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ISOTMP35-Q1

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車載、10mV/℃、アナログ出力、1.5℃ 精度、基本絶縁型、温度センサ

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ISOTMP35-Q1

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製品詳細

Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 6400 Creepage (min) (mm) 4 Clearance (min) (mm) 4 Interface type Analog output Integrated isolated power Yes Local sensor accuracy (max) 1.5 Sensor gain (mV/°C) 10 Supply current (max) (µA) 12 Supply voltage (min) (V) 2.3 Supply voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive
Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 6400 Creepage (min) (mm) 4 Clearance (min) (mm) 4 Interface type Analog output Integrated isolated power Yes Local sensor accuracy (max) 1.5 Sensor gain (mV/°C) 10 Supply current (max) (µA) 12 Supply voltage (min) (V) 2.3 Supply voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive
SOIC (DFQ) 7 29.4 mm² 4.9 x 6

  • 次の測定結果により AEC-Q100 認定済み:

    • 温度グレード 0：-40℃～150℃の周囲動作温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C5
  • 堅牢な内蔵絶縁バリア：
    • 絶縁耐圧：3000V RMS
    • 絶縁動作電圧：500 V RMS
  • 絶縁バリアの寿命：> 50 years
  • 温度センサの精度
    • ±0.5℃ (標準 25℃)
    • 0℃～70℃で ±1.5℃以下
    • -40℃～+150℃で ±2.0℃以下
  • 動作電源電圧範囲：2.3V～5.5V
  • 正のスロープ・センサ・ゲイン：10mV/℃、0℃で 500mV のオフセット
  • 高速な熱応答：2 秒未満
  • 短絡保護された出力
  • 低消費電力：9µA (標準値)
  • DFQ (SOIC-7) パッケージ
  • 安全関連認証 (予定)：
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧：3kV RMS (1 分間)

  • 次の測定結果により AEC-Q100 認定済み:

    • 温度グレード 0：-40℃～150℃の周囲動作温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C5
  • 堅牢な内蔵絶縁バリア：
    • 絶縁耐圧：3000V RMS
    • 絶縁動作電圧：500 V RMS
  • 絶縁バリアの寿命：> 50 years
  • 温度センサの精度
    • ±0.5℃ (標準 25℃)
    • 0℃～70℃で ±1.5℃以下
    • -40℃～+150℃で ±2.0℃以下
  • 動作電源電圧範囲：2.3V～5.5V
  • 正のスロープ・センサ・ゲイン：10mV/℃、0℃で 500mV のオフセット
  • 高速な熱応答：2 秒未満
  • 短絡保護された出力
  • 低消費電力：9µA (標準値)
  • DFQ (SOIC-7) パッケージ
  • 安全関連認証 (予定)：
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧：3kV RMS (1 分間)

ISOTMP35-Q1 は、業界初の絶縁型温度センサ IC であり、最大 3000V RMS の耐電圧の内蔵絶縁バリアと、-40℃～+150℃で 10mV/℃の勾配を特長とするアナログ温度センサを組み合わせています。この統合により、高価な絶縁回路を必要とせずに、センサを高電圧熱源 (たとえば HV FET、IGBT、HV コンタクタ) と同じ場所に設置することができます。また、高電圧熱源に直接接触することで、絶縁要件を満たすためにセンサを遠くに配置するアプローチに比べ、より高い精度と高速な熱応答が得られます。

ISOTMP35-Q1 は非絶縁型の 2.3V～5.5V 電源で動作するため、高電圧プレーンでサブレギュレートされた電源を利用できないアプリケーションに簡単に統合できます。

内蔵絶縁バリアは UL 1577 の要件を満たしています。表面実装パッケージ (7 ピン SOIC) は、熱源から組み込み熱センサへの優れた熱流を提供し、熱質量を最小限に抑え、より正確な熱源測定を実現します。これにより、時間のかかる熱モデリングの必要性が減り、製造や組み立てによる機械的なばらつきが減少するため、システム設計のマージンが向上します。

ISOTMP35-Q1 の Class-AB 出力ドライバは、最大出力が 500µA と強力で、最大 1000pF の容量性負荷を駆動でき、A/D コンバータ (ADC) のサンプル・ホールド入力と直接インターフェイスするように設計されています。

ISOTMP35-Q1 は、業界初の絶縁型温度センサ IC であり、最大 3000V RMS の耐電圧の内蔵絶縁バリアと、-40℃～+150℃で 10mV/℃の勾配を特長とするアナログ温度センサを組み合わせています。この統合により、高価な絶縁回路を必要とせずに、センサを高電圧熱源 (たとえば HV FET、IGBT、HV コンタクタ) と同じ場所に設置することができます。また、高電圧熱源に直接接触することで、絶縁要件を満たすためにセンサを遠くに配置するアプローチに比べ、より高い精度と高速な熱応答が得られます。

ISOTMP35-Q1 は非絶縁型の 2.3V～5.5V 電源で動作するため、高電圧プレーンでサブレギュレートされた電源を利用できないアプリケーションに簡単に統合できます。

内蔵絶縁バリアは UL 1577 の要件を満たしています。表面実装パッケージ (7 ピン SOIC) は、熱源から組み込み熱センサへの優れた熱流を提供し、熱質量を最小限に抑え、より正確な熱源測定を実現します。これにより、時間のかかる熱モデリングの必要性が減り、製造や組み立てによる機械的なばらつきが減少するため、システム設計のマージンが向上します。

ISOTMP35-Q1 の Class-AB 出力ドライバは、最大出力が 500µA と強力で、最大 1000pF の容量性負荷を駆動でき、A/D コンバータ (ADC) のサンプル・ホールド入力と直接インターフェイスするように設計されています。
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技術資料

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設計と開発

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評価ボード

ISOTMP35BEVM — ISOTMP35 アナログ絶縁型温度センサの評価基板

ISOTMP35BEVM 評価基板 (EVM) を使用すると、制御とデータ ロギングの目的で、USB インターフェイスとオンボードの MSP430F5528 マイコン (MCU) を使用して、ISOTMP35 アナログ絶縁型温度センサの性能を評価することができます。このセンサはメインボードから切り離すことが可能で、その場合、ISOTMP35 をリモートで動作させることができます。また、この評価基板 (EVM) は、高電圧の熱源に接続できる底面の銅プレートも採用しているため、温度精度と電圧の絶縁の両方を評価できます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
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SOIC (DFQ) 7 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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