제품 상세 정보

Continuous current (max) (A) 75 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (Hz) 1000000 Sensitivity error (%) 0.75 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 75 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (Hz) 1000000 Sensitivity error (%) 0.75 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • High continuous current capability: 75 A RMS
  • Robust reinforced isolation
    • Withstand isolation voltage: 5000 V RMS
    • Reinforced working voltage: 1100 V DC
  • High accuracy
    • Sensitivity error: ± 0.3%
    • Sensitivity drift: ± 20 ppm/°C
    • Offset error: ± 1 mV
    • Offset drift: ± 20 µV/°C
    • Non-linearity: ± 0.1%
  • Low lifetime drift: ± 0.5% (maximum)
  • High immunity to external magnetic fields
  • Low power supply rejection ratio: 60 dB
  • Signal bandwidth: 1 MHz
  • Low propagation delay: 80 ns
  • Fast overcurrent detection response: 500 ns
  • Operating supply range: 3 V to 5.5 V
  • Bidirectional and unidirectional current sensing
  • Multiple sensitivity options:
    • TMCS1133x1A: 25 mV/A
    • TMCS1133B8A: 33 mV/A
    • TMCS1133x2A: 50 mV/A
    • TMCS1133x3A: 75 mV/A
    • TMCS1133x4A: 100 mV/A
    • TMCS1133x5A: 150 mV/A
  • Safety related certifications (planned)
    • UL 1577 Component Recognition Program
    • IEC/CB 62368-1
  • High continuous current capability: 75 A RMS
  • Robust reinforced isolation
    • Withstand isolation voltage: 5000 V RMS
    • Reinforced working voltage: 1100 V DC
  • High accuracy
    • Sensitivity error: ± 0.3%
    • Sensitivity drift: ± 20 ppm/°C
    • Offset error: ± 1 mV
    • Offset drift: ± 20 µV/°C
    • Non-linearity: ± 0.1%
  • Low lifetime drift: ± 0.5% (maximum)
  • High immunity to external magnetic fields
  • Low power supply rejection ratio: 60 dB
  • Signal bandwidth: 1 MHz
  • Low propagation delay: 80 ns
  • Fast overcurrent detection response: 500 ns
  • Operating supply range: 3 V to 5.5 V
  • Bidirectional and unidirectional current sensing
  • Multiple sensitivity options:
    • TMCS1133x1A: 25 mV/A
    • TMCS1133B8A: 33 mV/A
    • TMCS1133x2A: 50 mV/A
    • TMCS1133x3A: 75 mV/A
    • TMCS1133x4A: 100 mV/A
    • TMCS1133x5A: 150 mV/A
  • Safety related certifications (planned)
    • UL 1577 Component Recognition Program
    • IEC/CB 62368-1

The TMCS1133 is a galvanically isolated Hall-effect current sensor with industry leading isolation and accuracy. An output voltage proportional to the input current is provided with excellent linearity and low drift at all sensitivity options. Precision signal conditioning circuitry with built-in drift compensation is capable of less than 2.5% maximum total error over temperature and lifetime with no system level calibration, or less than 1.5% maximum total error with a one-time room temperature calibration (including both lifetime and temperature drift).

AC or DC input current flows through an internal conductor generating a magnetic field measured by integrated on-chip Hall-effect sensors. Core-less construction eliminates the need for magnetic concentrators. Differential Hall sensors reject interference from stray external magnetic fields. Low conductor resistance increases measurable current ranges up to ± 96A while minimizing power loss and easing thermal dissipation requirements. Insulation capable of withstanding 5000V RMS, coupled with minimum 8.1 mm creepage and clearance provide up to 1100V DC reliable lifetime reinforced working voltage. Integrated shielding enables excellent common-mode rejection and transient immunity.

Fixed sensitivity allows the TMCS1133 to operate from a single 3V to 5.5V power supply, eliminates ratiometry errors, and improves supply noise rejection.

The TMCS1133 is a galvanically isolated Hall-effect current sensor with industry leading isolation and accuracy. An output voltage proportional to the input current is provided with excellent linearity and low drift at all sensitivity options. Precision signal conditioning circuitry with built-in drift compensation is capable of less than 2.5% maximum total error over temperature and lifetime with no system level calibration, or less than 1.5% maximum total error with a one-time room temperature calibration (including both lifetime and temperature drift).

AC or DC input current flows through an internal conductor generating a magnetic field measured by integrated on-chip Hall-effect sensors. Core-less construction eliminates the need for magnetic concentrators. Differential Hall sensors reject interference from stray external magnetic fields. Low conductor resistance increases measurable current ranges up to ± 96A while minimizing power loss and easing thermal dissipation requirements. Insulation capable of withstanding 5000V RMS, coupled with minimum 8.1 mm creepage and clearance provide up to 1100V DC reliable lifetime reinforced working voltage. Integrated shielding enables excellent common-mode rejection and transient immunity.

Fixed sensitivity allows the TMCS1133 to operate from a single 3V to 5.5V power supply, eliminates ratiometry errors, and improves supply noise rejection.

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기술 문서

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* Data sheet TMCS1133Precision1 MHzHall-Effect Current Sensor With ±1100V ReinforcedIsolationWorking Voltage, Overcurrent Detectionand Ambient Field Rejection datasheet PDF | HTML 2023/10/30
Certificate TMCS1133AEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023/08/21
Certificate TMCS1133BEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023/08/21
Certificate TMCS1133CEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023/08/21
Application brief Low-Drift, Precision, In-Line Isolated Magnetic Motor Current Measurements (Rev. A) 2023/07/24

설계 및 개발

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평가 보드

TMCS-A-ADAPTER-EVM — DVG, DVF 또는 DZP 패키지용 TMCS 절연 홀 효과 전류 센서 어댑터 카드(홀 효과 전류 센서 포함 안 됨)

TMCS-A-ADAPTER-EVM은 DVG, DVF 또는 DZP 패키지를 사용하는 TMCS 절연 홀 효과 정밀 전류 감지 모니터를 빠르고 편리하게 사용할 수 있도록 설계된 평가 모듈(EVM)입니다. 이 EVM을 사용하면 절연 장벽을 통해 절연 출력을 측정하는 동시에 홀 입력 측을 통해 최대 90A 전류를 푸시할 수 있습니다. TMCS-A-ADAPTER-EVM은 장치 평가를 위한 테스트 포인트를 채우는 위치와 브레이크아웃 헤더 핀을 채우기 위한 위치가 포함된 단일의 채워지지 않은 PCB로 구성됩니다. PCB 패드는 중첩되어 DVG, (...)

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매할 수 없습니다
평가 보드

TMCS1133EVM — 절연 홀 효과 전류 감지용 TMCS1133 평가 모듈

TMCS1133EVM 평가 모듈(EVM)은 내부 비율 측정 레퍼런스를 사용하는 절연 홀 효과 정밀 전류 감지 모니터인 TMCS1133을 쉽고 빠르게 사용할 수 있도록 설계된 도구입니다. 이 EVM을 사용하면 강화 절연 장벽을 통해 절연 출력을 측정하는 동시에 홀 입력 측을 통해 최대 작동 전류를 푸시할 수 있습니다. 고정 레이아웃은 대상 회로의 모델로 의도된 것이 아니며, EMI(전자기장) 테스트용으로 배치된 것도 아닙니다. 이 EVM은 단일 PCB(인쇄 회로 기판)로 구성되어 있으며, 5개의 개별 조각으로 분리 가능하기 때문에 (...)

사용 설명서: PDF | HTML
레퍼런스 디자인

PMP23338 — 전자 계량기 기능을 지원하는 3.6kW, 단상 토템 폴 브리지리스 PFC 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 M-CRPS 전원 공급을 목표로 하는 질화 갈륨(GaN) 기반, 3kW, 단일 위상 CCM(연속 전도 모드) 토템 폴 브리지리스 PFC(역률 보정) 컨버터입니다. 이 설계에는 0.5%의 정확도의 전기 계량기 기능이 포함되어 있어 외부 전력 계량 IC가 필요 없습니다. 이 공급 장치는 16A RMS의 최대 입력 전류와 3.6kW의 피크 전력을 지원하도록 설계되었습니다. 전력계 다음에는 베이비 부스트 컨버터가 있으며, 이를 이용해 벌크 커패시터의 크기를 대폭 줄일 수 있습니다. 일체형 드라이버와 보호 기능을 갖춘 (...)
Test report: PDF
패키지 다운로드
SOIC (DVG) 10 옵션 보기

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

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