Leistungsstufen
Steigern Sie die Systemeffizienz und vereinfachen Sie Designs
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Neue Produkte
650 V 35 mΩ GaN FET im TOLL-Gehäuse mit integriertem Treiber und Schutz
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 10.668
60-A-Leistungsstufe mit 4-V- bis 20-V-Eingängen für die Automobilindustrie
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.1
GaN-FET, 650 V, 25 mΩ, im TOLL-Gehäuse, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennu
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 8.476
650 V 70 mΩ GaN-FET im TOLL-Gehäuse mit integriertem Treiber und Schutz
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 6.544
650 V 95 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 6.9
650 V 230 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.39
Unsere GaN- und Si-MOSFET-Leistungsstufen erhöhen die Systemeffizienz & vereinfachen die Entwicklung
Auf Zuverlässigkeit ausgelegt
Unsere GaN-Bausteine sind darauf ausgelegt, Hochspannungssysteme dank eines proprietären GaN-auf-Si-Prozesses, mehr als 40 Millionen Stunden an Zuverlässigkeitstests und diverser Schutzfunktionen sicher zu halten.
Weitreichende Integration
Integrierte MOSFETs, Treiber und Strommessung bieten eine vollständige Schaltfunktion, die passive Komponenten überflüssig macht, was die Lösungsgröße reduziert und das Leiterplattenlayout vereinfacht.
Kleinere Magneten, höhere Leistungsdichte
Unsere GaN-Bausteine ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten und können Sie dadurch dabei unterstützen, Schaltfrequenzen von über 500 kHz zu erreichen. Dies führt zu bis zu 60 % geringerem Magnetismus, verbesserter Leistung und niedrigeren Systemkosten.