JAJA974
August 2025
LM2904B
1
概要
商標
1
はじめに
2
ESD の概要
2.1
静電気放電とは?
2.1.1
半導体の ESD セルの堅牢性
3
ESD セルのタイプ
3.1
デュアル ダイオード構成
3.1.1
必ずしもデュアル ダイオード構成を使用しないのはなぜですか?
3.2
ブートストラップ ダイオード
3.3
吸収デバイス
3.3.1
アクティブ クランプ
3.3.2
GCNMOS クランプ
3.4
シリコン制御整流器
3.5
CER ダイオードと ECR の NPN ダイオード
3.5.1
ECR および CER ESD セルの応答の測定
3.6
複数の ESD セルの比較
4
データシートからデバイスの ESD 構造を決定する方法
5
回路 ESD/EOS イベントからシステムを保護する方法
5.1
TVS ダイオードと直列抵抗を使用して、回路を保護する
5.2
ショットキー ダイオードを使用した回路保護
6
システム レベルの回路でオペ アンプをテストする方法
6.1
長年にわたる ESD 保護セルの進歩
7
まとめ
8
参考資料
Application Note
静電気放電や電気的オーバーストレスによる損傷からオペ アンプを保護する方法
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