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CSD75207W15

現行

-20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、雙共源極 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、27 mOhm、閘極 ESD 防護

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產品規格表

CSD75207W15

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產品詳細資料

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² 1.75 x 1.75
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.
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設計與開發

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參考設計

TIDA-00100 — 適用於低功耗藍牙 (BLE) 信標子系統的室內光線能源採集參考設計

適用於藍牙低功耗 (BLE) 信標子系統的室內光線能量採集參考設計提供了一個解決方案，其中只需零售環境（大於 250LUX）中的一般室內照明功率，藍牙低功耗晶片即可廣播 BLE 信標。

此子系統參考設計與現有解決方案高度差異化，因為它無需電池，因此可免除更換電池、電池充電的麻煩，並節省電池維護相關成本。  此解決方案還可確保只要有典型的室內照明，安裝不會受到任何限制。  也沒有開/關開關；整個負載連接和斷開連接由電源管理 IC 處理，從而確保解決方案可以自我管理。

Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
DSBGA (YZF) 9 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

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支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

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若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題，請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

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