CSD25501F3
- Low on-resistance
- Ultra-low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint
- 0.7mm × 0.6mm
- Low profile
- 0.22mm max height
- Integrated ESD protection diode
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This –20V, 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode increases as VGS is increased above –6V.
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| 重要文件 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 下載最新的英文版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 資料表 | CSD25501F3 –20V P-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. C) | PDF | HTML | 2024/6/24 | ||
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| 設計指南 | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016/7/7 |
設計與開發
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支援軟體
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
快速取捨尺寸、成本和性能，以根據應用條件選擇最佳 MOSFET。
參考設計
TIDA-010070 — 適用於低電壓伺服驅動的受保護 DC 匯流排輸入電源和控制電源供應參考設計
此參考設計採用 ORing 控制器 LM5050-1，提供反極性與反向電流保護。搭配 LM5069 熱插拔控制器，可實現過電流、過電壓、欠電壓保護及突波電流限制。此設計亦提供控制電子元件的電源軌，包括閘極驅動器、編碼器及 MCU 電路。
| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJN) | 3 | Ultra Librarian |
訂購與品質
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