Power stages

Steigern Sie die Systemeffizienz und vereinfachen Sie Designs

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Mit unseren fortschrittlichen Leistungsstufen-Bausteinen können Sie die Lösungsgröße minimieren, die Leistungsdichte maximieren, die Effizienz optimieren und den Systemschutz stärken. Integrieren Sie unsere intelligenten Leistungsstufen mit hochpräziser Telemetrie mit unseren skalierbaren Mehrphasen-Controllern für eine optimierte Mehrphasen-DC/DC-Systemlösung. Diese Integration macht redundante Komponenten überflüssig, verringert Schaltverluste und erhöht die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems – und das alles bei kompaktem Platzbedarf. Unsere Galliumnitrid (GaN)-FETs-Familie mit integrierten Gate-Treibern und GaN-Strombausteinen bietet die effizienteste GaN-Lösung mit hoher Zuverlässigkeit über die gesamte Lebensdauer und Kostenvorteilen. 

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LMG3426R050
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3426R050 AKTIV

GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 7.94

LMG2100R044
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2100R044 AKTIV

100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.75

LMG3426R030
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3426R030 AKTIV

GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannung

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 11.844

LMG3100R017
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3100R017 VORSCHAU

Zwei 1,7-mΩ-GaN-FETs (100 V) mit integriertem Treiber

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.9

LMG3616
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3616 AKTIV

650-V 270 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.2

LMG3612
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3612 AKTIV

650-V 120 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.25

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Unsere GaN- und MOSFET-Leistungsstufen erhöhen die Systemeffizienz & vereinfachen die Entwicklung

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Auf Zuverlässigkeit ausgelegt

Unsere GaN-Bausteine sind darauf ausgelegt, Hochspannungssysteme dank eines proprietären GaN-auf-Si-Prozesses, mehr als 40 Millionen Stunden an Zuverlässigkeitstests und diverser Schutzfunktionen sicher zu halten.

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Weitreichende Integration

Integrierte MOSFETs, Treiber und Strommessung bieten eine vollständige Schaltfunktion, die passive Komponenten überflüssig macht, was die Lösungsgröße reduziert und das Leiterplattenlayout vereinfacht.

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Kleinere Magneten, höhere Leistungsdichte

Unsere GaN-Bausteine ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten und können Sie dadurch dabei unterstützen, Schaltfrequenzen von über 500 kHz zu erreichen. Dies führt zu bis zu 60 % geringerem Magnetismus, verbesserter Leistung und niedrigeren Systemkosten.

Technische Ressourcen

Application note
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Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
Wärmemanagement als entscheidender Faktor für den Erfolg eines Stromversorgungsdesigns Unser QFN 12 x 12 mm-Gehäuse ist für Anwendungen mit großem Leistungsbedarf ausgelegt. Erfahren Sie mehr über das Gehäuse und lesen Sie Tipps zur Optimierung Ihres thermischen Designs.
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Application note
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Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
Der synchrone Abwärtswandler ist eine weit verbreitete Topologie in Niederspannungs- und Hochstromanwendungen. Verlustarme und hocheffiziente Synchron-Abwärtswandler sind bei fortschrittlichen Mikroprozessoren der Zukunft sehr gefragt. 
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White paper
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Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
Unsere Familie von dMode-GaN-Bausteinen ermöglicht den selbstsperrenden Betrieb ohne Kaskode. Erfahren Sie mehr über die Direktantriebs-Architektur und deren Vorteile.
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