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Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen

LMG3622

AKTIV

700V 106mΩ GaN FET with integrated driver and protection

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Datenblatt

LMG3622

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Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 700V, 106mΩ, GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad
  • 700V, 106mΩ, GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad

The LMG3622 is a 700V 106mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3622 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3622 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3622 is a 700V 106mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3622 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3622 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LMG3622 700V, 106 mΩ, GaN FET With Integrated Driver and Current-Sense Emulation datasheet (Rev. B) PDF | HTML 13 Mai 2025
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 30 Jan 2024
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 30 Nov 2023
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 28 Nov 2023
Certificate LMG3622EVM-082 EU Declaration of Conformity (DoC) 21 Aug 2023

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LMG3622EVM-082 — Evaluierungsmodul LMG3622 für 65-W-quasiresonanten Flyback-Wandler mit USB Type-C® PD

LMG3622EVM-082 demonstriert hohe Effizienz und Dichte für einen 65-W-USB Type-C® Power Delivery (PD)-Offline-Adapter mit dem integrierten GaN-FET LMG3622 mit Strommessemulation.  Der Eingang unterstützt eine universelle 90-VAC- bis 265-VAC-Spannung und der Einzelausgang kann auf 5 V, 9 V und 15 V (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Berechnungstool

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3612 — 120-mΩ-GaN-FET, 650 V, mit integriertem Treiber und Schutz LMG3614 — 170-mΩ-GaN-FET, 650 V, mit integriertem Treiber und Schutz LMG3616 — 270-mΩ-GaN-FET, 650 V, mit integriertem Treiber und Schutz LMG3622 — 700V 106mΩ GaN FET with integrated driver and protection LMG3624 — 700V 155mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing LMG3626 — 700V 220mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
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Referenzdesigns

PMP23558 — Referenzdesign für AC/DC-PSU mit 240 W und GaN

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um einen Übergangsmodus, eine Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und einen Halbbrücken-LLC, der einen universellen Wechselspannungseingang akzeptiert und einen isolierten 24-V-, 10-A-Ausgang erzeugt. Das Design verwendet das LMG3622 GaN-Modul auf der (...)
Test report: PDF
Referenzdesigns

TIDA-050074 — Referenzdesign, 140 W, für GaN-basierten USB PD3.1 USB-C®-Adapter

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um eine auf Galliumnitrid (GaN) basierende AC/DC-Stromversorgung im Bereich 140 W mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Er unterstützt einen großen Eingangsspannungsbereich (90 VAC bis 264 VAC) und Ausgangsspannungen (5 V bis 28 V). Es wurde für (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns

PMP41037 — 1 kW, 800 V bis 12 V serielle bidirektionale Halbbrücken-DCX mit GaN und C2000 – Referenzdesign

Dieses Referenzdesign ist ein 1 kW-bidirektionaler DC-Transformator (DCX), der einen 800 V-DC-Bus in einen isolierten 12 V-Bus umwandelt. Das Design wird von F280039C gesteuert und wird ständig mit der Resonanzfrequenz des Resonanztanks betrieben. Die Primärseite verwendet eine serielle LMG3622 (...)
Test report: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian
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Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

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