LMGXX-GAN-LLC-CALC

Productos

Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

LMG2100R026 — Etapa de potencia de nitruro de galio (GaN) de medio puente de 100 V y 2.6 mΩ LMG2100R044 — Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de medio puente de 100 V y 4.4 mΩ con controlador y prote LMG2610 — Semipuente de GaN de 650 V 170/248 mΩ para ACF con controlador, protección y detección de corriente LMG2640 — Medio puente de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 105 mΩ con controlador, protección y detección de LMG2650 — Medio puente de GaN de 650 V y 95 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrados LMG2652 — Medio puente de GaN de 650 V y 140 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrado LMG2656 — Medio puente de GaN de 650 V y 230 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrado LMG3410R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 — GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3422R050 — GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3425R030 — GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3425R050 — GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3426R030 — Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con conductor inte LMG3426R050 — Transistor FET de GaN de 600 V y 50 mΩ con conductor integrado, protección y detección de tensión LMG3427R030 — Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con controlador, prot LMG3427R050 — FET de GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección y detección de corriente cero integrados LMG3522R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 — GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3522R050 — FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3526R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero LMG3526R050 — FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección y notificación ante detección d LMG3527R030 — Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 30 mΩ con controlador, prot LMG5200 — Etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V