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TS3A24159

ACTIVO

Interruptor analógico de 2 canales con resistencia de encendido de 0.3 Ω, 3.3 V, 2:1 (SPDT), con lóg

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TS3A24159

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Detalles del producto

Configuration 2:1 SPDT Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 1.8, 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, UART Ron (typ) (Ω) 0.26 CON (typ) (pF) 250 ON-state leakage current (max) (µA) 0.1 Supply current (typ) (µA) 0.01 Bandwidth (MHz) 23 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features 1.8-V compatible control inputs, Break-before-make Input/output continuous current (max) (A) 0.3 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 2:1 SPDT Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 1.8, 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, UART Ron (typ) (Ω) 0.26 CON (typ) (pF) 250 ON-state leakage current (max) (µA) 0.1 Supply current (typ) (µA) 0.01 Bandwidth (MHz) 23 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features 1.8-V compatible control inputs, Break-before-make Input/output continuous current (max) (A) 0.3 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
DSBGA (YZP) 10 2.8125 mm² 2.25 x 1.25 VSON (DRC) 10 9 mm² 3 x 3 VSSOP (DGS) 10 14.7 mm² 3 x 4.9
  • Specified break-before-make switching
  • Low ON-state resistance (0.3 Ω maximum)
  • Low charge injection
  • Excellent ON-state resistance matching
  • Low total harmonic distortion (THD)
  • 1.65-V to 3.6-V single-supply operation
  • Control inputs are 1.8-V logic compatible
  • Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78, Class II
  • ESD performance tested per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Specified break-before-make switching
  • Low ON-state resistance (0.3 Ω maximum)
  • Low charge injection
  • Excellent ON-state resistance matching
  • Low total harmonic distortion (THD)
  • 1.65-V to 3.6-V single-supply operation
  • Control inputs are 1.8-V logic compatible
  • Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78, Class II
  • ESD performance tested per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)

The TS3A24159 is a 2-channel single-pole double-throw (SPDT) bidirectional analog switch that is designed to operate from 1.65 V to 3.6 V. It offers low ON-state resistance and excellent ON-state resistance matching with the break-before-make feature, to prevent signal distortion during the transferring of a signal from one channel to another. The device has excellent total harmonic distortion (THD) performance, low ON-state resistence, and consumes very low power. These are some of the features that make this device suitable for a variety of markets and many different applications.

The TS3A24159 is a 2-channel single-pole double-throw (SPDT) bidirectional analog switch that is designed to operate from 1.65 V to 3.6 V. It offers low ON-state resistance and excellent ON-state resistance matching with the break-before-make feature, to prevent signal distortion during the transferring of a signal from one channel to another. The device has excellent total harmonic distortion (THD) performance, low ON-state resistence, and consumes very low power. These are some of the features that make this device suitable for a variety of markets and many different applications.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet TS3A24159 0.3-Ω 2-Channel SPDT Bidirectional Analog Switch Dual-Channel 2:1 Multiplexer and Demultiplexer datasheet (Rev. H) PDF | HTML 02 ago 2022
Application brief 1.8-V Logic for Multiplexers and Signal Switches (Rev. C) PDF | HTML 26 jul 2022
Application note Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 02 jun 2022
Application note Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 01 dic 2021
Application brief Improving Pulse Oximeter Solution Performance without Sacrificing Size (Rev. A) PDF | HTML 26 abr 2021
Application note Preventing Excess Power Consumption on Analog Switches 03 jul 2008
Application note Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 08 jul 2004

Diseño y desarrollo

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No disponible en TI.com
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La placa EVM-LEADLESS1 permite realizar pruebas rápidas y prototipado de los encapsulados sin plomo habituales de TI.  La placa tiene huellas para convertir los encapsulados de montaje en superficie DRC, DTP, DQE, RBW, RGY, RSE, RSV, RSW, RTE, RTJ, RUK, RUC, RUG, RUM, RUT y YZP de TI a cabezales (...)
Guía del usuario: PDF
No disponible en TI.com
Modelo de simulación

HSPICE Model for TS3A24159

SCDM119.ZIP (101 KB) - HSpice Model
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Modelo de simulación

TS3A24159 IBIS Model

SCDM118.ZIP (68 KB) - IBIS Model
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
DSBGA (YZP) 10 Ultra Librarian
VSON (DRC) 10 Ultra Librarian
VSSOP (DGS) 10 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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