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Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
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LMG2656

ACTIVO

Medio puente de GaN de 650 V y 230 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrado

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LMG2656

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Detalles del producto

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 230 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 230 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RFB) 19 48 mm² 8 x 6
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 230mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with <100ns low propagation delays
  • Programmable turn-on slew rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side referenced (INH) and high-side referenced (GDH) high-side gate drive pins
  • Low-side (INL) / high-side (INH) gate-drive interlock
  • High-side (INH) gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up: <8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 70µA
  • 8mm × 6mm QFN package with dual thermal pads
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 230mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with <100ns low propagation delays
  • Programmable turn-on slew rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side referenced (INH) and high-side referenced (GDH) high-side gate drive pins
  • Low-side (INL) / high-side (INH) gate-drive interlock
  • High-side (INH) gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up: <8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 70µA
  • 8mm × 6mm QFN package with dual thermal pads

The LMG2656 is a 650V 230mΩ GaN power-FET half bridge. The LMG2656 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap FET, and high-side gate-drive level shifter in a 6mm by 8mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to PCB power ground.

The high-side GaN power FET can be controlled with either the low-side referenced gate-drive pin (INH) or the high-side referenced gate-drive pin (GDH). The high-side gate-drive signal level shifter reliably transmits the INH pin signal to the high-side gate driver in challenging power switching environments. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2656 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down. Ultra low slew rate setting supports motor drive applications.

The LMG2656 is a 650V 230mΩ GaN power-FET half bridge. The LMG2656 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap FET, and high-side gate-drive level shifter in a 6mm by 8mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to PCB power ground.

The high-side GaN power FET can be controlled with either the low-side referenced gate-drive pin (INH) or the high-side referenced gate-drive pin (GDH). The high-side gate-drive signal level shifter reliably transmits the INH pin signal to the high-side gate driver in challenging power switching environments. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2656 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down. Ultra low slew rate setting supports motor drive applications.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet LMG2656 650V 230 mΩ GaN Half Bridge With Integrated Driver and Current Sense Emulation datasheet PDF | HTML 27 jun 2025

Diseño y desarrollo

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Guía del usuario: PDF | HTML
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Modelo de simulación

LMG2656 SIMPLIS Model

SNOM812.ZIP (28 KB) - SIMPLIS Model
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Herramienta de cálculo

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
Productos y hardware compatibles

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Productos
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VQFN (RFB) 19 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

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