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UCC5350L-Q1

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Isolierter Einkanal-Gate-Treiber für die Automobilindustrie, ±10 A, in erweitertem Gehäuse für SiC/I

Produktdetails

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7000 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7000 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DWL) 8 106.24 mm² 6.4 x 16.6
  • 5kVRMS single-channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature Grade 1
  • Miller clamp, 12V UVLO
  • ±10A typical peak current drive strength
  • 3V to 15V input supply voltage
  • Up to 30V driver supply voltage
  • 100V/ns minimum CMTI
  • Negative 5V handling capability on input pins
  • 100ns (maximum) propagation delay and <25ns part-to-part skew
  • 8-pin DWL (15.7mm creepage)
  • Isolation barrier life > 40 Years
  • Safety-related certifications planned:
    • UL 1577 Component Recognition program
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • CQC - GB4943.1
  • CMOS inputs
  • Operating junction temperature: –40°C to +150°C
  • 5kVRMS single-channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature Grade 1
  • Miller clamp, 12V UVLO
  • ±10A typical peak current drive strength
  • 3V to 15V input supply voltage
  • Up to 30V driver supply voltage
  • 100V/ns minimum CMTI
  • Negative 5V handling capability on input pins
  • 100ns (maximum) propagation delay and <25ns part-to-part skew
  • 8-pin DWL (15.7mm creepage)
  • Isolation barrier life > 40 Years
  • Safety-related certifications planned:
    • UL 1577 Component Recognition program
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • CQC - GB4943.1
  • CMOS inputs
  • Operating junction temperature: –40°C to +150°C

The UCC5350L-Q1 is a single-channel, isolated gate driver with 10A source and 10A sink typical peak current designed to drive MOSFETs, IGBTs, and SiC MOSFETs. The UCC5350L-Q1 has the option for Miller clamp. The CLAMP pin is used to connect the transistor gate to an internal FET besides the output to prevent false turn-on caused by Miller current. The UCC5350L-Q1 is available in a 14mm wide body SOIC-8 (DWL) package and can support isolation voltage up to 5kVRMS. The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology with longer than 40 years isolation barrier lifetime. The UCC5350L-Q1 is a good fit for driving IGBTs or MOSFETs in applications such as high-voltage traction inverters and on-board chargers. Compared to an optocoupler, the device has lower part-to-part skew, lower propagation delay, higher operating temperature, and higher CMTI.

The UCC5350L-Q1 is a single-channel, isolated gate driver with 10A source and 10A sink typical peak current designed to drive MOSFETs, IGBTs, and SiC MOSFETs. The UCC5350L-Q1 has the option for Miller clamp. The CLAMP pin is used to connect the transistor gate to an internal FET besides the output to prevent false turn-on caused by Miller current. The UCC5350L-Q1 is available in a 14mm wide body SOIC-8 (DWL) package and can support isolation voltage up to 5kVRMS. The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology with longer than 40 years isolation barrier lifetime. The UCC5350L-Q1 is a good fit for driving IGBTs or MOSFETs in applications such as high-voltage traction inverters and on-board chargers. Compared to an optocoupler, the device has lower part-to-part skew, lower propagation delay, higher operating temperature, and higher CMTI.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet UCC5350L-Q1 Single-Channel Isolated Gate Driver for SiC/IGBT and Automotive Applications datasheet PDF | HTML 17 Mär 2025
Certificate UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) 08 Sep 2025

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC5390ECDWVEVM — UCC5390ECDWV 10 A, 10 A 5-kVRMS isolierter Einkanal-Gate-Treiber – Evaluierungsmodul

UCC5390ECDWVEVM ist für die Evaluierung der UCC53xxDWV-Produktfamilie ausgelegt, einem einkanaligen isolierten Gate-Treiber mt 5,0 kVRMS sowie einer 10 A Quellen- und 10 A Senken-Spitzenstromfähigkeit. Mit diesem EVM kann der Treiber-IC anhand seines Datenblatts evaluiert werden. Das EVM kann auch (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Simulationstool

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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (DWL) 8 Ultra Librarian

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Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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