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CSD17381F4

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30V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 1mm x 0.6mm、117mOhm、閘極 ESD 防護

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產品詳細資料

VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 117 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 143 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.133 QGS (typ) (nC) 0.226 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.1 ID - package limited (A) 3.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 117 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 143 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.133 QGS (typ) (nC) 0.226 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.1 ID - package limited (A) 3.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² (1.035 mm × 0.635 mm)
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 90 mΩ, 30 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 90 mΩ, 30 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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設計與開發

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開發板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 通道評估模組

此 FemtoFET N 通道評估模組 (EVM) 包括七個子卡，每個子卡都包含不同的 FemtoFET N 通道零件編號。  子卡可讓工程師輕鬆連接和測試這些微型裝置。  七個 FemtoFET 的範圍為從 12V 到 60V VDS，而裝置的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

使用指南: PDF
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TIDA-01352 提供數位可編程電源供應器解決方案，用於超音波發射電路的供電，實現模組化與高效率的功率擴展能力。此設計使用推拉式拓撲結構產生高電壓 (HV) 和低電壓 (LV) 或中電壓電源供應。高壓軌的電壓可編程範圍為 ±50V 至 ±150V，低壓或中壓軌則為 ±2.5V 至 ±50V。每一軌道皆可持續提供 100W 的電力。可編程功能是透過板載的 12 位元數位類比轉換器 (DAC) (...)
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