JAJSJS9C July   2023  – July 2025 DRV8262

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. ピン構成および機能
  6. 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
      1. 5.4.1 過渡熱インピーダンスと電流能力
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 詳細説明
    1. 6.1  概要
    2. 6.2  機能ブロック図
    3. 6.3  機能説明
      1. 6.3.1 スペクトラム拡散
    4. 6.4  デバイスの動作モード
      1. 6.4.1 デュアル H ブリッジ モード (MODE1 = 0)
      2. 6.4.2 シングル H ブリッジ モード (MODE1 = 1)
    5. 6.5  電流検出とレギュレーション
      1. 6.5.1 電流検出とフィードバック
      2. 6.5.2 電流レギュレーション
        1. 6.5.2.1 ミックス ディケイ
        2. 6.5.2.2 スマート チューン ダイナミック ディケイ
      3. 6.5.3 外付け抵抗による電流検出
    6. 6.6  チャージ ポンプ
    7. 6.7  リニア電圧レギュレータ
    8. 6.8  VCC 電圧電源
    9. 6.9  ロジック レベル、トライレベル、クワッドレベルのピン構造図
    10. 6.10 保護回路
      1. 6.10.1 VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 6.10.2 VCP 低電圧誤動作防止 (CPUV)
      3. 6.10.3 ロジック電源パワーオン リセット (POR)
      4. 6.10.4 過電流保護 (OCP)
      5. 6.10.5 サーマル シャットダウン (OTSD)
      6. 6.10.6 nFAULT 出力
      7. 6.10.7 フォルト条件のまとめ
    11. 6.11 デバイスの機能モード
      1. 6.11.1 スリープ モード
      2. 6.11.2 動作モード
      3. 6.11.3 nSLEEP リセット パルス
      4. 6.11.4 機能モードのまとめ
  8. アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
      1. 7.1.1 ブラシ付き DC モータの駆動
        1. 7.1.1.1 ブラシ付き DC モータ ドライバの代表的なアプリケーション
        2. 7.1.1.2 電力損失の計算 - デュアル H ブリッジ
        3. 7.1.1.3 電力損失の計算 - シングル H ブリッジ
        4. 7.1.1.4 接合部温度の推定
        5. 7.1.1.5 アプリケーション特性の波形
      2. 7.1.2 ステッパ モーターの駆動
        1. 7.1.2.1 ステッパ ドライバの代表的なアプリケーション
        2. 7.1.2.2 電力損失の計算
        3. 7.1.2.3 接合部温度の推定
      3. 7.1.3 熱電冷却器 (TEC) の駆動
    2. 7.2 電源に関する推奨事項
      1. 7.2.1 バルク コンデンサ
      2. 7.2.2 電源
    3. 7.3 レイアウト
      1. 7.3.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.3.2 レイアウト例
  9. パッケージの熱に関する考慮事項
    1. 8.1 DDW パッケージ
      1. 8.1.1 熱性能
        1. 8.1.1.1 定常状態熱性能
        2. 8.1.1.2 過渡熱性能
    2. 8.2 DDV パッケージ
    3. 8.3 PCB 材料に関する推奨事項
  10. デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

電力損失の計算 - デュアル H ブリッジ

ハイサイド再循環を使用する H ブリッジの場合、各 FET の消費電力は次のように概算できます。

  • PHS1 = RDS(ON) × IL2
  • PLS1 = 0
  • PHS2 = [RDS(ON) × IL2 × (1-D)] + [2 × VD × IL × tD × fPWM]
  • PLS2 = [RDS(ON) × IL2 × D] + [VM × IL × tRF × fPWM]

ここで、

  • RDS(ON) = 各 FET のオン抵抗
    • デュアル H ブリッジモードで、DRV8262 では、RDS(ON) は、通常 25℃ で 50mΩ、150℃ で 85mΩ です。
  • fPWM = PWM スイッチング周波数
  • VM = ドライバへの電源電圧
  • IL = モータ RMS 電流
  • D=PWM のデューティ サイクル (0~1)
  • tRF = 出力電圧の立ち上がり / 立ち下がり時間

    • DRV8262 の場合、立ち上がり、または立ち下がり時間は 110ns
  • VD=FET ボディ ダイオードの順方向バイアス電圧
    • DRV8262 の場合、電圧は 1V
  • tD=デッドタイム
    • DRV8262 の場合、電圧は 300ns

逆方向の負荷電流フローの消費電力を推定するためにも同じ式が適用されますが、HS1 を HS2 に、LS1 を LS2 に交換します。

上記の式に次の値を代入します。

  • VM = 24V
  • IL = 4A
  • RDS(ON) = 50mΩ
  • D = 0.5
  • VD = 1V
  • TD = 300ns
  • tRF = 110ns
  • fPWM = 20kHz

各 FET での損失は次のように計算できます。

PHS1 = 50mΩ × 42 = 0.8W

PLS1 = 0

PHS2 = [50mΩ × 42 x (1-0.5)] + [2 x 1V x 4A x 300ns x 20KHz] = 0.448W

PLS2 = [ 50mΩ × 42 x 0.5] + [24 x 4A x 110ns x 20kHz] = 0.611W

静止電流損失 PQ = 24V × 5mA = 0.12W

PTOT = 2 × (PHS1 + PLS1 + PHS2 + PLS2) + PQ = 2 × (0.8 + 0 + 0.448 + 0.611) + 0.12 = 3.84W