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Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
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LMG3622

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GaN-FET, 650 V, 120 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung

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LMG3622

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Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650-V 120-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad
  • 650-V 120-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad

The LMG3622 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3622 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional currentsense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3622 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the opendrain FLT pin.

The LMG3622 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3622 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional currentsense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3622 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the opendrain FLT pin.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LMG3622650-V120-mΩ GaN FET With Integrated Driverand Current-Sense Emulation datasheet (Rev. A) PDF | HTML 14 Nov 2023
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 30 Jan 2024
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 30 Nov 2023
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 28 Nov 2023
Certificate LMG3622EVM-082 EU Declaration of Conformity (DoC) 21 Aug 2023

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LMG3622EVM-082 — LMG3622 Evaluierungsmodul für 65-W-quasiresonanten Flyback-Wandler mit USB Typ-C® PD

LMG3622EVM-082 demonstriert hohe Effizienz und Dichte für einen 65-W-USB Typ-C® Power Delivery (PD)-Offline-Adapter mit dem integrierten GaN-FET LMG3622 mit Strommessemulation.  Der Eingang unterstützt eine universelle 90-V/AC-bis 265-VAC und der Einzelausgang kann auf 5 V, 9 V und 15 V eingestellt (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
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Berechnungstool

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3612 — 650-V 120 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3616 — 650-V 270 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3622 — GaN-FET, 650 V, 120 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3624 — GaN-FET, 650 V, 170 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3626 — GaN-FET, 650 V, 270 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
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Referenzdesigns

TIDA-050074 — Referenzdesign für GaN-basierten USB PD3.0 USB-C-Adapter

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um eine auf Galliumnitrid (GaN) basierende AC/DC-Stromversorgung im Bereich 140 W mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Er unterstützt einen großen Eingangsspannungsbereich (90 VAC bis 264 VAC) und Ausgangsspannungen (5 V bis 28 V). Es wurde für (...)
Design guide: PDF
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