TPS7H6101-SEP
- Radiation performance:
- Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
- Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
- Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
- 200V e-mode GaN FET half bridge
- 15mΩRDS(ON) (typ)
- 100kHz to 2MHz operation
- LGA package:
- Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
- Integrated gate drive resistors
- Low common source inductance packaging
- Electrically isolated high-side and low-side
- Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
- Low propagation delay
- Two operational modes
- Single PWM input with adjustable dead time
- Two independent inputs
- Programmable dead time control
- Selectable input interlock protection in independent input mode
- 5V gate drive supply for robust FET operation
The TPS7H6101 is a radiation-tolerant 200V e-mode GaN power-FET half bridge with integrated gate driver; integration of the e-mode GaN FETs and gate driver simplifies design, reduces component count, and reduces board space. Support for half-bridge and two independent switch topologies, configurable dead time, and configurable shoot through interlock protection facilitates support for a wide variety of applications and implementations.
기술 자료
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6개 모두 보기 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | TPS7H6101-SEP 200V, 10A GaN Half Bridge Power Stage datasheet | PDF | HTML | 2025/05/14 |
| * | Radiation & reliability report | TPS7H6101-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) | 2026/01/28 | |
| Certificate | TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025/04/16 | ||
| Selection guide | TI Space Products (Rev. K) | 2025/04/04 | ||
| Application note | Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) | PDF | HTML | 2022/09/15 | |
| E-book | Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) | 2019/05/21 |
설계 및 개발
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평가 보드
TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 평가 모듈
TPS7H6101EVM은 J13의 입력 전압 레일을 사용하여 100V의 PVIN 전력을 공급합니다. 기본적으로 장치는 PWM 모드를 실행하고 IIM 모드를 최소한의 변경만으로 사용할 수 있습니다. J8에 0V~5V 파형을 입력하면 TPS7H6101-SP는 사용자가 선택한 듀티 사이클과 주파수에 따라 벅 컨버터로 실행됩니다. TPS7H6101EVM은 빠른 시작 가이드에 언급된 매개 변수에 따라 설정 및 테스트되었습니다. 빠른 시작 가이드에 명시된 입력 이외의 값을 사용할 경우 보드의 열 관리와 인덕터의 18A 포화 전류를 고려해야 (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| UNKNOWN (NPR) | 64 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.