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SN74CB3Q3125

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3.3V、1:1 (SPST)、4 チャネル FET バス・スイッチ

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SN74CB3Q3125

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製品詳細

Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Ron (typ) (Ω) 4 CON (typ) (pF) 8 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 2000 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Ron (typ) (Ω) 4 CON (typ) (pF) 8 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 2000 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 14 23.04 mm² 3.6 x 6.4 VQFN (RGY) 14 12.25 mm² 3.5 x 3.5
  • High-Bandwidth Data Path (up to 500 MHz(1))
  • 5-V Tolerant I/Os With Device Powered Up
    or Powered Down
  • Low and Flat ON-State Resistance (ron)
    Characteristics Over Operating Range
    (ron = 3 Ω Typ)
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
    • 0-V to 5-V Switching With 3.3-V VCC
    • 0-V to 3.3-V Switching With 2.5-V VCC
  • Bidirectional Data Flow With Near-Zero
    Propagation Delay
  • Low Input and Output Capacitance Minimizes
    Loading and Signal Distortion
    (Cio(OFF) = 4 pF Typ)
  • Fast Switching Frequency (fOE = 20 MHz Max)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot
    Clamp Diodes
  • Low Power Consumption
    (ICC = 0.3 mA Typ)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0-V to 5-V Signaling Levels
    (0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL,
    5-V, or 3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per
    JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model
      (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications:
    USB Interface, Differential Signal Interface, Bus
    Isolation, Low-Distortion Signal Gating
  • High-Bandwidth Data Path (up to 500 MHz(1))
  • 5-V Tolerant I/Os With Device Powered Up
    or Powered Down
  • Low and Flat ON-State Resistance (ron)
    Characteristics Over Operating Range
    (ron = 3 Ω Typ)
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
    • 0-V to 5-V Switching With 3.3-V VCC
    • 0-V to 3.3-V Switching With 2.5-V VCC
  • Bidirectional Data Flow With Near-Zero
    Propagation Delay
  • Low Input and Output Capacitance Minimizes
    Loading and Signal Distortion
    (Cio(OFF) = 4 pF Typ)
  • Fast Switching Frequency (fOE = 20 MHz Max)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot
    Clamp Diodes
  • Low Power Consumption
    (ICC = 0.3 mA Typ)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0-V to 5-V Signaling Levels
    (0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL,
    5-V, or 3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per
    JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model
      (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications:
    USB Interface, Differential Signal Interface, Bus
    Isolation, Low-Distortion Signal Gating

The SN74CB3Q3125 device is a high-bandwidth FET bus switch that uses a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, thus providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The SN74CB3Q3125 device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus.

The SN74CB3Q3125 device is a high-bandwidth FET bus switch that uses a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, thus providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The SN74CB3Q3125 device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus.
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技術資料

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設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

インターフェイス・アダプタ

LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン・リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ

EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド・ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。     

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

HSPICE MODEL OF SN74CB3Q3125

SCEJ199.ZIP (93 KB) - HSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

SN74CB3Q3125 IBIS Model (Rev. A)

SCDM067A.ZIP (25 KB) - IBIS Model
ダウンロード
リファレンス・デザイン

TIDA-00180 — プログラム可能な出力電圧および保護付き電源、位置エンコーダ・インターフェイス用

このリファレンス・デザインが実装するユニバーサル電源は、出力電圧がプログラマブルで、革新的なスマート eFuse テクノロジーを搭載しており、産業用ドライブに搭載しているマルチスタンダードの位置エンコーダ・インターフェイスでの使用に適しています。eFuse は突入電流と過電流に対する保護に加え、ユーザー・プログラマブルな過電圧と低電圧に対する保護も実現し、産業用温度範囲全体にわたって高精度の制限を維持します。このデザインは、IEC61800-3 に従って、ESD、高速過渡バースト、サージに関する EMC 耐性要件を満たす仕様を実現しています。
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 14 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 14 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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