THS7530
- 低ノイズ：Vn = 1.1nV/ √ Hz、 ノイズ指数 = 9dB
- 低歪：
- HD2 = -65dBc、HD3 = –61dBc (32MHz 時)
- IMD3 = -62dBc、OIP3 = 21dBm (70MHz 時)
- 帯域幅 300MHz
- 連続可変ゲイン範囲：11.6dB ～46.5dB
- ゲイン勾配：38.8dB/V
- 完全差動入出力
- 出力同相モード電圧制御
- 出力電圧の制限
THS7530 デバイスは、テキサス・インスツルメンツの最新の BiCom III SiGe 補完バイポーラ・プロセスを使用して製造されています。THS7530 デバイスは、DC 結合された広帯域幅のアンプで、電圧制御のゲイン付きです。このアンプは高インピーダンス差動入力と低インピーダンス差動出力を備えており、高帯域ゲイン制御、出力同相モード制御、出力電圧クランプを実現しています。
信号チャネル性能は 300MHz の優れた帯域幅を実現しており、32MHz での 3 次高調波歪みは -61dBc、400Ω への出力は 1VPP です。
ゲイン制御は dB 単位で線形化され、0V～0.9V の間でゲインが 11.6dB～46.5dB と変化する 38.8dB/V のゲイン勾配となっています。
出力電圧スイングを制限し、後続の段での飽和を防止するために、出力電圧制限が提供されます。
このデバイスは、 工業用温度範囲 (-40℃～+ 85℃) で動作します。
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | THS7530 高速、完全差動、連続可変ゲイン・アンプ データシート (Rev. E 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.E) | PDF | HTML | 2022/03/30 |
| e-Book（PDF） | The Signal - オペアンプ設計ブログ集 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2018/03/23 |
設計と開発
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評価ボード
THS7530EVM — THS7530 評価モジュール
The THS7530 EVM provides 50 ohm input and output termination for easy evaluation with common 50 ohm test equipment.
ユーザー ガイド:
PDF
在庫あり
制限：
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入手不可
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| HTSSOP (PWP) | 14 | Ultra Librarian |