CSD96416
- ピーク電流定格50A
- 16V (VIN)、25V (ハイサイドおよびローサイドFET)
- テキサス・インスツルメンツ以外のコントローラ使用時の過渡応答を改善するためにトリム調整されたデッドタイム
- ピーク効率 (fSW = 600kHz、LOUT = 150nH)：94% 以上
- 高周波数 (最高 1.75MHz) での動作
- 温度補償双方向電流検出
- アナログ温度出力
- フォルト監視
- 3.3V および 5V の PWM 信号と互換
- トライステート PWM 入力
- ブートストラップ・スイッチ内蔵
- 貫通電流を防止するように最適化されたデッドタイム
- 高密度の QFN 5mm × 6mm フットプリント
- インダクタンスの非常に低いパッケージ
- システムに対して最適化された PCB の占有面積
- 放熱性に優れたトップサイド冷却
- RoHS 準拠で鉛フリーの端子メッキ処理
- ハロゲン不使用
CSD96416 NexFET™ パワー・ステージの設計は、高出力、高密度の同期整流降圧コンバータ用として、高度に最適化されています。この製品では、ドライバとパワー MOSFET を統合することにより、電力段スイッチングのための完結した機能を提供します。この構成が、5mm × 6mm という小型のパッケージ内に、大電流、高効率、高速のスイッチングを実現しています。この出力段のデッドタイムはトリム調整済みであり、テキサス・インスツルメンツ以外のコントローラを使用する場合の過渡応答を改善しています。また、正確な電流センシングおよび温度センシング機能を内蔵することで、システム設計の簡素化と精度の向上を両立しています。さらに、設計期間を短縮し、システム全体の設計を簡素化できるように、PCB の占有面積を最適化しています。
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設計と開発
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| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| VQFN-CLIP (RWJ) | 41 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点