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CSD23203W

現行

-8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1.5 mm、19.4 mOhm、閘極 ESD 保護

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產品規格表

CSD23203W

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產品詳細資料

VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19.4 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 26.5 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 4.9 QGD (typ) (nC) 0.6 QGS (typ) (nC) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19.4 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 26.5 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 4.9 QGD (typ) (nC) 0.6 QGS (typ) (nC) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² (— mm × — mm)
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low RDS(on)
  • Small Footprint
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Lead Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • CSP 1-mm × 1.5-mm Wafer Level Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low RDS(on)
  • Small Footprint
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Lead Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • CSP 1-mm × 1.5-mm Wafer Level Package

This 16.2-mΩ, –8-V, P-Channel device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small 1 × 1.5 mm outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

This 16.2-mΩ, –8-V, P-Channel device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small 1 × 1.5 mm outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
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SLPM143C.ZIP (4 KB) - PSpice 模型
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封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian
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