전력 관리 게이트 드라이버 저압측 드라이버

UCC27624V

활성

30V VDD, 5A/5A dual-channel low-side driver with 8V UVLO and low propagation delay

제품 상세 정보

Number of channels 2 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 10 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Dual, Non-Inverting Input negative voltage (V) -10 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Driver configuration Dual, Non-Inverting
Number of channels 2 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 10 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Dual, Non-Inverting Input negative voltage (V) -10 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Driver configuration Dual, Non-Inverting
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Typical 5A peak source and sink drive current for each channel
  • Input and enable pins capable of handling –10V
  • Output capable of handling –2V transients
  • Absolute maximum VDD voltage: 30V
  • Wide VDD operating range from 9.5V to 26V with UVLO
  • Two independent gate drive channels
  • Independent enable function for each output
  • Hysteretic-logic thresholds for high noise immunity
  • VDD independent input thresholds (TTL compatible)
  • Fast propagation delays (17ns typical)
  • Fast rise and fall times (6ns and 10ns typical)
  • 1ns typical delay matching between the two channels
  • Two channels can be paralleled for higher drive current
  • SOIC8 and VSSOP8 PowerPAD™ package options
  • Operating junction temperature range of –40°C to 150°C
  • Typical 5A peak source and sink drive current for each channel
  • Input and enable pins capable of handling –10V
  • Output capable of handling –2V transients
  • Absolute maximum VDD voltage: 30V
  • Wide VDD operating range from 9.5V to 26V with UVLO
  • Two independent gate drive channels
  • Independent enable function for each output
  • Hysteretic-logic thresholds for high noise immunity
  • VDD independent input thresholds (TTL compatible)
  • Fast propagation delays (17ns typical)
  • Fast rise and fall times (6ns and 10ns typical)
  • 1ns typical delay matching between the two channels
  • Two channels can be paralleled for higher drive current
  • SOIC8 and VSSOP8 PowerPAD™ package options
  • Operating junction temperature range of –40°C to 150°C

The UCC27624V is a dual-channel, high-speed, low-side gate driver that effectively drives MOSFET, IGBT and SiC power switches. UCC27624V has a typical peak drive strength of 5A, which reduces rise and fall times of the power switches, lowers switching losses, and increases efficiency. The device’s fast propagation delay (17ns typical) yields better power stage efficiency by improving the deadtime optimization, pulse width utilization, control loop response, and transient performance of the system.

UCC27624V can handle –10V at its inputs, which improves robustness in systems with moderate ground bouncing. The inputs are independent of supply voltage and can be connected to most controller outputs for maximum control flexibility. An independent enable signal allows the power stage to be controlled independently of main control logic. In the event of a system fault, the gate driver can quickly shut-off by pulling enable low. Many high-frequency switching power supplies exhibit noise at the gate of the power device, which can get injected into the output pin on the gate driver and can cause the driver to malfunction. The device’s transient reverse current and reverse voltage capability allow it to tolerate noise on the gate of the power device or pulse-transformer and avoid driver malfunction.

The UCC27624V also features undervoltage lockout (UVLO) for improved system robustness. When there is not enough bias voltage to fully enhance the power device, the gate driver output is held low by the strong internal pull down MOSFET.

The UCC27624V is a dual-channel, high-speed, low-side gate driver that effectively drives MOSFET, IGBT and SiC power switches. UCC27624V has a typical peak drive strength of 5A, which reduces rise and fall times of the power switches, lowers switching losses, and increases efficiency. The device’s fast propagation delay (17ns typical) yields better power stage efficiency by improving the deadtime optimization, pulse width utilization, control loop response, and transient performance of the system.

UCC27624V can handle –10V at its inputs, which improves robustness in systems with moderate ground bouncing. The inputs are independent of supply voltage and can be connected to most controller outputs for maximum control flexibility. An independent enable signal allows the power stage to be controlled independently of main control logic. In the event of a system fault, the gate driver can quickly shut-off by pulling enable low. Many high-frequency switching power supplies exhibit noise at the gate of the power device, which can get injected into the output pin on the gate driver and can cause the driver to malfunction. The device’s transient reverse current and reverse voltage capability allow it to tolerate noise on the gate of the power device or pulse-transformer and avoid driver malfunction.

The UCC27624V also features undervoltage lockout (UVLO) for improved system robustness. When there is not enough bias voltage to fully enhance the power device, the gate driver output is held low by the strong internal pull down MOSFET.

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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet UCC27624V 30V, 5A, Dual-Channel, 8V-UVLO, Low-Side Gate Driver with –10V Input Capability datasheet PDF | HTML 2025/03/25
Product overview UCC27624: Enabling Higher Efficiency in a Smaller Package PDF | HTML 2025/03/27
Application note Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs PDF | HTML 2024/01/22
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020/02/28

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC57142EVM — UCC57142 평가 모듈

UCC57142EVM은 주로 UCC57142 기능을 평가할 수 있도록 설계되었습니다. 드라이버의 성능은 TO-220 풋프린트를 지원하는 정전식 부하 또는 전원 장치에 대해 평가할 수 있습니다. UCC57142EVM 평가 보드를 사용하면 표면 실장 테스트 지점을 통해 IN, EN/FLT, OCP, OUT 등의 다양한 테스트 지점에 연결할 수 있습니다. UCC57142EVM은 점퍼를 통해 다양한 UCC57142 변형 모델을 지원할 수 있습니다. UCC57142EVM의 보드를 수정하면 DBV 패키지의 다른 게이트 드라이버와도 호환됩니다.
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

UCC27624V PSpice Model

SLUM963.ZIP (22 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 착수하기 (...)
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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지원 및 교육

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