UCC27614
- Typical 10-A sink 10-A source output currents
- Input and enable pins capable of withstanding up to –10 V
- Absolute maximum VDD voltage: 30 V
- Wide VDD operating range from 4.5 V to 26 V with UVLO
- Available in 2-mm x 2-mm SON8 package
- Typical 17.5-ns propagation delay
- EN (enable) pin in SOIC8 package
- IN– pin can be used for enable/disable functionality
- VDD independent input thresholds (TTL compatible)
- Can be used as inverting or non-inverting driver
- Operating junction temperature range of –40°C to 150°C
The UCC27614 is a single channel, high-speed, low-side gate driver capable of effectively driving MOSFET, IGBT, SiC, and GaN power switches. UCC27614 has a typical peak drive strength of 10 A, which reduces the rise and fall times of the power switches, lowering switching losses and increasing efficiency. The UCC27614 devices small propagation delay yields better power stage efficiency by improving the dead-time optimization, pulse width utilization, control loop response, and transient performance of the system.
UCC27614 can handle –10-V on its inputs, which improves robustness in systems with moderate ground bouncing. The inputs are independent of supply voltage and can be connected to most controller outputs for maximum control flexibility. An independent enable signal allows the power stage to be controlled independent of the main control logic. The gate driver can quickly shut off the power stage if there is a fault in the system (which requires the power train to be turned-off). The enable function also improves system robustness. Many high-frequency switching power supplies exhibit high frequency noise at the gate of the power device, which can get injected into the output pin of the gate driver and can cause the driver to malfunction. The UCC27614 performs well in such conditions due to its transient reverse current and reverse voltage capability.
The strong internal pulldown MOSFET holds the output low if the VDD voltage is below the specified UVLO threshold. This active pulldown feature further improves system robustness. The UCC27614 devices 10-A drive current in the 2-mm × 2mm package improves system power density. This small package also enables optimum gate driver placement and improved layout.
기술 자료
설계 및 개발
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UCC27614EVM — 단일 채널 30V, 10A 고속 저압측 게이트 드라이버용 UCC27614 평가 모듈
UCC27614 EVM(평가 모듈)은 TI의 30V, 10A 단일 채널 2 × 2 게이트 드라이버의 평가를 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 데이터시트 매개변수를 기준으로 드라이버 IC를 평가하는 것을 목표로 합니다. 드라이버 IC는 다양한 정전식 및 저항식 부하를 기준으로 평가할 수 있습니다. EVM은 반전 또는 비반전 구성으로 설정할 수 있습니다. 이 EVM에는 TO-220 풋프린트를 지원하는 전원 트랜지스터를 평가하기 위한 프로비저닝이 포함되어 있습니다.
SLURB20 — UCC27614 Schematic Review Template
PMP23126 — 전력 밀도가 270W/in3을 초과하는 액티브 클램프 레퍼런스 설계를 기반으로 한 3kW 위상 변이 풀 브리지
이 레퍼런스 설계는 최대 전력 밀도를 목표로 하는 GaN 기반 3kW PSFB(위상 이동 풀 브리지)입니다. 이 설계에는 보조 동기식 정류기 MOSFET에 대한 전압 응력을 최소화하기 위해 액티브 클램프가 있으며 그에 따라 더 우수한 FOM(figure-of-merit)과 더 낮은 전압 정격 MOSFET을 활용할 수 있습니다. PMP23126은 기본 측에서 TI의 30mΩ GaN을 사용하고 보조 측에서 실리콘 MOSFET를 사용합니다. LMG3522 상단 측 냉각d GaN과 일체형 드라이버 및 보호 기능이 Si MOSFET와 (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.