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ESD 보호 다이오드

TPD2EUSB30A

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USB 3.0용 5A 서지 정격을 지원하는 듀얼 0.7pF, 3.6V, ±8kV ESD 보호 다이오드

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TPD2EUSB30A

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Package name SOT-9X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 5 Clamping voltage (V) 8 Dynamic resistance (typ) 0.6 Interface type Ethernet, LVDS, USB 2.0, USB 3.0 Breakdown voltage (min) (V) 4.5 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Number of channels 2 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Package name SOT-9X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 5 Clamping voltage (V) 8 Dynamic resistance (typ) 0.6 Interface type Ethernet, LVDS, USB 2.0, USB 3.0 Breakdown voltage (min) (V) 4.5 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
SOT-9X3 (DRT) 3 1 mm² 1 x 1
  • Supports USB 3.0 data rates (5 Gbps)
  • IEC 61000-4-2 ESD protection (level 4 contact)
  • IEC 61000-4-5 surge protection
    • 5 A (8/20 µs)
  • Low capacitance
    • DRT: 0.7 pF (typical)
    • DQA: 0.8 pF (typical)
  • Dynamic resistance: 0.6 Ω (typical)
  • Space-saving DRT, DQA packages
  • Flow-through pin mapping
  • Supports USB 3.0 data rates (5 Gbps)
  • IEC 61000-4-2 ESD protection (level 4 contact)
  • IEC 61000-4-5 surge protection
    • 5 A (8/20 µs)
  • Low capacitance
    • DRT: 0.7 pF (typical)
    • DQA: 0.8 pF (typical)
  • Dynamic resistance: 0.6 Ω (typical)
  • Space-saving DRT, DQA packages
  • Flow-through pin mapping

The TPD2EUSB30, TPD2EUSB30A, and TPD4EUSB30 are 2 and 4 channel Transient Voltage Suppressor (TVS) based Electrostatic Discharge (ESD) protection diode arrays. The TPDxEUSB30/A devices are rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Contact). These devices also offer 5 A (8/20 µs) peak pulse current ratings per IEC 61000-4-5 (Surge) specification.

The TPD2EUSB30A offers low 4.5-V DC break-down voltage. The low capacitance, low break-down voltage, and low dynamic resistance make the TPD2EUSB30A a superior protection device for high-speed differential IOs.

The TPD2EUSB30 and TPD2EUSB30A are offered in space saving DRT (1 mm × 1 mm) package. The TPD4EUSB30 is offered in space saving DQA (2.5 mm × 1.0 mm) package.

The TPD2EUSB30, TPD2EUSB30A, and TPD4EUSB30 are 2 and 4 channel Transient Voltage Suppressor (TVS) based Electrostatic Discharge (ESD) protection diode arrays. The TPDxEUSB30/A devices are rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Contact). These devices also offer 5 A (8/20 µs) peak pulse current ratings per IEC 61000-4-5 (Surge) specification.

The TPD2EUSB30A offers low 4.5-V DC break-down voltage. The low capacitance, low break-down voltage, and low dynamic resistance make the TPD2EUSB30A a superior protection device for high-speed differential IOs.

The TPD2EUSB30 and TPD2EUSB30A are offered in space saving DRT (1 mm × 1 mm) package. The TPD4EUSB30 is offered in space saving DQA (2.5 mm × 1.0 mm) package.
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* Data sheet TPDxEUSB30 2-, 4-Channel ESD Protection for Super-Speed USB 3.0 Interface datasheet (Rev. G) PDF | HTML 2021/06/01
User guide Reading and Understanding an ESD Protection Data Sheet (Rev. A) PDF | HTML 2023/09/19
Application note ESD Packaging and Layout Guide (Rev. B) PDF | HTML 2022/08/18
Analog Design Journal Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection 2012/09/25

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

ESDEVM — 0402, 0201 등을 포함한 ESD 다이오드 패키지용 범용 평가 모듈

ESD(정전기에 민감한 장치) EVM(평가 모듈)은 대부분의 ESD 포트폴리오를 위한 개발 플랫폼입니다. 이 보드에는 디바이스의 수를 테스트할 수 있도록 기존의 모든 ESD 풋프린트가 함께 제공됩니다. 장치를 적절한 풋프린트에 납땜한 후 테스트할 수 있습니다. 일반적인 고속 ESD 다이오드의 경우 S 매개 변수를 받고 보드 트레이스를 임베드하기 위해 임피던스 제어 레이아웃이 구현되어 있습니다. 비 고속 ESD 다이오드의 경우 고장 전압, 유지 전압, 누설 등의 DC 테스트를 쉽게 실행할 수 있도록 테스트 지점으로 가는 트레이스가 (...)
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

TPD2EUSB30A IBIS Model

SLVM401.ZIP (2 KB) - IBIS Model
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레퍼런스 디자인

TIDEP0076 — DLP® 구조적 조명을 사용한 AM572x 프로세서 기반의 3D 머신 비전 레퍼런스 디자인

TIDEP0076 3D 머신 비전 설계는 구조적 조명 원칙에 기반을 둔 임베디드 3D 스캐너를 설명합니다. Sitara™ AM57xx 프로세서 SoC(System on Chip)와 함께 디지털 카메라를 사용하면 DLP4500 기반 프로젝터의 반사 조명 패턴을 캡처할 수 있습니다. 캡처한 패턴의 후속 처리, 개체의 3D 포인트 클라우드 계산 및 3D 시각화는 모두 AM57xx 프로세서 SoC 내에서 수행됩니다. 이 설계는 호스트 PC 기반 구현보다 전력, 단순성, 비용 및 크기의 이점이 포함된 임베디드 솔루션을 제공합니다.
Design guide: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

PMP40496 — 5V USB를 지원하는 2셀 부스트 충전 시스템 레퍼런스 설계

이 5V USB, 2셀 배터리 부스트 충전기 레퍼런스 설계에는 케이블로 연결하거나 독립적으로 작동할 수 있는 게이지가 있는 충전기 시스템과 2셀 배터리 홀더가 포함되어 있습니다. 충전기 시스템의 주요 구성 요소로는 BQ25883 부스트 충전기, TUSB320LAI Type-C CC 로직, MSP430FR2433 MCU(마이크로컨트롤러), OLED 디스플레이, USB Type-C 및 Micro B 커넥터가 있습니다. 배터리 게이지는 BQ28Z610으로, BQ25883의 내부 ADC와 결합되어 충전 및 배터리 매개 변수를 (...)
Test report: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

TIDEP0046 — DSP 가속화용 OpenCL을 사용한 AM57x의 몬테카를로 시뮬레이션 레퍼런스 디자인

TI’s high performance ARM® Cortex®-A15 based AM57x processors also integrate C66x DSPs. These DSPs were designed to handle high signal and data processing tasks that are often required by industrial, automotive and financial applications. The AM57x OpenCL implementation makes it easy (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

TIDEP0047 — TI의 AM57x 프로세서를 사용한 전력 및 열 설계 고려 사항 레퍼런스 설계

This is a reference design based on the AM57x processor and companion TPS659037 power management integrated circuit (PMIC).  This design specifically highlights important power and thermal design considerations and techniques for systems designed with AM57x and TPS659037.  It includes (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOT-9X3 (DRT) 3 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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