The LMG342xR050 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG342xR050 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3426R050 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.The LMG3427R050 includes the zero-current detection (ZCD) feature which provides a pulse output from the ZCD pin when a positive drain-to-source current is detected .
Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.
Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.
El LMG342X-BB-EVM es una placa de conexión fácil de usar para configurar cualquier placa de medio puente LMG342xR0x0, como la LMG3422EVM-043, como convertidor buck síncrono. Al proporcionar una etapa de potencia, potencia de polarización y circuito lógico, este módulo de evaluación (EVM) permite (...)
Este diseño de referencia es un inductor-inductor-condensador (LLC) de medio puente intercalado, bifásico y de 3 kW que utiliza los dispositivos LMG3422 y F280039C. Este diseño puede alcanzar una eficiencia pico del 98.1 % y una densidad de potencia de 313 W/in³, y se puede utilizar como la etapa (...)
Este diseño de referencia demuestra un método de control de histéresis híbrido (HHC), un método de control de modo actual en una etapa LLC de medio puente con un microcontrolador C2000™ F28004x. El hardware se basa en TIDA-010062, que es un diseño de referencia LLC de medio puente y titanio 80-Plus (...)
| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
|---|---|---|
| VQFN (RQZ) | 54 | Ultra Librarian |
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.
Si tiene alguna pregunta sobre calidad, encapsulados o pedido de productos de TI, consulte el servicio de asistencia de TI.