JAJSJ66F May   2004  – April 2025 UCC2813-0-Q1 , UCC2813-1-Q1 , UCC2813-2-Q1 , UCC2813-3-Q1 , UCC2813-4-Q1 , UCC2813-5-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 説明
  5. デバイス比較表
  6. ピン構成および機能
  7. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  ピンの詳細説明
        1. 7.3.1.1 COMP
        2. 7.3.1.2 CS
        3. 7.3.1.3 FB
        4. 7.3.1.4 GND
        5. 7.3.1.5 OUT
        6. 7.3.1.6 RC
        7. 7.3.1.7 REF
        8. 7.3.1.8 VCC
      2. 7.3.2  低電圧誤動作防止 (UVLO)
      3. 7.3.3  自己バイアス、アクティブ Low 出力
      4. 7.3.4  基準電圧
      5. 7.3.5  発振器
      6. 7.3.6  同期
      7. 7.3.7  PWM ジェネレータ
      8. 7.3.8  最小オフ時間調整 (デッドタイム制御)
      9. 7.3.9  リーディング エッジ ブランキング
      10. 7.3.10 最小パルス幅
      11. 7.3.11 電流制限
      12. 7.3.12 過電流保護とフルサイクル再起動
      13. 7.3.13 ソフト スタート
      14. 7.3.14 スロープ補償
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 通常動作
      2. 7.4.2 UVLO モード
      3. 7.4.3 ソフトスタート モード
      4. 7.4.4 フォルト モード
  9. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  バルク キャパシタの計算
        2. 8.2.2.2  トランスの設計
        3. 8.2.2.3  MOSFET と出力ダイオードの選択
        4. 8.2.2.4  出力コンデンサの計算
        5. 8.2.2.5  電流検出ネットワーク
        6. 8.2.2.6  ゲート ドライブ抵抗
        7. 8.2.2.7  REF バイパス コンデンサ
        8. 8.2.2.8  RT および CT
        9. 8.2.2.9  スタートアップ回路
        10. 8.2.2.10 電圧帰還補償手順
          1. 8.2.2.10.1 電力段のゲイン、ゼロ、極
          2. 8.2.2.10.2 ループの補償
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 関連リンク
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 商標
    6. 9.6 静電放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • D|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

電流制限

UCC2813-x-Q1 ファミリには、1V (代表値) サイクル単位の電流制限スレッショルドが組み込まれています。この電流制限回路には、100ns のリーディング エッジ ブランキング間隔が適用されます。ブランキングは電流制限コンパレータ出力よりも優先され、リーディングエッジ スイッチ ノイズが電流制限機能をトリガすることを防止します。電流制限コンパレータから出力までの伝搬遅延は標準 70ns です。この高速パスにより、オン時間を短縮することで、過負荷時の電力半導体の消費電力を最小限に抑えることができます。

電流センス回路の効率を向上させるため、図 7-16 に示す回路を使用できます。抵抗 RA および RB は、実際の電流検出抵抗電圧を高くバイアスするため、小さな電流検出振幅を使用できます。この回路は、低電力損失電流センシングにより電流制限保護を実現します。

UCC2813-0-Q1 UCC2813-1-Q1 UCC2813-2-Q1 UCC2813-3-Q1 UCC2813-4-Q1 UCC2813-5-Q1 電流センス電圧を低減するためのバイアス CS図 7-16 電流センス電圧を低減するためのバイアス CS
UCC2813-0-Q1 UCC2813-1-Q1 UCC2813-2-Q1 UCC2813-3-Q1 UCC2813-4-Q1 UCC2813-5-Q1 CS ピンの電圧、バイアスあり図 7-17 CS ピンの電圧、バイアスあり

ここに示す例では、電流センス抵抗で 200mV のフルスケール信号を使用しています。抵抗 RB は、IC の電流制限コンパレータの 0.9V の最小仕様に合わせて、この電圧を約 700mV バイアスします。抵抗 RAの値は、リファレンス電圧が異なるため、使用するデバイス固有の値も変化します。電力損失が最小限になるよう、この抵抗値を選択する必要があります。たとえば、50µA のバイアス電流を使用する場合、RB は 13kΩ に設定され、RA は UCC2813-[0、1、2、4]-Q1 デバイスでは 75kΩ、UCC2813-[3、5]-Q1 デバイスでは RA = 56kΩ に設定されます。