up or power-down periods, tie OE to GND through a pull-down resistor. The current-sourcing capability of the driver determines the minimum value of the resistor.

This device is an 8-bit non-inverting level translator which uses two separate configurable power-supply rails. The A port tracks the VCCA pin supply voltage. The VCCA pin accepts any supply voltage between 1.4V and 3.6V. The B port tracks the VCCB pin supply voltage. The VCCB pin accepts any supply voltage between 1.65V and 5.5V. Two input supply pins allows for low Voltage bidirectional translation between any of the 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V voltage nodes.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance (Hi-Z) state.

To put the device in the Hi-Z state during power-up or power-down periods, tie OE to GND through a pull-down resistor. The current-sourcing capability of the driver determines the minimum value of the resistor.
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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet TXS0108E-Q1 Automotive 8-Bit Bi-directional, Level-Shifting, Voltage Translator for Open-Drain and Push-Pull Applications datasheet (Rev. G) PDF | HTML 2024/12/02
Application note Schematic Checklist - A Guide to Designing with Auto-Bidirectional Translators PDF | HTML 2024/07/12
Application note Understanding Transient Drive Strength vs. DC Drive Strength in Level-Shifters (Rev. A) PDF | HTML 2024/07/03
Application brief Integrated vs. Discrete Open Drain Level Translation PDF | HTML 2024/01/09
Application note Leveraging Edge Rate Accelerators with Auto-Sensing Level Shifters PDF | HTML 2023/09/29
Application note Do’s and Don’ts for TXB and TXS Voltage Level-Shifters with Edge Rate Accelerato PDF | HTML 2023/06/28
Selection guide Voltage Translation Buying Guide (Rev. A) 2021/04/15

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

14-24-LOGIC-EVM — 14핀~24핀 D, DB, DGV, DW, DYY, NS 및 PW 패키지용 로직 제품 일반 평가 모듈

14-24-LOGIC-EVM 평가 모듈(EVM)은 14핀~24핀 D, DW, DB, NS, PW, DYY 또는 DGV 패키지에 있는 모든 로직 장치를 지원하도록 설계되었습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

14-24-NL-LOGIC-EVM — 14핀~24핀 비 리드 패키지용 로직 제품 일반 평가 모듈

14-24-NL-LOGIC-EVM은 14핀~24핀 BQA, BQB, RGY, RSV, RJW 또는 RHL 패키지가 있는 로직 또는 변환 장치를 지원하도록 설계된 유연한 평가 모듈(EVM)입니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

TXS-EVM — 싱글, 듀얼, 쿼드 및 옥탈 채널 장치용 변환기 제품군 평가 모듈

TXS-EVM은 단일, 듀얼, 쿼드 및 옥탈 채널 TXS 장치를 지원하도록 설계되었습니다. TXS 장치는 1.2V~5.5V 사이의 작동 전압을 가진 자동 양방향 전압 레벨 변환 제품군에 속하며, 여러 섹터에 걸쳐 다양한 일반 전압 레벨 변환 애플리케이션을 지원하도록 설계되었습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

TXS0108E IBIS Model (Rev. A)

SCEM547A.ZIP (167 KB) - IBIS Model
다운로드
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
TSSOP (PW) 20 Ultra Librarian
VQFN (RKS) 20 Ultra Librarian
VSSOP (DGS) 20 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

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포럼 주제 모두 보기(영문)

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