JAJSQN0 june   2023 CDCE6214Q1TM

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 概要 (続き)
  7. 6 デバイスの比較
  8. 7 ピン構成および機能
  9. 8 仕様
    1. 8.1  絶対最大定格
    2. 8.2  ESD 定格
    3. 8.3  推奨動作条件
    4. 8.4  熱に関する情報
    5. 8.5  EEPROM の特性
    6. 8.6  リファレンス入力、シングルエンド特性
    7. 8.7  リファレンス入力、差動特性
    8. 8.8  リファレンス入力、水晶振動子モードの特性
    9. 8.9  汎用入力特性
    10. 8.10 トリプル・レベル入力特性
    11. 8.11 ロジック出力特性
    12. 8.12 フェーズ・ロック・ループ特性
    13. 8.13 閉ループ出力ジッタの特性
    14. 8.14 入力および出力絶縁
    15. 8.15 バッファ・モードの特性
    16. 8.16 PCIe スペクトラム拡散ジェネレータ
    17. 8.17 LVCMOS 出力特性
    18. 8.18 LP-HCSL 出力特性
    19. 8.19 LVDS 出力特性
    20. 8.20 出力同期特性
    21. 8.21 パワーオン・リセット特性
    22. 8.22 I2C 互換シリアル・インターフェイスの特性
    23. 8.23 タイミング要件、I2C 互換シリアル・インターフェイス
    24. 8.24 電源特性
    25. 8.25 代表的特性
  10. 9 パラメータ測定情報
    1. 9.1 リファレンス入力
    2. 9.2 出力
    3. 9.3 シリアル・インターフェイス
    4. 9.4 PSNR テスト
    5. 9.5 クロックのインターフェイスと終端
      1. 9.5.1 リファレンス入力
      2. 9.5.2 出力
  11. 10詳細説明
    1. 10.1 概要
    2. 10.2 機能ブロック図
    3. 10.3 機能説明
      1. 10.3.1 リファレンス・ブロック
        1. 10.3.1.1 ゼロ遅延モード、内部パスおよび外部パス
      2. 10.3.2 フェーズ・ロック・ループ (PLL)
        1. 10.3.2.1 PLL 構成および分周器の設定
        2. 10.3.2.2 スペクトラム拡散クロック
        3. 10.3.2.3 デジタル制御発振器と周波数インクリメントまたはデクリメント - シリアル・インターフェイス・モードと GPIO モード
      3. 10.3.3 クロック分配
        1. 10.3.3.1 グリッチレス動作
        2. 10.3.3.2 分周器の同期
        3. 10.3.3.3 グローバルおよび個別の出力イネーブル
      4. 10.3.4 電源とパワー・マネージメント
      5. 10.3.5 コントロールピン
    4. 10.4 デバイスの機能モード
      1. 10.4.1 動作モード
        1. 10.4.1.1 フォールバック・モード
        2. 10.4.1.2 ピン・モード
        3. 10.4.1.3 シリアル・インターフェイス・モード
    5. 10.5 プログラミング
      1. 10.5.1 I2C シリアル・インターフェイス
      2. 10.5.2 EEPROM
        1. 10.5.2.1 EEPROM - 巡回冗長検査
        2. 10.5.2.2 推奨プログラミング手順
        3. 10.5.2.3 EEPROM アクセス
          1. 10.5.2.3.1 レジスタのコミット・フロー
          2. 10.5.2.3.2 ダイレクト・アクセス・フロー
        4. 10.5.2.4 レジスタ・ビットから EEPROM へのマッピング
  12. 11アプリケーションと実装
    1. 11.1 アプリケーション情報
    2. 11.2 代表的なアプリケーション
      1. 11.2.1 設計要件
      2. 11.2.2 詳細な設計手順
      3. 11.2.3 アプリケーション曲線
    3. 11.3 電源に関する推奨事項
      1. 11.3.1 パワーアップ・シーケンス
      2. 11.3.2 デカップリング
    4. 11.4 レイアウト
      1. 11.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 11.4.2 レイアウト例
  13. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイスのサポート
      1. 12.1.1 開発サポート
      2. 12.1.2 デバイス命名規則
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 用語集
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.4 熱に関する情報

熱評価基準(1)CDCE6214Q1

TM

単位
RGE (VQFN)
24 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗32.5℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗32.5℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗12.2℃/W
RθJC(bot)接合部からケース (底面) への熱抵抗2.0℃/W
ψJT接合部から上面への熱特性パラメータ0.4℃/W
ψJB接合部から基板への特性パラメータ12.2℃/W
(1) 従来および最新の熱測定基準の詳細については、アプリケーション・レポート『半導体および IC パッケージの熱評価基準』、SPRA953 を参照してください。