Leistungsstufen

Steigern Sie die Systemeffizienz und vereinfachen Sie Designs

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Mit unseren fortschrittlichen Leistungsstufen-Bausteinen können Sie die Lösungsgröße minimieren, die Leistungsdichte maximieren, die Effizienz optimieren und den Systemschutz stärken. Integrieren Sie unsere intelligenten Leistungsstufen mit hochpräziser Telemetrie mit unseren skalierbaren Mehrphasen-Controllern für eine optimierte Mehrphasen-DC/DC-Systemlösung. Diese Integration macht redundante Komponenten überflüssig, verringert Schaltverluste und erhöht die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems – und das alles bei kompaktem Platzbedarf. Unsere Produktfamilie von Galliumnitrid-FETs (GaN) mit integrierten Gate-Treibern und GaN-Strombausteinen stellt zudem die effizienteste GaN-Lösung mit Zuverlässigkeit über die gesamte Lebensdauer und Kostenvorteilen dar. 

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Neue Produkte

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LMG3104R017
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3104R017 VORSCHAU

GaN-FET mit verbessertem integriertem Treiber, 100 V, 1,7 mΩ

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.5

CSD967201-Q1
NEW
SI-Leistungsstufen
CSD967201-Q1 VORSCHAU

60-A-Leistungsstufe mit 4-V- bis 20-V-Eingängen für die Automobilindustrie

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.1

LMG2104R044
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2104R044 VORSCHAU

Halbbrücken-GaN-FET mit verbessertem integriertem Treiber und Schutz, 100 V, 4,4 mΩ

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.88

LMG3104R011
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3104R011 VORSCHAU

GaN-FET, 100 V, 1,1 mΩ, mit integriertem Treiber, Verriegelung und Nullspannungserkennung

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.1

LMG2104R022
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2104R022 VORSCHAU

Halbbrücken-GaN-FET mit verbessertem integriertem Treiber und Schutz, 100 V, 2,2 mΩ

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.15

TPS7H6101-SEP
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
TPS7H6101-SEP AKTIV

Radiation-tolerant 200V 10A GaN power stage with integrated driver

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Unsere GaN- und Si-MOSFET-Leistungsstufen erhöhen die Systemeffizienz & vereinfachen die Entwicklung

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Auf Zuverlässigkeit ausgelegt

Unsere GaN-Bausteine sind darauf ausgelegt, Hochspannungssysteme dank eines proprietären GaN-auf-Si-Prozesses, mehr als 40 Millionen Stunden an Zuverlässigkeitstests und diverser Schutzfunktionen sicher zu halten.

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Weitreichende Integration

Integrierte MOSFETs, Treiber und Strommessung bieten eine vollständige Schaltfunktion, die passive Komponenten überflüssig macht, was die Lösungsgröße reduziert und das Leiterplattenlayout vereinfacht.

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Kleinere Magneten, höhere Leistungsdichte

Unsere GaN-Bausteine ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten und können Sie dadurch dabei unterstützen, Schaltfrequenzen von über 500 kHz zu erreichen. Dies führt zu bis zu 60 % geringerem Magnetismus, verbesserter Leistung und niedrigeren Systemkosten.

Technische Ressourcen

Application note
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Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
Wärmemanagement ist ein entscheidender Faktor für die Funktionalität eines Stromversorgungsdesigns. Unser QFN 12 x 12 mm-Gehäuse ist für Anwendungen mit großem Leistungsbedarf ausgelegt. Erfahren Sie mehr über das Gehäuse und lesen Sie Tipps zur Optimierung Ihres thermischen Designs.
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Application note
Application note
Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
Der Synchron-Abwärtswandler ist eine weitverbreitete Topologie in Niederspannungs- und Hochstromanwendungen. Verlustarme und hocheffiziente Synchron-Abwärtswandler sind bei fortschrittlichen Mikroprozessoren der Zukunft sehr gefragt. 
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White paper
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Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
Unsere Familie von dMode-GaN-Bausteinen ermöglicht den selbstsperrenden Betrieb ohne Kaskode. Erfahren Sie mehr über die Direktantriebs-Architektur und deren Vorteile.
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