Gallium nitride (GaN) power stages
Maximieren Sie Leistungsdichte und Effizienz mit unserem Sortiment an GaN-Leistungsbausteinen für jeden Leistungspegel
Neue Produkte
GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 7.94
100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.75
GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 11.844
Zwei 1,7-mΩ-GaN-FETs (100 V) mit integriertem Treiber
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.9
650-V 120 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.25
650-V 270 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.2
Vorteile der GaN-Technologie von TI
Schnellere Schaltgeschwindigkeit als diskrete GaN-FETs
Unsere GaN-FETs mit integrierten Treibern können Schaltgeschwindigkeiten von 150 V/ns erreichen. Diese Schaltgeschwindigkeit, kombiniert mit einem induktivitätsarmen Gehäuse, verringert Verluste, ermöglicht ein sauberes Schalten und minimiert Überschwingen.
Kleinere Magneten, höhere Leistungsdichte
Unsere GaN-Bausteine ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten und können Sie dadurch dabei unterstützen, Schaltfrequenzen von über 500 kHz zu erreichen. Dies führt zu bis zu 60 % geringerem Magnetismus, verbesserter Leistung und niedrigeren Systemkosten.
Auf Zuverlässigkeit ausgelegt
Unsere GaN-Bausteine sind darauf ausgelegt, Hochspannungssysteme dank eines proprietären GaN-auf-Si-Prozesses, mehr als 40 Millionen Stunden an Zuverlässigkeitstests und diverser Schutzfunktionen sicher zu halten.
Dedizierte Designtools und Ressourcen
Verkürzen Sie Ihre Markteinführungszeiten mit unseren GaN-Design-Ressourcen, einschließlich Verlustleistungsrechnern, PLECS-Modellen für die Schaltkreissimulation und Evaluierungsplatinen für Tests und den Betrieb in größeren Systemen.
Gründe für GaN
Die GaN-Technologie
GaN bietet eine höhere Leistungsdichte, einen zuverlässigeren Betrieb und eine verbesserte Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen Lösungen auf Silizium-Basis. Besuchen Sie unsere Technologie-Seite, um mehr über GaN als Leistungstransistor-Technologie zu erfahren, vorgestellte GaN-Anwendungen zu entdecken, von unseren Kunden zu hören und selbst zu sehen, wie unsere GaN-Produkte Sie dabei unterstützen können, das Gewicht, die Größe und die Kosten Ihres nächsten Stromversorgungsdesigns zu minimieren.
Tools und Ressourcen, die Sie bei Ihrem Design unterstützen
Wir bieten Ihnen zahlreiche Ressourcen, die Sie bei Ihrem Design unterstützen und Ihnen dabei helfen, den richtigen Baustein für Ihre Anwendung auszuwählen. Unsere Tools zur Berechnung der Verlustleistung können Sie bei der Produktauswahl unterstützen, indem sie die Verlustleistung ausgewählter Bausteine bei benutzerdefinierten Parametern anzeigen. Mit unseren PLECS-Modellen können Sie den Betrieb von GaN-Bausteinen simulieren, um die FET-Sperrschichttemperatur abzuschätzen und eine einstellbare Anstiegsrate beim Einschalten zu ermöglichen. Unsere Halbbrücken-Evaluierungs-Tochterkarten sind auch für Tests und den Betrieb in größeren Systemen erhältlich.
Technische Ressourcen
Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
Third quadrant operation of GaN
Design- & Entwicklungsressourcen
Bidirektionaler dreiphasiger 11-kV-ANPC basierend auf einem GaN-Referenzdesign
Dieses Referenzdesign stellt eine Designvorlage für die Implementierung einer dreistufigen, dreiphasigen, auf Galliumnitrid (GaN) basierenden ANPC-Inverter-Leistungsstufe bereit. Die Verwendung von schnell schaltenden Leistungsbausteinen ermöglicht das Schalten mit einer höheren Frequenz von (...)