홈 전력 관리 전력계 질화 갈륨(GaN) 전력계
홈
전력 관리
전력계
질화 갈륨(GaN) 전력계
신규

TPS7H6101-SEP

활성

Radiation-tolerant, 200V 10A GaN power stage with integrated driver

지금 주문하기
데이터 시트

TPS7H6101-SEP

활성
데이터 시트 지금 주문하기

제품 상세 정보

VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
UNKNOWN (NPR) 64 See data sheet LGA (NPR) 64 11664 mm² (108 mm × 108 mm)
  • Radiation performance:
    • Total ionizing dose (TID) characterized(1)
      • Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
    • Single-event effects (SEE) characterized(2)
      • Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
      • Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V ehancement mode (e-mode) GaN FET half bridge
    • 15mΩRDS(ON) (typical)
    • Up to 2MHz operation
  • LGA package:
    • Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
    • Integrated gate drive resistors
    • Low common source inductance packaging
    • Electrically isolated high-side and low-side
  • Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
    • Low propagation delay
    • Two operational modes
      • Single PWM input with adjustable dead time
      • Two independent inputs
    • Programmable dead time control
    • Selectable input interlock protection in independent input mode
    • 5V gate drive supply for robust FET operation
  • Radiation performance:
    • Total ionizing dose (TID) characterized(1)
      • Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
    • Single-event effects (SEE) characterized(2)
      • Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
      • Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V ehancement mode (e-mode) GaN FET half bridge
    • 15mΩRDS(ON) (typical)
    • Up to 2MHz operation
  • LGA package:
    • Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
    • Integrated gate drive resistors
    • Low common source inductance packaging
    • Electrically isolated high-side and low-side
  • Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
    • Low propagation delay
    • Two operational modes
      • Single PWM input with adjustable dead time
      • Two independent inputs
    • Programmable dead time control
    • Selectable input interlock protection in independent input mode
    • 5V gate drive supply for robust FET operation

The TPS7H6101 is a radiation-tolerant 200V e-mode GaN power-FET half bridge with integrated gate driver. Integration of the e-mode GaN FETs and gate driver simplifies design, reduces component count, and reduces board space. Support for half-bridge and two independent switch topologies, configurable dead time, and configurable shoot through interlock protection facilitates support for a wide variety of applications and implementations.

The TPS7H6101 is a radiation-tolerant 200V e-mode GaN power-FET half bridge with integrated gate driver. Integration of the e-mode GaN FETs and gate driver simplifies design, reduces component count, and reduces board space. Support for half-bridge and two independent switch topologies, configurable dead time, and configurable shoot through interlock protection facilitates support for a wide variety of applications and implementations.

filter 기타 질화 갈륨(GaN) 전력계 찾기
다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 비디오

기술 자료

검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하세요.
11개 모두 보기
상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 TPS7H6101-SEP 200V, 10A GaN Half Bridge Power Stage datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2026. 3. 26
* 방사능 및 안정성 보고서 Single-Event Effects (SEE) Radiation Report of the TPS7H6101-SEP PDF | HTML 2026. 4. 2
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H6101-SEP Production Flow and Reliability Report (Rev. A) PDF | HTML 2026. 3. 27
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H6101 Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report 2026. 2. 20
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H6101-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) 2026. 1. 28
백서 IC Sourcing for Space: Pros and Cons of Up-screening COTS Versus Space Enhanced Products (SEP) PDF | HTML 2026. 7. 28
애플리케이션 노트 Highly Scalable Space Motor Control Platform based on TI’s Space Enhanced Products (-SEP) and Space Products PDF | HTML 2026. 6. 8
선택 가이드 TI Space Products (Rev. L) 2026. 3. 27
인증서 TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) PDF | HTML 2025. 4. 16
애플리케이션 노트 Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 2022. 9. 15
e북 Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019. 5. 21

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 평가 모듈

TPS7H6101EVM은 J13의 입력 전압 레일을 사용하여 100V의 PVIN 전력을 공급합니다. 기본적으로 장치는 PWM 모드를 실행하고 IIM 모드를 최소한의 변경만으로 사용할 수 있습니다. J8에 0V~5V 파형을 입력하면 TPS7H6101-SP는 사용자가 선택한 듀티 사이클과 주파수에 따라 벅 컨버터로 실행됩니다. TPS7H6101EVM은 빠른 시작 가이드에 언급된 매개 변수에 따라 설정 및 테스트되었습니다. 빠른 시작 가이드에 명시된 입력 이외의 값을 사용할 경우 보드의 열 관리와 인덕터의 18A 포화 전류를 고려해야 (...)
사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

TPS7H6101-SP PSpice Transient Model

SNOM820.ZIP (66 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
UNKNOWN (NPR) 64 Ultra Librarian
LGA (NPR) 64 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

비디오 시리즈

모든 비디오 보기

동영상