JAJSVV5A December   2024  – June 2025 MSPM0L1116 , MSPM0L1117

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 機能ブロック図
  6. 5 デバイスの比較
    1. 5.1 デバイス比較表
  7. 6 ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
      1.      11
    3. 6.3 信号の説明
      1.      13
      2.      14
      3.      15
      4.      16
      5.      17
      6.      18
      7.      19
      8.      20
      9.      21
      10.      22
      11.      23
      12.      24
      13.      25
      14.      26
    4. 6.4 未使用ピンの接続
  8. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電源電流特性
      1. 7.5.1 RUN/SLEEP モード
      2. 7.5.2 STOP/STANDBY モード
      3. 7.5.3 SHUTDOWN モード
    6. 7.6  電源シーケンス
      1. 7.6.1 電源ランプ
      2. 7.6.2 POR および BOR
    7. 7.7  フラッシュ メモリの特性
    8. 7.8  タイミング特性
    9. 7.9  クロック仕様
      1. 7.9.1 システム発振器(SYSOSC)
      2. 7.9.2 低周波数発振器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 低周波数クリスタル / クロック
    10. 7.10 デジタル IO
      1. 7.10.1 電気的特性
      2. 7.10.2 スイッチング特性
    11. 7.11 アナログ マルチプレクサ VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 電気的特性
      2. 7.12.2 スイッチング特性
      3. 7.12.3 直線性パラメータ
      4. 7.12.4 代表的な接続図
    13. 7.13 温度センサ
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 電圧特性
      2. 7.14.2 電気的特性
    15. 7.15 I2C
      1. 7.15.1 I2C の特性
      2. 7.15.2 I2C フィルタ
      3. 7.15.3 I2C のタイミング図
    16. 7.16 SPI
      1. 7.16.1 SPI
      2. 7.16.2 SPI タイミング図
    17. 7.17 UART
    18. 7.18 TIMx
    19. 7.19 TRNG 電気的特性
    20. 7.20 TRNG スイッチング特性
    21. 7.21 エミュレーションおよびデバッグ
      1. 7.21.1 SWD のタイミング
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1  機能ブロック図
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  動作モード
      1. 8.3.1 動作モード別の機能
    4. 8.4  パワー マネージメント ユニット (PMU)
    5. 8.5  クロック モジュール (CKM)
    6. 8.6  DMA
    7. 8.7  イベント
    8. 8.8  メモリ
      1. 8.8.1 メモリ構成
      2. 8.8.2 ペリフェラル ファイル マップ
      3. 8.8.3 ペリフェラルの割り込みベクタ
    9. 8.9  フラッシュ メモリ
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度センサ
    15. 8.15 VREF
    16. 8.16 セキュリティ
    17. 8.17 TRNG
    18. 8.18 AESADV
    19. 8.19 キーストア
    20. 8.20 CRC-P
    21. 8.21 UART
    22. 8.22 I2C
    23. 8.23 SPI
    24. 8.24 低周波数サブシステム (LFSS)
    25. 8.25 RTC_B
    26. 8.26 IWDT_B
    27. 8.27 WWDT
    28. 8.28 タイマ (TIMx)
    29. 8.29 デバイスのアナログ接続
    30. 8.30 入力 / 出力の回路図
    31. 8.31 シリアル ワイヤ デバッグ インターフェイス
    32. 8.32 ブートストラップ ローダ (BSL)
    33. 8.33 デバイス ファクトリ定数
    34. 8.34 識別
  10. 9 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 代表的なアプリケーション
      1. 9.1.1 回路図
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイスの命名規則
    2. 10.2 ツールとソフトウェア
    3. 10.3 ドキュメントのサポート
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 商標
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

8.9 フラッシュ メモリ

実行可能なプログラム コードとアプリケーション データを格納するため、デュアル バンクの不揮発性フラッシュ メモリ (合計最大 64kB/128kB) を備えています。

フラッシュの主な特長は次のとおりです。

  • ハードウェア ECC 保護 (エンコードおよびデコード)、シングル ビット誤り訂正およびダブル ビット誤り検出機能付き
  • 推奨電源電圧範囲全体にわたって、インサーキットでの書き込み / 消去動作をサポート
  • 1kB の小さなセクタ サイズ (1kB の最小消去分解能)
  • フラッシュ メモリの選択された 32 セクターで最大 100,000 回の書き込み / 消去サイクル、残りのフラッシュ メモリで最大 10,000 回の書き込み / 消去サイクルをサポート (32kB のデバイスでは、フラッシュ メモリ全体で 100,000 サイクルをサポート)
  • システム内のワイヤレス (OTA) ファームウェア更新に適したバンク アドレスのスワップ
詳細については、『MSPM0 L シリーズ 32MHz マイクロコントローラ テクニカル リファレンス マニュアル』の「NVM」の章を参照してください。