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UCC27288

AKTIV

Halbbrückentreiber für 2,5 A bis 3,5 A, 120 V, mit 8 V UVLO und ohne interne Bootstrap-Diode

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UCC27288

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Produktdetails

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 3.5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features External bootstrap diode Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 3.5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features External bootstrap diode Driver configuration Dual inputs
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Drives two N-channel MOSFETs in high-side low-side configuration
  • 16-ns typical propagation delay
  • 12-ns rise, 10-ns typical fall time with 1800-pF load
  • 1-ns typical delay matching
  • Configurable external bootstrap diode
  • 8-V typical undervoltage lockout
  • Absolute maximum negative voltage handling on inputs (–5 V)
  • Absolute maximum negative voltage handling on HS (–14 V)
  • ±3-A peak output current
  • Absolute maximum boot voltage 120 V
  • Inputs are independent of each other and VDD
  • Under voltage lockout for both channels
  • Specified from –40°C to 140°C junction temperature
  • Drives two N-channel MOSFETs in high-side low-side configuration
  • 16-ns typical propagation delay
  • 12-ns rise, 10-ns typical fall time with 1800-pF load
  • 1-ns typical delay matching
  • Configurable external bootstrap diode
  • 8-V typical undervoltage lockout
  • Absolute maximum negative voltage handling on inputs (–5 V)
  • Absolute maximum negative voltage handling on HS (–14 V)
  • ±3-A peak output current
  • Absolute maximum boot voltage 120 V
  • Inputs are independent of each other and VDD
  • Under voltage lockout for both channels
  • Specified from –40°C to 140°C junction temperature

The UCC27288 is a robust N-channel MOSFET driver with a maximum switch node (HS) voltage rating of 100 V. It allows for two N-channel MOSFETs to be controlled in half-bridge or synchronous buck configuration based topologies. Its 3-A peak source and sink current along with low pull-up and pull-down resistance allows the UCC27288 to drive large power MOSFETs with minimum switching losses during the transition of the MOSFET Miller plateau. Since the inputs are independent of the supply voltage, UCC27288 can be used in conjunction with both analog and digital controllers. Two inputs are completely independent of each other and therefore provides added control design flexibility.

The input pins as well as the HS pin are able to tolerate significant negative voltage, which improves system robustness. The inputs are completely independent of each other. This allows for control flexibility where two outputs can be overlapped by overlapping inputs if needed. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which improves system efficiency.

Under voltage lockout (UVLO) is provided for both the high-side and low-side driver stages forcing the outputs low if the VDD voltage is below the specified threshold. No integrated bootstrap diode allows user to use application-appropriate external bootstrap diode. UCC27288 is offered in an SOIC8 package to improve system robustness in harsh environments.

The UCC27288 is a robust N-channel MOSFET driver with a maximum switch node (HS) voltage rating of 100 V. It allows for two N-channel MOSFETs to be controlled in half-bridge or synchronous buck configuration based topologies. Its 3-A peak source and sink current along with low pull-up and pull-down resistance allows the UCC27288 to drive large power MOSFETs with minimum switching losses during the transition of the MOSFET Miller plateau. Since the inputs are independent of the supply voltage, UCC27288 can be used in conjunction with both analog and digital controllers. Two inputs are completely independent of each other and therefore provides added control design flexibility.

The input pins as well as the HS pin are able to tolerate significant negative voltage, which improves system robustness. The inputs are completely independent of each other. This allows for control flexibility where two outputs can be overlapped by overlapping inputs if needed. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which improves system efficiency.

Under voltage lockout (UVLO) is provided for both the high-side and low-side driver stages forcing the outputs low if the VDD voltage is below the specified threshold. No integrated bootstrap diode allows user to use application-appropriate external bootstrap diode. UCC27288 is offered in an SOIC8 package to improve system robustness in harsh environments.
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Technische Dokumentation

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Alle anzeigen 6
Typ Titel Datum
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Application note Using Half-Bridge Gate Driver to Achieve 100% Duty Cycle for High Side FET PDF | HTML 25 Mär 2024
Application note Understanding and comparing peak current capability of gate drivers PDF | HTML 30 Mär 2021
EVM User's guide Using the UCC27288EVM 16 Jun 2020
Certificate UCC27288EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 13 Mai 2020
Application note Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. 12 Mai 2020

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC27288EVM — Evaluierungsmodul für Halbbrücken-Gate-Treiber UCC27288, 100 V, 3 A, mit 8-V-UVLO.

UCC27288EVM is designed for evaluating UCC27288D, which is a 100-V half bridge gate driver with 2.5-A peak source current and 3.5-A peak sink current capability. This EVM serves as a reference design for driving power MOSFETs with up to 20-V drive voltage.
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Berechnungstool

SLURB12 — UCC272xx Schematic Review Template

Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Halbbrückentreiber
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