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TPS7H6101-SEP

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제품 상세 정보

VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
UNKNOWN (NPR) 64 See data sheet LGA (NPR) 64 11664 mm² (108 mm × 108 mm)
  • Radiation performance:
    • Total ionizing dose (TID) characterized(1)
      • Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
    • Single-event effects (SEE) characterized(2)
      • Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
      • Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V ehancement mode (e-mode) GaN FET half bridge
    • 15mΩRDS(ON) (typical)
    • Up to 2MHz operation
  • LGA package:
    • Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
    • Integrated gate drive resistors
    • Low common source inductance packaging
    • Electrically isolated high-side and low-side
  • Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
    • Low propagation delay
    • Two operational modes
      • Single PWM input with adjustable dead time
      • Two independent inputs
    • Programmable dead time control
    • Selectable input interlock protection in independent input mode
    • 5V gate drive supply for robust FET operation
  • Radiation performance:
    • Total ionizing dose (TID) characterized(1)
      • Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
    • Single-event effects (SEE) characterized(2)
      • Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
      • Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
  • 200V ehancement mode (e-mode) GaN FET half bridge
    • 15mΩRDS(ON) (typical)
    • Up to 2MHz operation
  • LGA package:
    • Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
    • Integrated gate drive resistors
    • Low common source inductance packaging
    • Electrically isolated high-side and low-side
  • Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
    • Low propagation delay
    • Two operational modes
      • Single PWM input with adjustable dead time
      • Two independent inputs
    • Programmable dead time control
    • Selectable input interlock protection in independent input mode
    • 5V gate drive supply for robust FET operation

The TPS7H6101 is a radiation-tolerant 200V e-mode GaN power-FET half bridge with integrated gate driver. Integration of the e-mode GaN FETs and gate driver simplifies design, reduces component count, and reduces board space. Support for half-bridge and two independent switch topologies, configurable dead time, and configurable shoot through interlock protection facilitates support for a wide variety of applications and implementations.

The TPS7H6101 is a radiation-tolerant 200V e-mode GaN power-FET half bridge with integrated gate driver. Integration of the e-mode GaN FETs and gate driver simplifies design, reduces component count, and reduces board space. Support for half-bridge and two independent switch topologies, configurable dead time, and configurable shoot through interlock protection facilitates support for a wide variety of applications and implementations.

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기술 자료

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상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 TPS7H6101-SEP 200V, 10A GaN Half Bridge Power Stage datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2026. 3. 26
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H6101-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. B) 2026. 8. 21
* 방사능 및 안정성 보고서 Single-Event Effects (SEE) Radiation Report of the TPS7H6101-SEP PDF | HTML 2026. 4. 2
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H6101-SEP Production Flow and Reliability Report (Rev. A) PDF | HTML 2026. 3. 27
* 방사능 및 안정성 보고서 TPS7H6101 Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report 2026. 2. 20
애플리케이션 노트 How to Run Matlab© Simulink© Motor Control Example on C2000 LaunchPad™ Development Kit PDF | HTML 2026. 9. 15
백서 IC Sourcing for Space: Pros and Cons of Up-screening COTS Versus Space Enhanced Products (SEP) PDF | HTML 2026. 7. 28
애플리케이션 노트 Highly Scalable Space Motor Control Platform based on TI’s Space Enhanced Products (-SEP) and Space Products PDF | HTML 2026. 6. 8
선택 가이드 TI Space Products (Rev. L) 2026. 3. 27
인증서 TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) PDF | HTML 2025. 4. 16
애플리케이션 노트 Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 2022. 9. 15
e북 Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019. 5. 21

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 평가 모듈

TPS7H6101EVM은 J13의 입력 전압 레일을 사용하여 100V의 PVIN 전력을 공급합니다. 기본적으로 장치는 PWM 모드를 실행하고 IIM 모드를 최소한의 변경만으로 사용할 수 있습니다. J8에 0V~5V 파형을 입력하면 TPS7H6101-SP는 사용자가 선택한 듀티 사이클과 주파수에 따라 벅 컨버터로 실행됩니다. TPS7H6101EVM은 빠른 시작 가이드에 언급된 매개 변수에 따라 설정 및 테스트되었습니다. 빠른 시작 가이드에 명시된 입력 이외의 값을 사용할 경우 보드의 열 관리와 인덕터의 18A 포화 전류를 고려해야 (...)
사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

TPS7H6101-SP PSpice Transient Model

SNOM820.ZIP (66 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-010984 — 우주 항공 등급, SWaP 최적화, 10A, 150V, BLDC 및 스테퍼 모터 컨트롤 플랫폼 레퍼런스 설계

TIDA-010984는 완전한 우주 항공 등급 모터 컨트롤 플랫폼을 보여줍니다. 이 설계는 싱글 2상 및 3상 스테퍼 또는 듀얼 3상 모터 구성을 지원하며, 사다리꼴 또는 FOC(자속 기준 제어)를 구현할 수 있습니다. 또한 핀 호환 부품을 통해 다양한 방사능 저항 수준에 맞게 확장할 수 있습니다. MATLAB®/Simulink® 모델 기반 설계를 통해 소프트웨어 개발을 가속화하며, GaN 기술과 높은 수준의 장치 집적화로 보드 면적과 열 오버헤드를 최소화합니다.

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
UNKNOWN (NPR) 64 Ultra Librarian
LGA (NPR) 64 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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