JAJSVL3B November 2024 – October 2025 MSPM0G1518 , MSPM0G1519 , MSPM0G3518 , MSPM0G3519
PRODUCTION DATA
MSPM0 MCU には、低消費電力の高性能 SRAM が搭載されており、デバイスでサポートされている CPU 周波数範囲全体にわたってゼロ ウェイト状態でのアクセスに対応します。また、MSPM0 MCU は、最大 128KB の SRAM も備えています。SRAM は、呼び出しスタック、ヒープ、グローバル データ、コードなどの揮発性情報を格納するために使用できます。
SRAM メモリの内容は、それぞれ 64kB の 2 バンクに分割されます。SRAM (バンク 0 ) には 64KB の ECC またはパリティ保護 SRAM があり、RUN、SLEEP、STOP、STANDBY 動作モードで常に利用可能。SRAM (バンク 1) には 64KB があり、ECC 保護やパリティは含まれておらず、SYSCTL の SRAMCFG レジスタの BANKOFF1 ビットを使用して選択的に有効化または無効化できます。有効にすると、SRAM (バンク 1) は RUN、SLEEP、STOP モードで使用可能になります。SRAM (バンク 1) は、SYSCTLのSRAMCFG レジスタの BANKSTOP1 ビットを設定することで、STOP モードで電源をオフにできます。シャットダウン モードでは、両方のバンクの SRAM 内容が失われます。
書き込み実行相互排他メカニズムが用意されており、SRAM を 2 つの読み取り/書き込み (RW) パーティションと読み取り/実行 (RX) パーティションの 3 つのセクションに分割できます。2 つの RW パーティションは SRAM アドレス空間の下位部分と上位部分を占有し、RX パーティションは SRAM アドレス空間の中央部分を占有します。これらのパーティションを設定するには、SYSCTL の SRAMBOUNDARY レジスタと SRAMBOUNDARYHIGH レジスタを構成する必要があります。書き込み保護は、実行可能コードを SRAM に配置するときに役立ちます。CPU または DMA によってコードが意図せず上書きされることに対してある程度の保護を提供するからです。SRAM にコードを配置すると、ゼロ ウェイト状態動作と低消費電力を実現することで、重要なループの性能を向上できます。RW パーティションからのコード実行を防ぐことで、コード実行の自己修正を防止することでセキュリティを向上させます。