JAJSW63A September   2024  – March 2025 DRV81080-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 SPI のタイミング要件
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 コントロールピン
        1. 7.3.1.1 入力ピン：
        2. 7.3.1.2 nSLEEP ピン
      2. 7.3.2 電源
        1. 7.3.2.1 動作モード
          1. 7.3.2.1.1 パワーアップ
          2. 7.3.2.1.2 スリープ モード
          3. 7.3.2.1.3 アイドル モード
          4. 7.3.2.1.4 アクティブ モード
          5. 7.3.2.1.5 リンプホームモード
        2. 7.3.2.2 リセット条件
      3. 7.3.3 電力段
        1. 7.3.3.1 スイッチング抵抗性負荷
        2. 7.3.3.2 誘導性出力クランプ
        3. 7.3.3.3 最大負荷インダクタンス
        4. 7.3.3.4 逆電流動作
        5. 7.3.3.5 並列でのチャネル スイッチング
        6. 7.3.3.6 電球突入モード (BIM)
        7. 7.3.3.7 PWM ジェネレータを内蔵
      4. 7.3.4 保護および診断機能
        1. 7.3.4.1 VM の低電圧
        2. 7.3.4.2 過電流保護
        3. 7.3.4.3 過熱保護機能
        4. 7.3.4.4 過熱警告
        5. 7.3.4.5 リンプ ホーム モードでの過熱および過電流保護
        6. 7.3.4.6 逆極性保護
        7. 7.3.4.7 過電圧保護
        8. 7.3.4.8 出力ステータス モニタ
        9. 7.3.4.9 オン状態での開放負荷検出
          1. 7.3.4.9.1 オン時の開放負荷 - 直接チャネル診断
          2. 7.3.4.9.2 オン時の開放負荷 - 診断ループ
          3. 7.3.4.9.3 OLON ビット
      5. 7.3.5 SPI 通信
        1. 7.3.5.1 SPI 信号の説明
          1. 7.3.5.1.1 チップ セレクト (nSCS)
            1. 7.3.5.1.1.1 ロジック High からロジック Low への遷移
            2. 7.3.5.1.1.2 ロジック Low からロジック High への遷移
          2. 7.3.5.1.2 シリアル クロック (SCLK)
          3. 7.3.5.1.3 シリアル入力 (SDI)
          4. 7.3.5.1.4 シリアル出力 (SDO)
        2. 7.3.5.2 デイジー チェーン機能
        3. 7.3.5.3 SPI プロトコル
        4. 7.3.5.4 SPI レジスタ
          1. 7.3.5.4.1  標準診断レジスタ
          2. 7.3.5.4.2  出力制御レジスタ
          3. 7.3.5.4.3  電球突入モード レジスタ
          4. 7.3.5.4.4  入力 0 マッピング レジスタ
          5. 7.3.5.4.5  入力 1 マッピング レジスタ
          6. 7.3.5.4.6  入力ステータス モニタ レジスタ
          7. 7.3.5.4.7  開放負荷電流制御レジスタ
          8. 7.3.5.4.8  出力ステータス モニタ レジスタ
          9. 7.3.5.4.9  オン時のオープン負荷レジスタ
          10. 7.3.5.4.10 EN_OLON レジスタ
          11. 7.3.5.4.11 構成レジスタ
          12. 7.3.5.4.12 出力クリア ラッチ レジスタ
          13. 7.3.5.4.13 FPWM レジスタ
          14. 7.3.5.4.14 PWM0 構成レジスタ
          15. 7.3.5.4.15 PWM1 構成レジスタ
          16. 7.3.5.4.16 PWM_OUT レジスタ
          17. 7.3.5.4.17 MAP_PWM レジスタ
          18. 7.3.5.4.18 構成 2 レジスタ
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 推奨外付け部品
      2. 8.1.2 アプリケーションのプロット
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
    3. 8.3 レイアウト
      1. 8.3.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.3.2 パッケージ フットプリントの互換性
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 商標
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.5 電気的特性

VDD = 3V ～ 5.5V、VM = 4V ～ 40V、TJ = -40 °C ～ +150 °C (特に記述のない限り)

標準値：VDD = 5V、VM = 13.5V、T J = 25 °C

パラメータテスト条件最小値標準値最大値単位

電源電圧 (VM, VDD)

VM_OP

VM 最小動作電圧

ENx = 1b、UVRVM = 1b ～ VDS ≤ 1V、 RL = 50Ω

4

V

VDD_OP

VDD 動作電圧

fSCLK = 5MHz

3

5.5

V

VMDIFF

VMとVDDの電圧差

200

mV

IVM_SLEEP

スリープモードのアナログ電源電流

nSLEEP、IN0、IN1 はフローティング、VM = 5V ~ 28V、nSCS = VDDTJ ≤ 85 °C

0.6

3

μA

nSLEEP、IN0、IN1 はフローティング、nSCS = VDDTJ = 150°C

0.9

20

IVDD_SLEEP

スリープモードでのロジック電源電流nSLEEP、IN0、IN1 はフローティング、nSCS = VDDTJ ≤ 85 °C

0.1

1

μA
TJ = 150°C

0.7

4

ISLEEP

スリープ モードでの全体消費電流nSLEEP、IN0、IN1 はフローティング、VM = 5V ~ 28V、nSCS = VDDTJ ≤ 85 °C

4

μA
nSLEEP、IN0、IN1 はフローティング、nSCS = VDDTJ = 150°C

24

μA

IVM_IDLE

アイドルモードでのアナログ電源電流nSLEEP = 論理 High、IN0、IN1 フローティング、fSCLK = 0 MHz、ACT = 0b、ENx = 0b、IOLx = 0b、nSCS = VDD

2.1

mA

COR モード、VM ≤ VDD - 1V

0.3

mA

IVDD_IDLEアイドルモードのロジック電源電流nSLEEP = 論理 High、IN0、IN1 フローティング、fSCLK = 0 MHz、ACT = 0b、ENx = 0b、nSCS = VDD

0.1

mA

COR モード、VM ≤ VDD - 1V

1.9

IIDLEアイドルモードでの総消費電流nSLEEP = 論理 High、IN0、IN1 フローティング、fSCLK = 0 MHz、ACT = 0b、ENx = 0b、IOLx = 0b、nSCS = VDD

2.2

mA

IVM_ACT_OFF

アクティブ モード時のアナログ電源電流 - チャネル OFFnSLEEP = 論理 High、IN0、IN1 フローティング、fSCLK = 0 MHz、ACT = 0b、ENx = 0b、IOLx = 0b、nSCS = VDD

4.6

mA

COR モード、VM ≤ VDD - 1V

1

2.3

mA

IVM_ACT_ONアクティブ モード時のアナログ電源電流 - チャネル ONnSLEEP = 論理 High、IN0、IN1 フローティング、fSCLK = 0 MHz、ACT = 1b、ENx = 1b、IOLx = 0b、nSCS = VDDEN_OLON = 0100b

4.6

mA

COR モード、VM ≤ VDD - 1V

1

2.3

mA

IVDD_ACT_OFFアクティブ モードでのロジック電源電流 - チャネル OFFnSLEEP = 論理 High、IN0、IN1 フローティング、fSCLK = 0 MHz、ACT = 1b、ENx = 0b、nSCS = VDD

0.1

mA

COR モード、VM ≤ VDD - 1V

2.4

mA

I VDD_ACT_ONアクティブ モードでのロジック電源電流 - チャネル ONnSLEEP = 論理 High、IN0、IN1 フローティング、fSCLK = 0 MHz、ACT = 1b、ENx = 1b、nSCS = VDD

0.1

mA

COR モード、IOLx = 0b、EN_OLON = 0100b、VM≤VDD - 1V

2.4

mA

IACT_OFFアクティブ モードでの総消費電流 - チャネル OFF

nSLEEP = ロジック High、IN0、IN1 フローティング、fSCLK = 0 MHz、ACT = 1b、ENx = 0b、IOLx = 0b、nSCS = VDD

4.7

mA

IACT_ONアクティブ モードでの総消費電流 - チャネル ONnSLEEP = ロジック High、IN0、IN1 フローティング、fSCLK = 0 MHz、ACT = 1b、ENx = 1b、IOLx = 0b、EN_OLON = 0100b、nSCS = VDD

4.7

mA

tS2I

スリープからアイドルまでの遅延

nSLEEP ピンから TER+INST レジスタまで = 8680H

200

300

μs

tI2S

アイドルからスリープまでの遅延

nSLEEP ピンから標準診断 = 0000H、SDO から GND への外部プルダウン

100

150

μs

tI2A

アイドルからアクティブまでの遅延

INx または nSCS ピンから MODE = 10b

100

150

μs

tA2I

アクティブからアイドルまでの遅延

INx または nSCS ピンから MODE = 11b

100

150

μs

tS2LH

スリープからリンプホームまでの遅延

INx ピンから VDS = 10% VM

300 + tON

450 + tONμs

tLH2S

リンプホームからスリープまでの遅延

INx ピンから標準診断 = 0000H、SDO から GND の外部プルダウン200 + tOFF300 + tOFF

μs

tLH2A

リンプホームからアクティブまでの遅延

nSLEEP ピンから MODE = 10b

50

100

μs

tA2LH

アクティブからリンプホームまでの遅延

nSLEEP ピンから TER + INST レジスタ = 8683H (IN0 = IN1 = ロジック High) または8682H (IN1 = ロジック High、IN0 = ロジック Low) または 8681h (IN1 = ロジック Low、IN0 = ロジック High)

55

100

μs

tA2S

アクティブからスリープまでの遅延

nSLEEP ピンから標準診断 = 0000H、SDO から GND への外部プルダウン

50

100

μs

制御および SPI 入力 (nSLEEP、IN0、IN1、nSCS、SCLK、SDI)

VIL

入力ロジック Low 電圧

0

0.8

V

VIH

入力論理 High 電圧 (nSLEEP、IN0、IN1)

2

5.5

V

VIH_SPI入力ロジック High 電圧 (nSCS、SCLK、SDI)

2

VDD

V

IIL

入力ロジック Low 電流 (nSCS を除くすべてのピン)

VI = 0.8 V

8

12

16

μA

IIH

入力ロジック High 電流 (nSCS を除くすべてのピン)

VI = 2 V

20

30

40

μA
IIL_nSCSnSCS 入力ロジック Low 電流VnSCS = 0.8 V、VDD = 5V

30

60

90

μA

IIH_nSCS

nSCS 入力ロジック High 電流VnSCS = 2 V、VDD = 5V

10

40

65

μA

プッシュプル出力 (SDO)

VSDO_L

出力ロジック Low 電圧

ISDO = -1.5mA

0

0.4

V

VSDO_H

ロジック High 出力電圧

ISDO = 1.5mA

VDD - 0.4

VDD

V

ISDO_OFF

SDO トライステートリーク電流

VnSCS = VDD、VSDO = 0V または VDD

-0.5

0.5

μA

電力段

RDS(ON)

ON 抵抗

TJ = 25°C

0.4

0.7

0.95

Ω

TJ = 150 °C、IL = IL_EAR = 220 mA

0.6

1

1.4

IL_NOM

公称負荷電流 (すべてのチャネルがアクティブ)

TA = 85 °C、TJ ≤ 150 °C

330

500

mA

TA = 105 °C、TJ ≤ 150 °C

260

500

mA

IL_NOM公称負荷電流 (アクティブなチャネルの半分)TA = 85 °C、TJ ≤ 150 °C

470

500

mA

IL_EAR

最大エネルギー消費の負荷電流 - 反復 (すべてのチャネルがアクティブ)

TA = 85 °C、TJ ≤ 150 °C

220

mA

-IL_REV

チャネルあたりの逆電流機能 (ハイサイド動作時)IL_EAR

mA

EAR

最大エネルギー消費反復パルス- 2 * IL_EAR (2 チャネルを並列接続)TJ(0) = 85 °C、IL(0) = 2*IL_EAR、2*106 サイクル、影響を受けるチャネルではPAR = 1b

15

mJ

VDS_OPバッテリ電圧低下時の電力段の電圧降下RL = 50Ω、VM = VM1 = VM2 = VM_OP,max

0.05

0.2

V
VDS_OPバッテリ残量が少ない時にハイサイド チャネルで発生するパワーステージの電圧降下RL = 50Ω、VM = VM_OP,max、VM_HS = VM_OP,max

0.05

0.3

V

VOUT_CL

ハイサイド チャネルにおけるソースからグランドへの出力クランプ電圧

IL = 20mA、VM = VOUT_Dx = 7V

-24

-18

V

IL_OFF出力リーク電流 (各自動構成可能またはハイサイド チャネル)VIN = 0V またはフローティング、VDS = 28V、VOUT_S = 1.5V、ENx = 0b、TJ ≤ 85 °C

0.3

4

μA
IL_OFF出力リーク電流 (各自動構成可能またはハイサイド チャネル)VIN = 0V またはフローティング、VDS = 28V、VOUT_S = 1.5V、ENx = 0b、TJ = 150 °C

0.3

3

μA
tDLY_ONターンオン遅延 (INx ピンまたは制御ビットの入力から、ローサイド構成ではVOUT = 10% VMRL = 50Ω、VM = 13.5 V、アクティブモードまたはリンプホームモード

2

5

8

μs
tDLY_OFFターンオフ遅延 (INx ピンまたは制御ビットの入力から、ローサイド構成ではVOUT = 90% VMRL = 50Ω、VM = 13.5 V、アクティブモードまたはリンプホームモード

3

6

11

μs
tONターンオン時間 (INx ピンまたは制御ビットの入力から、ローサイド構成ではVOUT = 90% VMRL = 50Ω、VM = 13.5 V、アクティブモードまたはリンプホームモード

9

16

23

μs
tOFFターンオフ時間 (INx ピンまたは制御ビットの入力から、ローサイド構成ではVOUT = 10% VMRL = 50Ω、VM = 13.5 V、アクティブモードまたはリンプホームモード

11

17

25

μs
tON - tOFFターンオン/オフマッチングRL = 50Ω、VM = 13.5 V、アクティブモードまたはリンプホームモード

-10

0

10

μs
SRONターンオン時のスルーレート、ローサイド構成ではVDS = 30% ～ 70%RL = 50Ω、VM = 13.5 V、アクティブ モードまたはリンプ ホーム モード、SR = 0b

0.6

1.3

1.8

V/μs
RL = 50Ω、VM = 13.5 V、アクティブ モードまたはリンプ ホーム モード、SR = 1b

1.3

2.5

3.6

V/μs
SROFFターンオン時のスルーレート、ローサイド構成ではVDS = 70% ～ 30%RL = 50Ω、VM = 13.5 V、アクティブ モードまたはリンプ ホーム モード、SR = 0b

0.6

1.3

1.8

V/μs
RL = 50Ω、VM = 13.5 V、アクティブ モードまたはリンプ ホーム モード、SR = 1b

1.3

2.5

3.6

V/μs

tINRUSH

バルブ突入電流モードの再起動時間

アクティブ モード

40

μs

tBIM

電球突入モードのリセット時間

アクティブ モード

40

ms

fINT

内部基準周波数

FPWM = 1000b

80

102

125

kHz

fINT_VAR内部基準周波数

変動

-15

15

%

tSYNC内部基準周波数同期時間

FPWM = 1000b

7

10

μs

PROTECTION

VM_UVLO_FVM 低電圧シャットダウン (立ち下がり)ENx =オン、VDS≤1V ～ UVRVM = 1b、RL = 50Ω

2.64

2.73

2.82

V

VM_UVLO_RVM 低電圧シャットダウン (立ち上がり)

2.77

2.86

2.95

V

VDD_UVLOVDD 低電圧シャットダウンVSDI = VSCLK = VnSCS = 0V、SDO を Low から Hi-Z に

2.5

2.65

2.8

V

VDD_HYS

VDD 低電圧シャットダウン ヒステリシス

120

mV

IL_OCP0

過電流保護スレッショルド、OCP = 0b

TJ = -40°C

1.3

1.5

1.8

A

TJ = 25°C

1.3

1.45

1.7

A

TJ = 150°C

1.2

1.4

1.6

A

IL_OCP1過電流保護スレッショルド、OCP = 0bTJ = -40°C

0.7

0.8

1

A

TJ = 25°C

0.65

0.75

0.9

A

TJ = 150°C

0.65

0.72

0.85

A

IL_OCP0過電流保護スレッショルド、OCP = 1bTJ = -40°C

2.2

2.5

3

A
TJ = 25°C

2.1

2.4

2.8

A
TJ = 150°C

1.9

2.1

2.4

A
IL_OCP1過電流保護スレッショルド、OCP = 1bTJ = -40°C

1

1.3

1.6

A
TJ = 25°C

1

1.3

1.55

A
TJ = 150°C

1

1.25

1.5

A
tOCPIN過電流スレッショルドの切り替え遅延時間

70

170

260

μs
tOFF_OCP過電流シャットダウン遅延時間

BIMx = PARx = 0b

4

7

11

μs

TOTW

過熱警告

120

140

160

℃

THYS_OTW

過熱警告

ヒステリシス

12

℃

TTSD

サーマル シャットダウン温度

150

175

200

℃
VM_AZ

過電圧保護

IVM = 10mA、スリープモード

42

47

52

V

RDS_REV

逆極性時のオン抵抗

VM = -VM_REV、IL = IL_EAR

TJ = 25°C

0.7

Ω

TJ = 150°C

1.1

Ω

tRETRY0_LHリンプホームモードでの再起動時間

7

10

13

ms

tRETRY1_LHリンプホームモードでの再起動時間

14

20

26

ms

tRETRY2_LHリンプホームモードでの再起動時間

28

40

52

ms

tRETRY3_LHリンプホームモードでの再起動時間

56

80

104

ms

tOSM出力ステータスモニタコンパレータのセトリング時間

20

μs
VOSM出力ステータス監視スレッショルド電圧

3

3.3

3.6

V

IOL出力診断電流VOUT_S = 3.3V

, VM = 13.5V

60

75

95

μA
IOL出力診断電流VOUT_S = 3.3V

, VM = 5V ～28V

50

75

100

μA
ROL開放負荷等価抵抗

VM = 13.5 V

110

160

kΩ
ROL開放負荷等価抵抗VM = 7V～18V

30

230

kΩ

tONMAX

スイッチがオンの状態での開放負荷診断において、マルチプレクサが起動するまでの待機時間

OLMAX = 0b

40

60

85

μs

tOLONSET

オン時開放負荷診断のセトリング タイム

25

40

μs

tOLONSW

オン診断チャネルの切り替え時間での開放負荷

15

20

μs

IL_OL

開放負荷検出スレッショルド電流

3

6

9

mA