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TPS51488

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包括的な LPDDR5 メモリ向けの電源ソリューション

製品詳細

Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 24 Features Buck, High Performance, Integrated LDO, Power good Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 24 Features Buck, High Performance, Integrated LDO, Power good Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN-HR (RJE) 18 9 mm² (3 mm × 3 mm)
  • 同期整流降圧コンバータ (VDD2)
    • 入力電圧範囲:4.5V ~ 24V
    • 出力電圧は 1.065V 固定
    • D-CAP3™ 制御モードによる高速過渡応答
    • 連続出力電流:8A
    • 高度なパルス スキップを行う Eco モード
    • RDS(on) が 22mΩ / 8.6mΩ の内蔵パワー スイッチ
    • 600kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト スタート:1.6ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV / UV 保護
  • 同期整流降圧コンバータ (VDD1)
    • 入力電圧範囲:3V ~ 5.5V
    • 出力電圧は 1.8V 固定
    • D-CAP3 制御モードによる高速過渡応答
    • 連続出力電流:1A
    • 高度なパルス スキップを行う Eco モード
    • RDS(on) が 150mΩ / 120mΩ の内蔵パワー スイッチ
    • 580kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト スタート:1ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV / UV 保護
  • 500mV、1.5A LDO (VDDQ) 内蔵
    • 出力電圧は 500mV 固定
    • 1.5A の連続出力電流
    • 必要なセラミック出力コンデンサは 10µF のみ
    • S3 でハイ インピーダンスをサポート
  • 低い静止電流:150µA
  • パワーグッド インジケータ
  • 出力放電機能
  • パワーアップ / パワーダウン シーケンス制御
  • ラッチなしの OT / UVLO 保護
  • 18 ピン 3.0mm × 3.0mm HotRod™ VQFN パッケージ
  • 同期整流降圧コンバータ (VDD2)
    • 入力電圧範囲:4.5V ~ 24V
    • 出力電圧は 1.065V 固定
    • D-CAP3™ 制御モードによる高速過渡応答
    • 連続出力電流:8A
    • 高度なパルス スキップを行う Eco モード
    • RDS(on) が 22mΩ / 8.6mΩ の内蔵パワー スイッチ
    • 600kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト スタート:1.6ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV / UV 保護
  • 同期整流降圧コンバータ (VDD1)
    • 入力電圧範囲:3V ~ 5.5V
    • 出力電圧は 1.8V 固定
    • D-CAP3 制御モードによる高速過渡応答
    • 連続出力電流:1A
    • 高度なパルス スキップを行う Eco モード
    • RDS(on) が 150mΩ / 120mΩ の内蔵パワー スイッチ
    • 580kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト スタート:1ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV / UV 保護
  • 500mV、1.5A LDO (VDDQ) 内蔵
    • 出力電圧は 500mV 固定
    • 1.5A の連続出力電流
    • 必要なセラミック出力コンデンサは 10µF のみ
    • S3 でハイ インピーダンスをサポート
  • 低い静止電流:150µA
  • パワーグッド インジケータ
  • 出力放電機能
  • パワーアップ / パワーダウン シーケンス制御
  • ラッチなしの OT / UVLO 保護
  • 18 ピン 3.0mm × 3.0mm HotRod™ VQFN パッケージ

TPS51488 デバイスは、LPDDR5 メモリ システム用の包括的な電源設計を最小の総コストと設計サイズで実現します。本デバイスは、LPDDR5 のパワーアップおよびパワーダウン シーケンス要件に関する JEDEC 規格を満たしています。TPS51488 は、2 つの同期整流降圧コンバータ (VDD1 および VDD2) と 1.5A LDO (VDDQ) を内蔵しています。

また、D-CAP3 制御モードと 600kHz のスイッチング周波数を採用することで、高速過渡応答、優れたロード / ライン レギュレーション、外部補償回路なしでのセラミック出力コンデンサの使用を実現しています。

TPS51488 は設定の自由度が高く、低 Rdson パワー MOSFET を内蔵しているため、高効率を実現しています。柔軟な電力状態制御に対応しており、S3 では VDDQ を高インピーダンスにし、S4 または S5 状態では VDD1、VDD2、VDDQ を放電します。OVP、UVP、OCP、UVLO、サーマル シャットダウンを含む、包括的な保護機能を備えています。本デバイスは、放熱性能を強化した 18 ピン HotRod VQFN パッケージで提供され、接合部温度は -40℃ ~ 125℃ で規定されています。

TPS51488 デバイスは、LPDDR5 メモリ システム用の包括的な電源設計を最小の総コストと設計サイズで実現します。本デバイスは、LPDDR5 のパワーアップおよびパワーダウン シーケンス要件に関する JEDEC 規格を満たしています。TPS51488 は、2 つの同期整流降圧コンバータ (VDD1 および VDD2) と 1.5A LDO (VDDQ) を内蔵しています。

また、D-CAP3 制御モードと 600kHz のスイッチング周波数を採用することで、高速過渡応答、優れたロード / ライン レギュレーション、外部補償回路なしでのセラミック出力コンデンサの使用を実現しています。

TPS51488 は設定の自由度が高く、低 Rdson パワー MOSFET を内蔵しているため、高効率を実現しています。柔軟な電力状態制御に対応しており、S3 では VDDQ を高インピーダンスにし、S4 または S5 状態では VDD1、VDD2、VDDQ を放電します。OVP、UVP、OCP、UVLO、サーマル シャットダウンを含む、包括的な保護機能を備えています。本デバイスは、放熱性能を強化した 18 ピン HotRod VQFN パッケージで提供され、接合部温度は -40℃ ~ 125℃ で規定されています。

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* データシート TPS51488 による LPDDR5 メモリ向けの包括的な電源設計 PDF | HTML PDF | HTML 2026/06/19

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