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CSD95420RCB

アクティブ

50A ピークと連続、同期整流降圧 NexFET™ スマート電力段

製品詳細

VDS (V) 20 Ploss current (A) 30
VDS (V) 20 Ploss current (A) 30
VQFN-CLIP (RCB) 27 20 mm² 5 x 4
  • 50A のピーク連続電流
  • 15A 時に 94% を超えるシステム効率
  • 高周波数 (最高 1.75MHz) での動作
  • ダイオード・エミュレーション機能
  • 温度補償された双方向電流検出
  • アナログ温度出力
  • フォルト監視
  • 3.3V および 5V の PWM 信号と互換
  • トライステート PWM 入力
  • ブートストラップ・スイッチ内蔵
  • 貫通電流保護用に最適化されたデッドタイム
  • QFN パッケージ
    • 高密度
    • 4mm × 5mm
    • 非常に低いインダクタンス
    • システム最適化された PCB 占有面積
    • 熱特性強化型ツーリング
    • RoHS 準拠
    • 鉛フリーの端子メッキ処理
    • ハロゲン不使用
  • 50A のピーク連続電流
  • 15A 時に 94% を超えるシステム効率
  • 高周波数 (最高 1.75MHz) での動作
  • ダイオード・エミュレーション機能
  • 温度補償された双方向電流検出
  • アナログ温度出力
  • フォルト監視
  • 3.3V および 5V の PWM 信号と互換
  • トライステート PWM 入力
  • ブートストラップ・スイッチ内蔵
  • 貫通電流保護用に最適化されたデッドタイム
  • QFN パッケージ
    • 高密度
    • 4mm × 5mm
    • 非常に低いインダクタンス
    • システム最適化された PCB 占有面積
    • 熱特性強化型ツーリング
    • RoHS 準拠
    • 鉛フリーの端子メッキ処理
    • ハロゲン不使用

CSD95420RCBNexFET™ 電力段は、高電力、高密度の同期整流式降圧コンバータ向けに高度に最適化されています。この製品は、ドライバ・デバイスとパワー MOSFET を統合することにより、電力段スイッチングの完結した機能を実現します。この構成により、大電流、高効率、高速のスイッチング能力が、外形 4mm × 5mm の小型パッケージ内で実現されます。このデバイスは、正確な電流および温度検出機能を内蔵することで、システム設計の簡素化と精度の向上を両立しています。PCB 上の占有面積が最適化されているので、設計期間が短縮され、システム全体の設計が簡素化されます。

CSD95420RCBNexFET™ 電力段は、高電力、高密度の同期整流式降圧コンバータ向けに高度に最適化されています。この製品は、ドライバ・デバイスとパワー MOSFET を統合することにより、電力段スイッチングの完結した機能を実現します。この構成により、大電流、高効率、高速のスイッチング能力が、外形 4mm × 5mm の小型パッケージ内で実現されます。このデバイスは、正確な電流および温度検出機能を内蔵することで、システム設計の簡素化と精度の向上を両立しています。PCB 上の占有面積が最適化されているので、設計期間が短縮され、システム全体の設計が簡素化されます。

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技術資料

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* データシート CSD95420RCB 同期整流式降圧 NexFET スマート・パワー・ステージ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2020年 10月 7日

設計と開発

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VQFN-CLIP (RCB) 27 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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