CSD75207W15

現行

-20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、雙共源極 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、27 mOhm、閘極 ESD 防護

產品詳細資料

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² 1.75 x 1.75
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection >4 kV
    • HBM JEDEC standard JESD22-A114
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.

The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.

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類型 標題 日期
* Data sheet CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2014年 6月 12日
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Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
More literature WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
Application note AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

設計與開發

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參考設計

TIDA-00100 — 適用於低功耗藍牙 (BLE) 信標子系統的室內光線能源採集參考設計

The Indoor Light Energy Harvesting Reference Design for Bluetooth Low Energy (BLE) Beacon Subsystem provides a solution where by with just the power of the typical indoor lighting in a retail environment (greater than 250 LUX) the Bluetooth Low Energy chip can broadcast BLE beacons.

This subsystem (...)

Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 引腳 下載
DSBGA (YZF) 9 檢視選項

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 資格摘要
  • 進行中可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

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支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

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