11 改訂履歴
Changes from November 1, 2024 to April 30, 2025 (from Revision * (November 2024) to Revision A (April 2025))
- このデバイスが PSA-L1 認証を対象としていることを示す注を追加Go
- 「特長」の説明で、低消費電力動作で利用可能なタイマの数を、精度のためスタンバイ モードで 4 個に更新Go
- 「特長」の説明で、低消費電力動作で利用可能な UART インスタンスの数を、精度のためスタンバイ モードで 3 つに更新Go
- 最大 32Mbit/s をサポートできる SPI インスタンスの数を 1 に更新Go
- 各動作モードが利用可能である SRAM BANK0 と BANK1 の説明を明確化Go
- 100_nFBGA_Zaw パッケージのデバイス バリアントをプレビューとして追加Go
- 42_DSBGA_YCJ パッケージのデバイス バリアントをプレビューとして追加Go
- 100_nFBGA_ZAW パッケージのデバイス バリアントをリリースとして更新Go
- すべてのデバイス バリエーションに 2 つの ADC が存在することを示すために、デバイス比較表を更新Go
- 各デバイス バリエーションについて、デバイス比較表を UART/I2C/SPI の数量の概要に更新Go
- 「デバイス比較」表を更新して、MSPM0G1518SPM (トレイパック) バリアントを追加Go
- 「デバイス比較」表を更新して、MSPM0G1518SPM (トレイパック) バリアントを追加Go
- 正しい接合部温度を反映して、I_VDD および I_VSS の絶対最大定格を更新し、VDD >= 2.7V の条件を削除Go
- VDD 電源電圧が低いときの消費電流を低減することについて、I_VDD および I_VSS のガイドラインに脚注を追加 (例:1.62V)Go
- 「絶対最大定格」に周囲温度定格を追加Go
- 「推奨動作条件」に周囲および接合部温度の仕様を追加Go
- 「熱に関する情報」セクションを、パッケージのバリエーションごとに正確な仕様値を添えて更新Go
- 電源電流特性を、最大値と正確な標準値を追加Go
- MHz ごとのスリープ電流の電源電流特性パラメータを追加 (80MHz で評価)Go
- POR およびコールドブート BOR の正確な電圧スレッショルドを反映するように POR および BOR 仕様を変更Go
- フラッシュ メモリの特性を、下位 32KB セクタだけでなく、100k サイクルを適用できるようにユーザーがフラッシュ メモリの 32kB セクタを指定できるように変更Go
- 「タイミング特性」セクションを正確な具体的な値で更新し、SLEEP0 から RUN までのウェークアップ時間を追加Go
- システム発振器の仕様を正確な値で更新Go
- SYSOSC の標準的な周波数精度の図を削除Go
- PDIV および QDIV 構成を示すために SYSPLL スタートアップ時間のテスト条件を更新Go
- 正しい周囲温度条件を反映するようにデジタル IO の電気的特性を更新Go
- デジタル IO スイッチング特性に立ち上がり/立ち下がり時間の仕様を追加Go
- デジタル IO スイッチング特性に HDIO DRV = 1 条件の f_max 仕様を追加Go
- ENOB および SNR の ADC の電気的特性を変更して仕様を改善し、f_IN 周波数をテスト条件として記載Go
- オフセット誤差の ADC 仕様を +/-2mV から +/-3.5mV に変更Go
- ゲイン誤差の ADC 仕様を +/-3LSB から +/-4LSB に変更Go
- 正しい VREF 構成とセトリング タイムを反映するように、温度センサの条件を更新Go
- 温度センサ係数仕様の値を更新Go
- IVREF および TCVREF 仕様値の VREF の電気的特性を変更Go
- Icomp のコンパレータの電気的特性を変更Go
- 修正された値を反映するようにSPI仕様を更新Go
- 精度と構成について、動作モード別にサポートされている機能を更新Go
- DMA のセクションに詳細な DMA 機能の表を追加Go
- 「フラッシュ メモリ」セクションを更新し、高耐久性動作のために 32kB セクタを選択できることを明記Go
- SRAM ECC 保護付きの DMA の使用方法に関するテキストを「SRAM」セクションから削除Go
- 「SRAM」セクションの書き込み実行ユーザー動作に関する説明を更新Go
- 結果ストレージ レジスタの正しい数量を反映するように、ADC の説明セクションを更新Go
- セトリング時間と VREF 構成に関する適切なテスト条件を反映して、「温度センサ」セクションを更新Go
- 「セキュリティ」セクションを更新し、このデバイスに搭載されているすべてのセキュリティ機能の一覧を追加Go
- キーストア セクションを更新し、最大 4 つのキーがサポートされることを示しましたGo
- このデバイスに存在する UART インスタンスを正しく一覧表示するように、UART セクションを更新Go
- SPI セクションを、ULPCLK ではなく MCLK を参照するよう更新Go
- LFSS_B および RTC_B バリアントの存在を示すため、LFSS セクションを更新Go
- 「タイマ」セクションにクロス トリガ マップを追加Go
Changes from April 30, 2025 to October 30, 2025 (from Revision A (April 2025) to Revision B (Oct 2025))
- 100_nFBGA_ZAW パッケージのデバイス バリアントをリリースとして更新Go
- 「デバイス比較」表を更新して、MSPM0G1518SPM (トレイパック) バリアントを追加Go
- 「デバイス比較」表を更新して、MSPM0G1518SPM (トレイパック) バリアントを追加Go
- トレイ形式の MSPM0G1518 を表に追加Go
- YCJ ピン マップを追加Go
- ZAW パッケージの熱特性を追加Go
- POR および BOR 表から、内部テスト条件でスルーレートの脚注を削除Go
- テスト条件を明確化するために脚注 5 と 6 を追加し、ユーザーがテスト ケースを再現できるようにしましたGo
- 性能の推奨事項を示すため、SYSPLL 表に脚注 3 を追加Go
- YCJ (WCSP) および ZAW (nfBGA) パッケージの図を追加Go